KR970013562A - 니켈카드뮴 전지의 메모리 효과 보상용 초기방전 제어 회로 - Google Patents
니켈카드뮴 전지의 메모리 효과 보상용 초기방전 제어 회로 Download PDFInfo
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Abstract
이 발명은 니켈카드뮴 전지의 메모리 효과 보상용 초기방전 제어 회로에 관한 것으로, 전지(BAT)의 잔류 용량이 정해진 범위 내에 존재하는지의 여부를 측정하여 그 신호를 출력하는 용량 측정수단(40)과, 상기 용량 측정수단(40)으로부터 출력되는 신호를 입력받아, 전지의 잔류 용량이 정해진 범위 내에 있을 경우에, 전지를 방전시켜 잔류 용량을 정해진 범위 이하로 만드는 방전수단(50)과, 상기 용량 측정수단(40)으로부터 출력되는 신호를 입력받아, 전지의 잔류 용량이 정해진 범위 이하로 되었을 경우에, 전지가 방전되었다는 신호를 출력하는 방전신호 출력수단(60)으로 이루어져 있으며, 니켈카드뮴 전지를 재출전하는 데에 있어서, 재충전하기 전에 전지의 초기 상태를 확인하여 전지의 완전 방전 이후에 충전이 개시되도록 하고, 잔류 용량이 많을 경우, 이를 사용자에게 알려주고 충전을 하지 않음으로써 재사용하도록 하여 전지의 수명을 증대시키는 니켈카드뮴 전지의 메모리 효과 보상용 초기방전 제어 회로에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명의 실시예에 따른 니켈카드뮴 전지의 메모리 효과 보상용 초기방전 제어 회로를 적용한 회로도이고,
제2도는 전지의 잔류 용량이 정해진 범위 내에 있을 때의 제1도의 파형도이고,
제3도는 전지의 잔류 용량이 정해진 범위 밖에 있을 때의 제1도의 파형도이다.
Claims (13)
- 전지(BAT)의 잔류 용량이 정해진 범위 내에 존재하는지의 여부를 측정하여 그 신호를 출력하는 용량 측정수단(40)과; 상기 용량 측정수단(40)으로부터 출력되는 신호를 입력받아, 전지의 잔류 용량이 정해진 범위 내에 있을 경우에, 전지를 방전시켜 잔류 용량을 정해진 범위 이하로 만드는 방전수단(50)과; 상기 용량 측정수단(40)으로부터 출력되는 신호를 입력받아, 전지의 잔류 용량이 정해진 범위 이하로 되었을 경우에, 전지가 방전되었다는 신호를 출력하는 방전신호 출력수단(60)으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 니켈카드뮴 전지의 메모리 효과 보상용 초기방전 제어 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 용량 측정수단(40)의 구성은, 상기 전지(BAT)의 출력전압과 상한 기준전압(Vrefl)의 값을 비교하여 그에 따른 신호를 출력하는 상한비교수단(COMP41)과; 상기 전지(BAT)의 출력전압과 하한 기준전압(Vref2)의 값을 비교하여 그에 따른 신호를 출력하는 하한비교수단(COMP42)과; 상기 상한비교수단(COMP41)의 출력신호와 하한비교수단(COMP42)의 출력신호를 입력받아 그에 따른 신호를 출력하는 논리곱수단(AND41)으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 니켈카드뮴 전지의 메모리 효과 보상용 초기방전 제어 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 방전수단(50)의 구성은, 상기 용량 측정수단(40)으로부터 출력되는 신호가 전지의 잔류 용량이 정해진 범위 내에 있다는 신호일 때, 주기적인 신호를 발생시켜 출력하는 펄스 발생수단(AND51)과; 상기 펄스 발생수단으로부터 출력되는 신호에 따라 온되어 상기 전지(BAT)의 잔류 용량을 방전시키는 트랜지스터(Q51)로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 니켈카드뮴 전지의 메모리 효과 보상용 초기방전 제어 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 방전신호 출력수단(60)의 구성은, 상기 용량 측정수단(40)으로부터 출력되는 신호가 하이에서 로우로 변환되면, 그 후에 입력의 변화가 있더라도 하이의 신호를 계속 출력하여 상기 방전부(50)의 앤드(AND51)의 제3입력단자로 반전 입력하는 제1래치(LTH61)와; 상기 제1래치(LTH61)로부터 출력되는 신호가 하이일 때 상기 전지(BAT)를 충전시켜도 된다는 지속적인 하이의 신호를 출력하는 제2래치(LTH62)로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 니켈카드뮴 전지의 메모리 효과 보상용 초기방전 제어 회로.
- 제4항에 있어서, 상기 제1래치(LTH61)의 구성은, 상기 용량 측정수단(40)의 앤드(AND41)의 출력단자가 제1입력단자로 연결되어 있는 난드(NAND61)와, 상기 난드(NAND61)의 출력단자가 입력단자로 연결되고 출력단자가 상기 난드(NAND61)의 제2입력단자로 연결되어 있는 인버터(INV61)와, 상기 난드(NAND61)의 출력단자가 일측단자로 연결되고 타측단자가 접지되어 있는 저항(R61)으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 니켈카드뮴 전지의 메모리 효과 보상용 초기방전 제어 회로.
