Claims (7)
구동 기판(110)상에 실리콘을 함유하는 절연 물질을 소정 두께로 적층시켜서 희생층(130)을 형성시키는 제1단계(310)와, 상기 희생층(130)상에 포토레지스트(PR)를 소정 두께로 도포시켜서 감광층(210)을 형성시키는 제2단계(320)와, 상기 감광층(210)을 노광 및 현상시켜서 소정 형상으로 패터닝시키는 제3단계(330)와, 그리고 상기 패터닝된 감광층(210)을 통하여 노출된 상기 희생층(130)의 일부를 식각시키는 제4단계(340)로 이루어지는 광로 조절 장치의 희생층 패턴 형성 방법에 있어서, 상기 희생층(130)은 기체 상태의 불화 수소에 의해서 식각되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 희생층 패턴 형성 방법.A first step 310 of forming a sacrificial layer 130 by stacking an insulating material containing silicon on a driving substrate 110 to a predetermined thickness, and a predetermined photoresist PR on the sacrificial layer 130 by coating with a thickness a second step of forming a photosensitive layer 210, 320 and, a third step (330) by exposing and developing the photosensitive layer 210 that is patterned into a predetermined shape, and the patterned photosensitive layer In the method for forming a sacrificial layer pattern of the optical path control device comprising a fourth step 340 of etching a portion of the sacrificial layer 130 exposed through the 210, the sacrificial layer 130 is a gaseous hydrogen fluoride. Method of forming a sacrificial layer pattern of the optical path control device characterized in that the etching by.
제1항에 있어서, 상기 희생층(130)은 지지대(411)가 설치된 챔버(410) 및 공급 수단(420)으로 이루어진 식각 장치내에서 패터닝되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 희생층 패턴 형성 방법.The method of claim 1, wherein the sacrificial layer 130 is patterned in an etching apparatus including a chamber 410 provided with a support 411 and a supply means 420. .
제2항에 있어서, 상기 공급 수단에 의하여 기체 상태의 불화 수소가 상기 챔버(410)로 공급되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 희생층 패턴 형성 방법.3. The method of claim 2, wherein gaseous hydrogen fluoride is supplied to the chamber (410) by the supply means.
제3항에 있어서, 상기 불화 수소는 불활성 가스로 이루어진 운반 가스의 운반 작용에 의하여 상기 챔버(410)로 공급되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 희생층 패턴 형성 방법.4. The method of claim 3, wherein the hydrogen fluoride is supplied to the chamber (410) by a conveying action of a carrier gas made of an inert gas.
제4항에 있어서, 상기 운반 가스는 질소 가스를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 희생층 패턴 형성 방법.5. The method of claim 4, wherein the carrier gas contains nitrogen gas.
제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 감광층(210)의 패턴을 통하여 노출된 상기 희생층(130)의 일부는 상기 불화 수소의 식각 작용에 의하여 식각되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 희생층 패턴 형성 방법.The sacrificial layer of claim 4 or 5, wherein a part of the sacrificial layer 130 exposed through the pattern of the photosensitive layer 210 is etched by an etching action of the hydrogen fluoride. How to form a layer pattern.
제6항에 있어서, 상기 희생층(130)의 식각 속도는 상기 운반 가스의 양에 반비례하는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 희생층 패턴 형성 방법.The method of claim 6, wherein the etching speed of the sacrificial layer is inversely proportional to the amount of the carrier gas.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.