Claims (8)
기판의 소정부분에 형성되어 있는 하부 게이트 전극과, 상기 하부 게이트 전극과 같은 크기로 평행하게 형성되어 있는 에지형 에미터와, 상기 하부 게이트 전극 또는 에지형 에미터의 모서리보다 적어도 한면이 안쪽으로 형성되어 있는 제1절연체와, 상기 에지형 에미터 상부에 에지형 에미터와 같은 크기로 평행하게 형성되어 있는 상부 게이트 전극과, 상기 상부 게이트 전극 또는 에지형 에미터의 모서리보다 적어도 한면이 안쪽으로 형성되어 있는 제2절연체와, 상기 하부 게이트 전극이 형성되어 있지 않은 노출된 기판상에 상기 하부 게이트 전극과 일정한 간격을 두고 형성되어 있는 보조 전극을 포함하는 에지형 필드 에미터가 형성되어 있는 하부기판과, 상기 하부기판상에 형성되어 공간을 일정하게 유지시켜주는 다수의 스페이서와, 상기 스페이서 상부에 부착되고 에노드 전극과 형광체와 휘도향상층이 순차적으로 형성되어 있는 상부기판을 포함하는 액정 디스플레이용 배면광원.A lower gate electrode formed on a predetermined portion of the substrate, an edge type emitter formed in parallel with the same size as the lower gate electrode, and at least one surface of the lower gate electrode or the edge type emitter is formed inwardly A first insulator formed thereon, an upper gate electrode formed on the edge emitter in parallel with the same size as an edge emitter, and at least one surface formed inwardly from an edge of the upper gate electrode or the edge emitter A lower substrate having an edge type field emitter including a second insulator, and an auxiliary electrode formed at a predetermined distance from the lower gate electrode on an exposed substrate on which the lower gate electrode is not formed; A plurality of spacers formed on the lower substrate to maintain a constant space; Stand attached to the top and the node electrode and a phosphor and a brightness enhancement layer on the back surface light source for a liquid crystal display comprising a front substrate which are sequentially formed.
제1항에 있어서, 상기 하부 게이트 전극, 에지형 에미터 또는 상부 게이트 전극은 2차원의 어레이 형태인 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이용 배면광원.The back light source of claim 1, wherein the lower gate electrode, the edge type emitter, or the upper gate electrode is in the form of a two-dimensional array.
제1항에 있어서, 상기 보조 전극은 상기 에지형 에미터에서 방출하는 전자를 기판에 수직방향으로 방사하게 하기 위하여 2차원의 어레이 형태인 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이용 배면광원.The back light source of claim 1, wherein the auxiliary electrode is in the form of a two-dimensional array to emit electrons emitted from the edge emitter in a direction perpendicular to the substrate.
기판상에 하부 게이트전극과 제1절연체, 에미터를 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 에미터 상부에 제2절 연체와 상부 게이트전극을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 상부 게이트전극 상부에 레지스트를 증착한 후 소정부분에 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 마스크 패턴이외의 노출된 상부 게이트전극, 제2절연체,에미터, 제1절연체, 하부게이트전극을 순차적으로 식각하여 기판이 노출되도록 하는 단계와, 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계와 상기 노출된 기판과 상부 게이트전극 상부에 포토레지스트층을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트층을 사진식각 공정으로 소정부분을 식각하여 상부 하부 게이트전극과 일정한 거리를 두고 기판을 노출시키는 단계와, 상기 노출된 기판과 포토레지스트층 상부에 보조 전극을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트층과 포토레지스트층 상부의 보조전극을 리프트오프 공정으로 제거하는 단계와, 상기 제1절연체층과 제2절연체층의 모서리를 상기 에미터 또는 게이트 전극의 모서리보다 적어도 한쪽면이 안쪽으로 형성되도록 식각하는단계를 포함하는 액정 디스플레이용 배면광원 제조방법.Sequentially forming a lower gate electrode, a first insulator and an emitter on the substrate, sequentially forming a second insulator and an upper gate electrode on the emitter, and forming a resist on the upper gate electrode. Forming a mask pattern on a predetermined portion after the deposition; and sequentially etching the exposed upper gate electrode, the second insulator, the emitter, the first insulator, and the lower gate electrode other than the mask pattern to expose the substrate. And removing the mask pattern, forming a photoresist layer on the exposed substrate and the upper gate electrode, and etching a predetermined portion of the photoresist layer by a photolithography process to a predetermined distance from the upper lower gate electrode. Exposing a substrate to form a substrate; forming an auxiliary electrode on the exposed substrate and the photoresist layer; Removing the photoresist layer and the auxiliary electrode on the photoresist layer by a lift-off process, and at least one side of the edge of the first insulator layer and the second insulator layer is inwardly formed from the edge of the emitter or gate electrode. Back light source manufacturing method for a liquid crystal display comprising the step of etching to be formed.
제4항에 있어서, 상기 상부 또는 하부 게이트전극 티타늄 또는 팅스텐으로 2000-3000Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이용 배면광원 제조방법.5. The method of claim 4, wherein the upper or lower gate electrode is deposited with a thickness of 2000-3000 microns with titanium or tin sting.
제4항에 있어서, 상기 에미터는 티타늄, 팅스텐 또는 티타늄·팅스텐합금으로 200-300Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이용 배면광원 제조방법.5. The method of claim 4, wherein the emitter is deposited with a thickness of 200-300 GPa with titanium, tinsten or titanium tinsten alloy.
제4항에 있어서, 상기 제1 또는 제2절연체는 산화실리콘물 또는 질화실리콘물로 2500-3500Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이용 배면광원 제조방법.5. The method of claim 4, wherein the first or second insulator is deposited with silicon oxide water or silicon nitride water at a thickness of 2500-3500 Pa.
제4항에 있어서, 상기 상부게이트 전극 상부의 레지스트는 포토레지스트 또는 전자빔 레지스트린 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이용 배면광원 제조방법.The method of claim 4, wherein the resist on the upper gate electrode is a photoresist or an electron beam resist.
※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the original application.