Claims (5)
밀봉된 캐비티를 가진 박막 압전 공진기의 조립 방법에 있어서, 평면을 가진 제1기판을 제공하는 단계와, 상기 제1기판의 평면내에 캐비티를 형성하는 단계와, 평면을 가진 제2기판을 제공하는 단계와, 재료의 층은 상기 제1기판의 평면에 본딩가능하다는 것과 상기 재료의 층으로부터 선택적으로 에칭가능한 제2기판에 의해 구별되는데, 상기 제2기판의 평면에 평행한 재료의 층상에 평면을 형성하기 위해 제2기판의 평면상에 상기 재료의 층을 위치시키는 단계와, 상기 캐비티에 대해 위에 놓이는 관계로 상기 재료의 층의 평면을 제1기판의 평면에 본딩하는 단계와, 상기 캐비티 위의 영역에서 에칭된 평면을 노출시키기 위해서 상기 제2기판의 일부를 상기 재료의 층으로부터 에칭하는 단계와, 상기 캐비티 위의 영역내에 에칭된 평면상에 제1전극을 위치시키는 단계와, 상기 제1전극상에 압전막을 위치시키는 단계와, 상기 압전막상에 제2전극을 위치시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 밀봉된 캐비티를 가진 박막 압전 공진기의 조립 방법.A method of assembling a thin film piezoelectric resonator having a sealed cavity, comprising: providing a first substrate having a plane; forming a cavity in a plane of the first substrate; providing a second substrate having a plane And a layer of material is distinguishable by being bondable to a plane of the first substrate and a second substrate selectively etchable from the layer of material, wherein a plane is formed on the layer of material parallel to the plane of the second substrate Placing a layer of the material on a plane of a second substrate to form a layer of material on the first substrate; bonding the plane of the layer of material to a plane of the first substrate in an overlying relation to the cavity; Etching a portion of the second substrate from a layer of material to expose an etched plane in the cavity; Steps of the method of assembling the piezoelectric thin-film resonator having a sealed cavity, characterized in that it comprises the step of positioning a second electrode on the piezoelectric film to position the first electrode on the piezoelectric film to.
밀봉된 캐비티를 가진 박막 압전 공진기의 조립 방법에 있어서, 평면을 가진 제1 실리콘 기판을 제공하는 단계와, 상기 제1 기판의 평면내에 캐비티를 에칭하는 단계와, 평면을 가진 제2 실리콘 기판을 제공하는 단계와, 상기 제2 실리콘 기판의 평면에 평행한 실리콘 이산화물의 층상에 평면을 형성하기 위해 제2 실리콘 기판의 평면상에 실리콘 이산화물의 층을 성장시키는 단계와, 상기 캐비티에 대해 위에 놓이는 관계로 상기 제1실리콘 기판의 평면에 실리콘 이산화물의 층의 평면을 본딩하는 단계와, 상기 캐비티 위의 영역에서 에칭된 평면을 노출시키기 위해서 상기 제2 실리콘 기판의 일부를 실리콘 2산화물의 층으로부터 에칭하는 단계와, 상기 캐비티 위의 영역내의 에칭된 평면상에 제1 금속 전극을 증착시키는 단계와, 상기 제1 금속 전극상에 압전막을 위치시키는 단계와, 상기 압전막상에 제2금속 전극을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 밀봉된 캐비티를 가진 박막 압전 공진기의 조립 방법.A method of assembling a thin film piezoelectric resonator having a sealed cavity, comprising: providing a first silicon substrate having a plane; etching a cavity in a plane of the first substrate; providing a second silicon substrate having a plane Growing a layer of silicon dioxide on a plane of a second silicon substrate to form a plane on a layer of silicon dioxide parallel to the plane of the second silicon substrate; Bonding a plane of a layer of silicon dioxide to a plane of the first silicon substrate; etching a portion of the second silicon substrate from a layer of silicon dioxide to expose an etched plane in the region above the cavity; Depositing a first metal electrode on an etched plane in an area over the cavity; And depositing a second metal electrode on the piezoelectric film. The method of assembling a thin film piezoelectric resonator having a sealed cavity, comprising: depositing a first metal electrode on the piezoelectric film;
