Claims (10)
박막 트랜지스터 제조방법에 있어서, 실리콘기판 상부에 산화막을 중착하고, 그 상부에 저압화학증착법(LPCVD)으로 비정질실리콘층을 형성하는 단계와, 상기 비정질실리큰층으로 Si+이온 주입하여 비정질실리콘막을 더욱 비정질화 시키는 단계와, 관상로 열처리(Furnace Annealing)를 통하여 비정질실리콘층을 그레인이 조대한 폴리실리콘층으로 형성하는 단계를 포함하는 그레인 크기가 증대된 폴리실리콘층 제조 방법.In the method of fabricating a thin film transistor, an oxide film is deposited on an upper part of a silicon substrate, and an amorphous silicon layer is formed on the silicon substrate by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), and Si + ion is implanted into the amorphous silicon layer to further form an amorphous silicon film. And forming the amorphous silicon layer into a coarse polysilicon layer through a furnace annealing.
제1항에 있어서, 상기 저압화학중착법(LPCVD)으로 비정질실리콘층을 형성할때 초기 진공이 1×10E-7 내지 5×10E-7 torr인 것을 특징으로 하는 그레인 크기가 증대된 폴리실리콘층 제조 방법.The polysilicon layer with increased grain size according to claim 1, wherein the initial vacuum is 1x10E-7 to 5x10E-7 torr when the amorphous silicon layer is formed by LPCVD. Manufacturing method.
제1항에 있어서, 상기 저압화학중착법(LPCVD)으로 비정질실리콘층을 형성할때 중착압력이 0.1-0.5 torr인 것을 특징으로 하는 그레인 크기가 증대된 폴리실리콘층 제조 방법.2. The method of claim 1, wherein the deposition pressure is 0.1-0.5 torr when the amorphous silicon layer is formed by low pressure chemical deposition (LPCVD).
제2항에 있어서, 상기 저압화학중착법(LPCVD)으로 비정질실리콘층을 형성할때 소오스 개스는 Si2H6개스인 것을 특징으로 하는 그레인 크기가 증대된 폴리실리콘층 제조 방법.3. The method of claim 2, wherein the source gas is Si 2 H 6 gas when the amorphous silicon layer is formed by low pressure chemical deposition (LPCVD).
제2항에 있어서, 상기 저압화학중착법(LPCVD)으로 비정질실리콘층을 형성할때 중착온도는 410-500℃인 것을 특징으로 하는 그레인 크기가 증대된 폴리실리콘층 제조방법.The method of claim 2, wherein the deposition temperature is 410-500 ° C. when the amorphous silicon layer is formed by low pressure chemical deposition (LPCVD).
제1항에 있어서, 상기 Si+이온주입 에너지는 50KeV인 것을 특징으로 하는 그레인 크기가 증대된 폴리실리콘층 제조 방법.The method of claim 1, wherein the Si + ion implantation energy is 50 KeV.
제1항에 있어서, 상기 Si+이온주입양은 5×10E14 내지 5×10E15/㎠인 것을 특징으로 하는 그레인 크기가 증대된 폴리실리콘층 제조 방법.The method of claim 1, wherein the Si + ion implantation amount is 5 × 10E14 to 5 × 10E15 / cm 2.
제1항에 있어서, 상기 관상로 열처리는 550-600℃의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 그레인 크기가 증대된 폴리실리콘층 제조 방법.The method of claim 1, wherein the tubular heat treatment is carried out at a temperature of 550-600 ℃ the grain size increased polysilicon layer manufacturing method.
제1항에 있어서, 상기 관상로 열처리시 분위기는 N2개스 분위기인 것을 특징으로 하는 그레인 크기가 증대된 폴리실리콘층 제조 방법.The method of claim 1, wherein the atmosphere during heat treatment of the tubular furnace is an N 2 gas atmosphere.
제1항에 있어서, 상기 관상로 열처리기 초기 진공은 1×10E-3 내지 5×10E-3 torr인 것을 특징으로 하는 그레인 크기가 증대된 폴리실리콘층 제조 방법.The method of claim 1, wherein the tubular heat treatment machine initial vacuum is 1 × 10E-3 to 5 × 10E-3 torr.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.