KR970030321A - 반도체 이온주입설비의 패러데이컵 어셈블리 - Google Patents

반도체 이온주입설비의 패러데이컵 어셈블리 Download PDF

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Abstract

웨이퍼로의 지속적인 이온주입에 따라 아웃-가싱(Out-gassing)되는 불순물에 의한 내벽 절연막 형성을 차단하여 절연막의 대전으로 발생되는 마이크로 방전(Micro Discharge)에 의한 웨이퍼 오염을 방지하도록 개선시킨 반도체 이온주입설비의 패러데이컵 어셈블리에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 이온주입설비의 패러데이컵 어셈블리는, 이온 주입을 위한 웨이퍼를 장착한 디스크에 근접되어 설치되는 반도체 이온주입설비의 패러데이컵 어셈블리에 있어서, 내벽이 전도성 박막으로 커버(Cover)되어서 상기 내벽에 이온 주입시 발생되는 불순물에 의한 절연막의 형성이 방지되도록 구성되거나 또는 소정 면적의 내벽에 태그(Tag)를 삽설하여 이루어진다. 따라서, 이온주입공정이 원활히 수행되고, 웨이퍼의 오염 및 불량이 방지되어 수율이 향상됨은 물론 이온주입설비의 손상을 방지하여 설비의 수명 및 신뢰도를 극대화하는 효과가 있다.

Description

반도체 이온주입설비의 패러데이컵 어셈블리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 이온주입설비의 패러데이컵 어셈블리의 일실시예를 나타내는 도면이다.

Claims (7)

  1. 이온 주입을 위한 웨이퍼를 장착한 디스크에 근접되어 설치되는 반도체 이온주입설비의 패러데이컵 어셈블리에 있어서, 내벽이 전도성 박막으로 커버(Cover)되어서 상기 내벽에 이온 주입시 발생되는 불순물에 의한 절연막의 형성이 방지되도록 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 이온주입설비의 패러데이 어셈블리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전도성 박막은 주기적인 교체를 위하여 상기 내벽과 착탈되도록 구성됨으로써 상기 절연막에 의한 대전을 방지함을 특징으로 하는 상기 반도체 이온주입설비의 패러데이컵 어셈블리.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전도성 박막은 내벽의 일부분만 커버시키도록 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체 이온주입설비의 패러데이컵 어셈블리.
  4. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 전도성 박막은 알루미늄을 주 재질로 제작됨을 특징으로 하는 상기 반도체 이온주입설비의 패러데이컵 어셈블리.
  5. 이온 주입을 위한 웨이퍼를 장착한 디시크에 근접되어 설치되는 반도체 이온주입설비의 패러데이컵 어셈블리에 있어서, 소정 면적의 방전용 태그(Tag)를 내벽에 삽설됨을 특징으로 하는 상기 반도체 이온주입설비의 패러데이컵 어셈블리.
  6. 제5항에 있어서, 상기 내벽에 관통구가 형성되고 상기 태그는 상기 관통구에 삽설됨을 특징으로 하는 상기 반도체 이온주입설비의 패러데이컵 어셈블리.
  7. 제5항에 있어서, 상기 태그는 상기 관통구에 억지끼움되어 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 이온주입설비의 패러데이컵 어셈블리.
KR1019960017070A 1995-11-24 1996-05-20 반도체 이온주입설비의 패러데이컵 어셈블리 KR100219411B1 (ko)

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6507033B1 (en) * 1999-03-29 2003-01-14 The Regents Of The University Of California Versatile, high-sensitivity faraday cup array for ion implanters
US6500299B1 (en) 1999-07-22 2002-12-31 Applied Materials Inc. Chamber having improved gas feed-through and method
US7338683B2 (en) * 2004-05-10 2008-03-04 Superpower, Inc. Superconductor fabrication processes
US7683348B2 (en) * 2006-10-11 2010-03-23 Axcelis Technologies, Inc. Sensor for ion implanter
US7799999B2 (en) * 2007-08-20 2010-09-21 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Insulated conducting device with multiple insulation segments
US20090200494A1 (en) * 2008-02-11 2009-08-13 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for cold implantation of carbon-containing species
US8097866B2 (en) * 2008-02-14 2012-01-17 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Apparatus for measuring beam characteristics and a method thereof
US8124939B2 (en) * 2009-09-24 2012-02-28 Asml Netherlands B.V. Radiation detector

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04112441A (ja) * 1990-08-31 1992-04-14 Toshiba Corp イオン注入装置及びそのクリーニング方法
US5343047A (en) * 1992-06-27 1994-08-30 Tokyo Electron Limited Ion implantation system
US5455426A (en) * 1994-06-15 1995-10-03 Texas Instruments Incorporated Target chamber shielding

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