KR970018312A - 실리콘 웨이퍼 내부 결함의 측정방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 실리콘 웨이퍼 내부에 형성된 결함을 효과적으로 검출할 수 있는 방법으로서, 열처리된 실리콘 웨이퍼를 절단한 후, 라이트 용액으로 결함부위 염색 에칭을 하여 결합 부위를 염색시킨 후, 광학 현미경으로 염색된 결함부위의 수를 단위 면적당으로 세어 결함 밀도를 관찰하는 실리콘 웨이퍼 내부 결함 밀도의 측정 방법에 있어서, 절단된 실리콘 웨이퍼를 질산, 초산 및 불산으로 이루어진 산 혼합물중에 침적 시켜 절단된 실리콘 웨이퍼의 양 표면을 소정의 두께로 표면 식각한 후, 순수로 세척하고, 이어서 결함 부위 에칭 염색을 행하여 염색된 결함부위를 광학 현미경으로 관찰하는 것으로 이루어진 것을 제공한다.

Description

실리콘 웨이퍼 내부 결함의 측정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에서와 같이 실리콘 웨이퍼를 절단한 후, 소정의 에칭 화합물을 침적시켜 절단면의 양면으로부터 약 150㎛를 식각한 후 라이트에칭액(wright solution)으로 에칭함으로서 드러난 결합 부위를 광학 현미경으로 관찰한 광학현미경도.

Claims (5)

  1. 열처리된 실리콘 웨이퍼를 절단한 후, 라이트 용액으로 결함 부위 염색에칭을 하여 결함 부위를 염색시킨후, 광학 현미경으로 염색된 결함부위의 수를 단위 면적당으로 세어 결함 밀도를 관찰하는 실리콘 웨이퍼 내부 결함 밀도의 측정 방법에 있어서, 절단된 실리콘 웨이퍼를 질산, 초산 및 불산으로 이루어진 산 혼합물중에 침적시켜 절단된 실리콘 웨이퍼의 양 표면을 소정의 두께로 표면 식각한 후, 순수로 세척하고, 이어서 결함 부위 에칭 염색을 행하여, 염색된 결함부위를 광학 현미경으로 관찰하는 것으로 이루어지는 것을, 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 내부 결함 측정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 실리콘 웨이퍼의 절단 형태를 실리콘 웨이퍼의 종축에 대하여 직각의 수평면, 또는 종축의 수평면에 대하여 10° 내지 15° 경사지게 함을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 질산, 초산 및 불산으로 이루어진 산 혼합물에 의한 표면 식각의 깊이를 절단 표면으로부터 100 내지 200㎛로 함을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 질산, 초산 및 불산으로 이루어진 산 혼합물의 구성을 70% 순도의 질산, 99.9%순도의 초산 및 49% 순도의 불산으로 하여 이들의 혼합비를 각각 55% 내지 60%, 15% 내지 20% 및 20% 내지 30%로 구성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 산 혼합물에 의한 표면 식각 속도를 분당 7㎛ 내지 15㎛으로 하는 것을 특징으로 하는 방법.
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