- 제4항에 있어서, 상기 제2래치(LTH62)의 구성은, 상기 제1래치(LTH61)의 난드(NAND61)의 출력단자가 클럭 단자로 연결되고 구동전원(VCC)이 입력단자로 연결되어 있는 디플립플롭(D-flip-flop)으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 니켈카드뮴 전지의 메모리 효과 보상용 초기방전 제어 회로.
- 제4항에 있어서, 상기 방전신호 출력수단(60)의 구성은, 상기 제2래치(LTH62)의 출력신호가 제1입력단자로 입력되고 상기 용량 측정부(40)의 하한비교기(COMP42)의 출력신호가 제2입력단자로 반전되어 입력되는 오어(OR63)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈카드뮴 전지의 메모리 효과 보상용 초기방전 제어 회로.
- 제1항에 있어서,상기 용량 측정수단(40)과 방전신호 출력수단(60)으로부터 출력되는 신호에 따라 전지의 잔류 용량이 정해진 범위 밖으로 남아 있을 경우, 사용자에게 그 사실을 알리는 충전 알림수단(70)을 더 포함하여 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 니켈카드뮴 전지의 메모리 효과 보상용 초기방전 제어 회로.
- 제8항에 있어서, 상기 충전 알림수단(70)의 구성은, 상기 용량 측정수단(40)의 앤드(AND41)의 출력단자가 제1입력단자로 연결되고 상기 방전신호 출력수단(60)의 제1래치(LTH61)의 난드(NAND61)의 출력단자가 제2입력단자로 반전되어 입력되고 제2래치(LTH62)의 출력단자가 제3입력단자로 반전되어 입력되고 상기 용량 측정수단(40)의 하한비교기(COMP42)의 출력단자가 제4입력단자로 입력되는 앤드(AND71)와, 상기 앤드(AND71)로부터 하이가 출력되면 그에 따라 표시됨으로써 사용자가 인지할 수 있도록 하는 알림장치(DPY71)로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 니켈카드뮴 전지의 메모리 효과 보상용 초기방전 제어 회로.
- 제9항에 있어서, 상기 알림장치(DPY70)의 구성은, 발광 다이오드로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 니켈카드뮴 전지의 메모리 효과 보상용 초기방전 제어 회로.
- 제9항에 있어서, 상기 알림장치(DPY71)의 구성은, 스피커로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 니켈카드뮴 전지의 메모리 효과 보상용 초기방전 제어 회로.
- 충전하라는 제어신호가 입력되면 인가되는 공급전원(Vs)을 이용하여 장착되어 있는 전지(BAT)를 충전하는 충전수단(10)과; 전지의 정착 상태를 검출하여 신호로 출력하는 전지상태 검출수단(20)과; 상기 전지(BAT)의 잔류 용량이 전해진 범위 내에 존재하는지의 여부를 측정하여 그 신호를 출력하는 용량 측정수단(40)과; 상기 용량 측정수단(40)으로부터 출력되는 신호를 입력받아, 전지의 잔류 용량이 정해진 범위 내에 있을 경우에, 전지를 방전시켜 잔류 용량을 정해진 범위 이하로 만드는 방전수단(50)과; 상기 용량 측정수단(40)으로부터 출력되는 신호를 입력받아, 전지의 잔류용량이 정해진 범위 이하로 되었을 경우에, 전지가 방전되었다는 신호를 출력하는 방전신호 출력수단(60)과; 상기 전지상태 검출수단(20)과 방전신호 출력수단(60)으로부터 출력되는 신호의 여부에 따라 상기 충전수단(10)으로 전지를 충전하는 제어신호를 출력하는 충전제어수단(30)으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 니켈카드뮴 전지 충전회로
- 제12항에 있어서, 상기 용량 측정수단(40)과 방전신호 출력수단(60)으로부터 출력되는 신호에 따라 전지의 잔류 용량이 정해진 범위 밖으로 남아 있는 경우, 사용자에게 그 사실을 알리는 충전 알림수단(70)을 더 포함하여 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 니켈카드뮴 전지 충전회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR1019950026874A KR0163886B1 (ko) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | 니켈카드뮴 전지의 메모리 효과 보상용 초기방전 제어회로 |
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KR1019950026874A KR0163886B1 (ko) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | 니켈카드뮴 전지의 메모리 효과 보상용 초기방전 제어회로 |
Publications (2)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20010091599A (ko) * | 2000-03-16 | 2001-10-23 | 송재인 | 충/방전 회로 |
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1995
- 1995-08-28 KR KR1019950026874A patent/KR0163886B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20010091599A (ko) * | 2000-03-16 | 2001-10-23 | 송재인 | 충/방전 회로 |
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