Claims (15)
반도체 소자의 전하저장 전극 형성 방법에 있어서, 접합부가 형성된 실리콘 기판상에 절연층을 형성한 후 상기 접합부가 노출되도록 상기 절연층을 패터닝하여 콘택 홀을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 세정 공정을 실시한 후 전체 상부면에 도프 폴리실리콘을 증착하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 폴리실리콘상에 폴리실리콘 그레인을 인-시투로 형성한 후 상기 폴리실리콘 그레인을 재결정화시키기 위하여 열처리를 실시하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성 방법.A method for forming a charge storage electrode of a semiconductor device, comprising: forming an insulating layer on a silicon substrate on which a junction is formed, patterning the insulation layer to expose the junction, and forming a contact hole; And then depositing dope polysilicon on the entire upper surface, and forming polysilicon grains on the polysilicon in-situ from the step and then performing heat treatment to recrystallize the polysilicon grains. A method of forming a charge storage electrode of a semiconductor device.
제1항에 있어서, 상기 도프 폴리실리콘 증착 공정은 상기 실리콘 기판을 690 내지 730℃ 온도의 증착 반응로 내부로 로드하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 반응로 내부의 온도를 640 내지 680℃로 강하시키는 단계와, 상기 단계로부터 반응 가스를 열분해시켜 도프 폴리실리콘을 증착하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성 방법.The method of claim 1, wherein the dope polysilicon deposition process comprises: loading the silicon substrate into a deposition reactor at a temperature of 690 to 730 ° C., and lowering the temperature in the reactor to 640 to 680 ° C. from the step. And depositing dope polysilicon by pyrolysing the reaction gas from the step.
제2항에 있어서, 상기 반응 가스는 SiH4및 PH3인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성 방법.The method of claim 2, wherein the reactant gases are SiH 4 and PH 3 .
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도프 폴리실리콘은 50 내지 130초 동안 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성 방법.The method of claim 1 or 2, wherein the dope polysilicon is deposited for 50 to 130 seconds.
제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘 그레인 형성시 반응 가스는 SiH4이며, 케리어 가는 수소(H2)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성 방법.The method of claim 1, wherein the reaction gas is SiH 4 and the carrier thin hydrogen (H 2 ) is used to form the polysilicon grains.
제5항에 있어서, 상기 케리어 가스의 플로우 량은 15 내지 20 SLM인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성 방법.The method of claim 5, wherein the carrier gas flow rate is 15 to 20 SLM.
제1항에 있어서, 상기 열처리 공정은 660 내지 700℃의 온도에서 30 내지 60초 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성 방법.The method of claim 1, wherein the heat treatment is performed at a temperature of 660 to 700 ° C. for 30 to 60 seconds.
제7항에 있어서, 상기 열처리 공정은 케리어 가스는 수소(H2)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성 방법.The method of claim 7, wherein the carrier gas is hydrogen (H 2 ).
제8항에 있어서, 상기 케리어 가스의 플로우 량은 6 내지 8 SLM인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성 방법.The method of claim 8, wherein the carrier gas flow rate is 6 to 8 SLM.
반도체 소자의 전하저장 전극 형성 방법에 있어서, 접합부가 형성된 실리콘 기판상에 절연층을 형성한 후 상기 접합부가 노출되도록 상기 절연층을 패터닝하여 콘택 홀을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 세정 공정을 실시한 후 전체 상부면에 도프 폴리실리콘을 증착하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 도프 폴리실리콘상에 폴리실리콘 그레인을 인-시투로 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성 방법.A method for forming a charge storage electrode of a semiconductor device, comprising: forming an insulating layer on a silicon substrate on which a junction is formed, patterning the insulation layer to expose the junction, and forming a contact hole; And depositing dope polysilicon on the entire upper surface, and forming polysilicon grains in-situ on the dope polysilicon from the step.
제10항에 있어서, 상기 도프 폴리실리콘 증착 공정은 상기 실리콘 기판을 증착 반응로 내부로 로드하는 단계와, 상기 단계로부터 640 내지 680℃의 온도에서 반응 가스를 열분해시켜 도프 폴리실리콘을 증착하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성 방법.The method of claim 10, wherein the dope polysilicon deposition process comprises loading the silicon substrate into a deposition reactor and depositing dope polysilicon by pyrolyzing the reaction gas at a temperature of 640 to 680 ° C. from the step. Method for forming a charge storage electrode of a semiconductor device, characterized in that made.
제11항에 있어서, 상기 반응 가스는 SiH4및 PH3인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성 방법.The method of claim 11, wherein the reactant gases are SiH 4 and PH 3 .
제10항에 있어서, 상기 폴리실리콘 그레인 형성시 반응 가스는 SiH4이며, 케리어 가스는 수소(H2)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성 방법.The method of claim 10, wherein the reaction gas is SiH 4 and the carrier gas is hydrogen (H 2 ) when the polysilicon grain is formed.
제13항에 있어서, 상기 반응 가스의 플로우 량은 20 내지 50 SCCM이며, 상기 케리어 가스의 플로우량은 15 내지 19.9 SLM인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성 방법.The method of claim 13, wherein the flow amount of the reaction gas is 20 to 50 SCCM, and the flow amount of the carrier gas is 15 to 19.9 SLM.
제10항에 있어서, 상기 폴리실리콘 그레인 형성시 온도는 570 내지 700℃인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성 방법.The method of claim 10, wherein the polysilicon grain is formed at a temperature of 570 to 700 ° C. 12.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.