Claims (9)
레이저 발진을 위해 기판 상부에 활성층을 포함하여 형성된 레이저 발진층과, 상기 레이저 발진층에서 발진된 광을 공진시키기 위한 수직 공진기로서의 상기 활성층의 상부 및 하부에 각각 형성되는 상부 및 하부 미러층과, 상기 상부 미러층의 상부에 형성된 오우믹층과, 활성영역의 제한을 위해 상기 오우믹층 및 상부 미러층의 양측 가장자리 비활성영역에 각각 H+의 선택적 주입에 의해 캐리어 통로를 형성하여 이루어진 수직 공진기 면발광 레이저 다이오드에 있어서, 상기 오우믹층의 양측 가장자리 비활성영역과, 상기 상부 미러충의 양측 가장자리 비활성영역의 일부를 식각하여 상기 오우믹층의 중앙부 활성영역을 노출시켜 형성된 식각단층과, 상기 식각단층과 오우믹층의 상면 전체에 걸쳐서 증착된 상부전극과, 상기 기판의 저면에 형성된 하부 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 공진기 면발광 레이저 다이오드.A laser oscillation layer including an active layer on the substrate for laser oscillation, upper and lower mirror layers respectively formed on and under the active layer as vertical resonators for resonating the light oscillated in the laser oscillation layer, Vertical resonator surface-emitting laser diode formed by forming carrier paths by selective injection of H + into the ohmic layer formed on the upper mirror layer and the inactive regions on both sides of the ohmic layer and the upper mirror layer to limit the active region, respectively. The etch monolayer formed by etching a portion of both edge inactive regions of the ohmic layer, a portion of both edge inactive regions of the upper mirror worm and exposing a central active region of the ohmic layer, and an entire upper surface of the etch monolayer and the ohmic layer An upper electrode deposited over and formed on the bottom of the substrate Sub-electrode surface-emission laser diode vertical resonator, characterized in that comprises a.
제1항에 있어서, 상기 식각단층의 상면에는 캐리어 차단을 위해 형성한 자연산화막을 구비하여 된 것을 특징으로 하는 수직 공진기 면발광 레이저 다이오드.The vertical resonator surface emitting laser diode of claim 1, wherein a natural oxide layer is formed on the upper surface of the etch monolayer to block carriers.
제2항에 있어서, 상기 자연산화막은 Al2O3를 성장하여 형성한 것을 특징으로 하는 수직 공진기 면발광 레이저 다이오드.The vertical resonator surface emitting laser diode of claim 2, wherein the natural oxide film is formed by growing Al 2 O 3 .
제1항에 있어서, 상기 중앙부 활성영역은 5μmψ 원형으로 형성된 것을 특징으로 하는 수직 공진기 면발광 레이저 다이오드.The vertical resonator surface emitting laser diode of claim 1, wherein the center active region is formed in a 5 μmψ circle.
제1항에 있어서, 상기 식각단층은 상기 오우믹층의 양측 가장자리 비활성영역 전부와 상기 상부 미러층의 양측 가장자리 비활성영역의 발진파장 λ의 λ/4두께를 식각하여 형성된 것을 특징으로 하는 수직 공진기 면발광 레이저 다이오드.The surface of the vertical resonator of claim 1, wherein the etch monolayer is formed by etching all the edge inactive regions of both sides of the ohmic layer and the λ / 4 thickness of the oscillation wavelength λ of both edge inactive regions of the upper mirror layer. Laser diode.
기판 상면에 하부 미러층, 레이저 발진층, 상부 미러층 및 오우믹층을 순차적으로 성장시켜 적층하는 성장단계; 상기 오우믹층의 비활성영역인 양측 가장자리를 식각하여 중앙부의 활성영역을 노출시키는 제1식각 단계; 상기 상부 미러층 양측 가장자리 비활성영역의 일부를 식각하여 식각단층을 형성하는 제2식각단계; 상기 상부 미러층의 상면으로부터 상기 하부 미러층의 일부에 이르기까지 각각 H+를 선택적으로 주입하여 캐리어 통로를 형성하는 H+주입 단계; 상기 상부 미러층의 양측 가장자리에 각각 형성된 식각단층에 자연산화막을 형성하는 산화막 형성 단계; 상기 제1식각 단계에서 중앙부의 활성영역이 노출된 오우믹층과 상기 자연산화막의 상면 전체에 걸쳐서 상부 전극을 증착하고, 상기 기판의 저면에 하부 전극을 증착하는 전극 증착 단계; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 공진기 면발광 레이저 다이오드의 제조방법.A growth step of sequentially growing and stacking a lower mirror layer, a laser oscillation layer, an upper mirror layer, and an ohmic layer on an upper surface of the substrate; A first etching step of exposing both edges, which are inactive regions of the ohmic layer, to expose the active region of the center portion; A second etching step of forming an etch monolayer by etching a portion of the edge inactive region at both sides of the upper mirror layer; H + injection step of selectively injecting H + from each of the upper surface of the upper mirror layer to a part of the lower mirror layer to form a carrier passage; An oxide film forming step of forming a natural oxide film on an etch monolayer formed on both edges of the upper mirror layer; An electrode deposition step of depositing an upper electrode over the entire upper surface of the OHIC layer and the natural oxide film in which the active region of the center is exposed in the first etching step, and depositing a lower electrode on the bottom surface of the substrate; Method of manufacturing a vertical resonator surface emitting laser diode comprising a.
제6항에 있어서, 상기 산화막 형성 단계에서 상기 자연산화막은 Al2O3를 성장하여 형성되는 것을 특징으로 하는 수직 공진기 면발광 레이저 다이오드의 제조방법.The method of claim 6, wherein in the forming of the oxide film, the natural oxide film is formed by growing Al 2 O 3 .
제6항에 있어서, 상기 제1식각 단계에서 중앙부 활성영역은 5μmψ 원형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직 공진기 면발광 레이저 다이오드의 제조방법.The method of claim 6, wherein the center active region is formed in a 5 μmψ circle in the first etching step.
제1항에 있어서, 상기 제2식각 단계에서 상기 상부 미러층의 양측 가장자리 비활성영역을 발진파장 λ의 λ/4두께로 식각하여 식각단층을 형성하는 것을 특징으로 하는 수직 공진기 면발광 레이저 다이오드.2. The vertical resonator surface emitting laser diode of claim 1, wherein in the second etching step, an etch monolayer is formed by etching both edge inactive regions of the upper mirror layer with a λ / 4 thickness of an oscillation wavelength λ.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.