Claims (6)
시동 장치(1)에 전원 공급 단자(Vdd)가 연결되어 있고 전원(B＋)에 메모리 전원 공급 단자(Vcc)가 연결되어 상기 단자(Vcc, Vdd)로 각 해당 전원이 인가되면 해당 상태의 전압을 전자 제어 유닛의 구동 전원이나 메모리 구동 전원으로 전압 레귤레이터와; 상기 메모리(204)의 구동 전원을 출력하는 전압 레귤레이터의 출력단자와 전원 공급 단자(Vdd)와 메모리 전원 공급 단자(Vcc)에서 출력되는 신호를 조합하고, 전원 공급 단자(Vcc)와 메모리 전원 공급 단자(Vcc)에서 출력되는 신호를 조합하여 각 해당 상태의 신호를 출력하는 신호 조합 수단과; 상기 신호 조합 수단을 통해 제1입력단자(A)로 입력되는 신호가 제1설정 상태일 경우, 상기 전압 레귤레이터의 상태를 비정상 상태로 판정하고, 신호 조합 수단을 통해 제2입력단자(B)로 입력되는 신호가 제2설정 상태일 경우, 메모리 전원 공급 단자(Vcc)를 입력되는 전원 상태를 비정 상태로 판정하는 마이크로 컴퓨터를 포함하여 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 메모리 구동을 위한 전원 공급 단자 및 전압 레귤레이터의 이상 상태 감지 장치.When the power supply terminal (Vdd) is connected to the starter (1) and the memory power supply terminal (Vcc) is connected to the power source (B +), and the corresponding power is applied to the terminals (Vcc, Vdd), A voltage regulator as a driving power supply or a memory driving power supply of the electronic control unit; The output terminal of the voltage regulator for outputting the driving power of the memory 204 and the signal output from the power supply terminal Vdd and the memory power supply terminal Vcc are combined, and the power supply terminal Vcc and the memory power supply terminal are combined. Signal combination means for combining the signals output at (Vcc) and outputting signals in respective corresponding states; When the signal input to the first input terminal A through the signal combining means is in the first set state, the state of the voltage regulator is determined to be an abnormal state, and to the second input terminal B through the signal combining means. A power supply terminal and a voltage regulator for driving a memory, characterized in that the memory power supply terminal Vcc includes a microcomputer that determines the power supply state to be an amorphous state when the input signal is in the second setting state. Abnormal condition detection device.
제1항에 있어서, 상기 신호 조합 수단은, 상기 전압 레귤레이터의 출력단자에 입력 단자가 연결되어 있는 제1반전 수단(INV1)과, 상기 제1반전 수단(INV1)의 추력단자와 전원 공급 단자(Vcc)와 메모리 전원 공급 단자(Vcc)에 각각 입력단자가 연결되어 있고 출력단자가 마이크로 컴퓨터의 제1입력단자(A)와 연결되어 있는 제1부정 논리곱 수단(NAND1)으로 이루어져, 전압 레귤레이터의 동작 상태가 비정상 상태일 경우 제1설정 상태의 신호를 출력하고; 메모리 전원 공급 단자(Vcc)에 입력단자가 연결되어 있는 제2반전 수단(INV2)과, 상기 제2반전 수단(INV2)의 출력단자와 전원 공급 단자(Vdd)에 각각 입력 단자가 연결되어 있고 마이크로 컴퓨터의 제2입력단자(B)에 출력단자가 연결되어 있는 제2부정 논리곱 수단(NAND2)으로 이루어져 메모리 전원 공급 단자(Vcc)를 통해 인가되는 전원의 상태가 비정상 상태일 경우 제2설정 상태의 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 메모리 구동을 위한 전원 공급 단자 및 전압 레귤레이터의 이상 상태 감지 장치.The signal combination means of claim 1, wherein the signal combining means comprises: a first inverting means (INV1) having an input terminal connected to an output terminal of the voltage regulator, a thrust terminal of the first inverting means (INV1), and a power supply terminal ( Vcc) and the memory power supply terminal (Vcc) are respectively connected to the input terminal and the output terminal is composed of the first negative logical multiplication means (NAND1) connected to the first input terminal (A) of the microcomputer, the operation of the voltage regulator Outputting a signal of a first setting state when the state is abnormal; Input terminals are respectively connected to the second inverting means INV2 having the input terminal connected to the memory power supply terminal Vcc, the output terminal of the second inverting means INV2, and the power supply terminal Vdd. If the state of the power applied through the memory power supply terminal (Vcc) is composed of the second negative logical multiplication means (NAND2) having an output terminal connected to the second input terminal (B) of the computer of the second set state An abnormal state sensing device of a power supply terminal and a voltage regulator for driving a memory, characterized by outputting a signal.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 설정상태는, 출력되는 신호의 상태가 저레벨인 "L"상태인 것을 특징으로 하는 메모리 구동을 위한 전원 공급 단자 및 전압 레귤레이터의 이상 상태 감지 장치.The apparatus of claim 1, wherein the setting state is an "L" state in which a state of an output signal is at a low level.
제1항에 있어서, 하나의 전압 레귤레이터를 사용하여, 전원 공급 단자(Vdd)를 통해 입력되는 전압을 처리하여 전자 제어 유닛의 구동 전원과, 메모리 공급 단자(Vcc)를 통해 입력되는 전압을 처리하여 메모리(204)의 구동 전원을 처리하는 것을 특징으로 하는 메모리 구동을 위한 전원 공급 단자 및 전압 레귤레이터의 이상 상태 감지 장치.The method of claim 1, wherein the voltage input through the power supply terminal Vdd is processed using one voltage regulator to process the driving power of the electronic control unit and the voltage input through the memory supply terminal Vcc. An abnormal state sensing device of a power supply terminal and a voltage regulator for driving a memory, characterized by processing a driving power supply of the memory 204.
신호 조합 수단에서 출력되어 제1입력 단자(A)를 통해 입력되는 신호를 판독하여, 판독된 신호 상태가 제1설정 상태인지를 판단하는 단계와; 판단된 신호 상태가 제1설정 상태일 경우, 전압 레귤레이터의 동작 상태를 비정상 상태로 판정하는 단계와; 신호 조합 수단에서 출력되어 제2입력 단자(B)를 통해 입력되는 신호를 판독하여, 판독된 신호 상태가 제2설정 상태인지를 판단하는 단계와; 판단된 신호의 상태가 제2설정 상태일경우, 메모리 전원 공급 단자(Vcc)를 통해 인가되는 신호의 상태를 비정상 상태로 판정하는 단계를 포함하여 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 메모리 구동을 위한 전원 공급 단자 및 전압 레귤레이터의 이상 상태 감지 방법.Reading a signal output from the signal combining means and input through the first input terminal A to determine whether the read signal state is a first set state; Determining the operating state of the voltage regulator as an abnormal state when the determined signal state is a first set state; Reading a signal output from the signal combining means and input through the second input terminal B to determine whether the read signal state is a second set state; And when the determined state of the signal is in the second set state, determining the state of the signal applied through the memory power supply terminal Vcc as an abnormal state. And how to detect an abnormal condition of the voltage regulator.
제5항에 있어서, 상기 설정 상태는, 출력되는 신호의 상태에 저레벨인 "L"상태인 것을 특징으로 하는 메모리 구동을 위한 전원 공급 단자 및 전압 레귤레이터의 이상 상태 감지 방법.6. The method of claim 5, wherein the setting state is an "L" state which is at a low level in the state of an output signal.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.