밀봉된 캐비티를 각각 가진 다수의 박막 압전 공진기의 조립방법에 있어서, 평면을 가진 제1실리콘 웨이퍼를 제공하는 단계와, 상기 제1 실리콘 웨이퍼의 평면내에 다수의 개별적 캐비티를 형성하는 단계와, 평면을 가진 제2 실리콘 웨이퍼를 제공하는 단계와, 상기 제2 실리콘 웨이퍼의 평면에 평행한 실리콘 이산화물의 층상에 평면을 형성하기 위해 제2 실리콘 웨이퍼의 평면상에 실리콘 이산화물의 층을 성장시키는 단계와, 상기 다수의 캐비티에 대해 위에 놓이는 관계로 상기 제1 실리콘 웨이퍼의 평면에 실리콘 이산화물의 층의 평면을 웨이퍼 본딩하는 단계와, 상기 다수의 캐비티 위에 각각 놓이는 다수의 영역에서 에칭된 평면을 노출시키기 위해서 상기 제2 실리콘 웨이퍼를 에칭하는 단계와, 상기 각각의 캐비티 위의 영역내에 하나씩 놓이는 다수의 제1 금속 전극을 증착시키는 단계와, 상기 각각의 제1금속 전극에 대하여 하나씩 위에 놓이는 관계로 다수의 압전막을 증착시키는 단계와, 상기 각각의 압전막에 대하여 하나씩 위에 놓이는 관계로 다수의 제2 금속 전극을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 밀봉된 캐비티를 각각 가진 다수의 박막 압전 공진기의 조립 방법.A method of assembling a plurality of thin film piezoelectric resonators each having a sealed cavity, comprising: providing a first silicon wafer having a plane; forming a plurality of discrete cavities in a plane of the first silicon wafer; Growing a layer of silicon dioxide on a plane of a second silicon wafer to form a plane on a layer of silicon dioxide parallel to the plane of the second silicon wafer; Comprising: wafer bonding a plane of a layer of silicon dioxide to a plane of the first silicon wafer in overlying relation to a plurality of cavities; 2 etching a silicon wafer, and placing each one within an area on each of the cavities Depositing a plurality of piezoelectric films in a relationship one on top of each of the first metal electrodes, depositing a plurality of piezoelectric films in a relationship one on top of each of the piezoelectric films, 2 < / RTI > metal electrodes on the substrate. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
밀봉된 캐비티를 가진 박막 압전 공진기에 있어서, 평면을 가진 기판과, 상기 기판의 평면내에 한정된 캐비티와, 상기 캐비티 위에 놓이는 유전체 재료의 층상에 평면을 형성하기 위해 기판의 평면에 본딩된 상기 유전체 재료의 층과, 상기 캐비티 위에 놓이는 영역내의 상기 재료의 층의 평면상에 위치된 제1전극과, 상기 제1전극상에 위치된 압전막과, 상기 압전막상에 위치된 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 밀봉된 캐비티를 가진 박막 압전 공진기.A thin film piezoelectric resonator having a sealed cavity, comprising: a substrate having a plane; a cavity defined within a plane of the substrate; and a dielectric material bonded to the plane of the substrate to form a plane on a layer of dielectric material overlying the cavity. A first electrode positioned on a plane of the layer of the material in the region overlying the cavity, a piezoelectric film positioned on the first electrode, and a second electrode positioned on the piezoelectric film. The piezoelectric resonator having a sealed cavity.
밀봉된 캐비티를 가진 박막 압전 공진기에 있어서, 평면을 가진 제1기판과, 상기 제1기판의 평면내에 한정된 캐비티와, 유전체 재료의 층의 평면은 상기 제1기판의 평면에 본딩되며, 제2기판의 부분들은 상기 캐비리 위헤 놓이는 유전체 재료의 층상에 제2평면을 형성하기 위해서 제거되는데, 제2기판의 평면과 평행한 유전체 재료의 층상에 평면을 형성하기 위해 제2기판의 평면상에 위치된 유전체 재료의 층과 평면을 가진 제2기판과, 상기 캐비티 위의 영역에서 유전체 재료의 층의 제2평면상에 위치된 제1전극과, 상기 제1전극상에 위치된 압전막과, 상기 압전막상에 위치된 제2전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 밀봉된 캐비티를 가진 박막 압전 공진기.A thin film piezoelectric resonator having a sealed cavity, comprising: a first substrate having a plane; a cavity defined within a plane of the first substrate; and a plane of a layer of dielectric material bonded to a plane of the first substrate, Portions of the dielectric material are removed to form a second plane on the layer of dielectric material laid down in the cavity, the second portion being located on a plane of the second substrate to form a plane on a layer of dielectric material parallel to the plane of the second substrate A first electrode located on a second plane of the layer of dielectric material in a region above the cavity; a piezoelectric film positioned on the first electrode; And a second electrode positioned on the film. ≪ Desc / Clms Page number 20 >
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: It is disclosed by the contents of the first application.