KR970003140Y1

KR970003140Y1 - Sram을 이용한 rom시뮬레이터

Info

Publication number: KR970003140Y1
Application number: KR2019910009619U
Authority: KR
Inventors: 황영복
Original assignee: 엘지전자 주식회사; 구자홍
Priority date: 1991-06-26
Filing date: 1991-06-26
Publication date: 1997-04-12
Also published as: KR930001328U

Abstract

내용없음.

Description

SRAM을 이용한 ROM시뮬레이터

제1도는 본 고안 ROM시뮬레이터 회로도.

제2도는 SRAM과 EPROM의 모드 제어신호 도표.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 전원백업회로 2 : 전원스위칭부

3 : 모드변환 로직부 4 : 백업 스위칭부

5 : SRAM 6 : ROM커넥터

7 : RAM커넥터

본 고안은 SRAM을 이용한 ROM 시뮬레이터에 관한 것으로, 특히 SRAM이 ROM과 같이 동작하고 ROM 과 호환되며 ROM과 RAM의 두가지 모드로 수위칭되도록하여 프로그램 저장기구를 사용하는데 적당하도록 한 것이다.

종래의 ROM시뮬레이션을 위한 장치로 ROM 에뮬레이터를 사용하고 있으나 이는 펄스널 컴퓨터상에서 데이터를 다운로드할 수 있다는 장점은 있지만 부피가 크고 고가이며 이용하는 대상을 개발하는데 어려움이 수반되고 또한 자외선을 사용하여 일련의 입력 및 소거작업을 수행하는데 따른 장시간 소요와 작업상의 비효율성이 초래되는 문제점이 있었다.

본 고안은 이와같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 RAM의 핀배치를 ROM과 호환할 수 있도록 일치시키고 메모리 데이터 보존을 위한 전원백업회로와, SRAM 및 ROM의 모드변환 로직을 구비하여 소형이고 저가이며 ROM을 입력 및 소거하는데 다른 시간과 작업상의 효율을 높일 수 있도록 한 SRAM을 이용한 ROM 시뮬레이터를 제공하는데 그 목적이 있는 것으로 첨부된 도면에 의하여 본 고안의 구성을 설명하면 다음과 같다.

본 고안 ROM시뮬레이터는 제1도에 도시된 바와같이, 4, 5볼트 전지(101)와 전류제한 저항(R1, R2) 및 정전압용 제너다이오드(D0)와 역전류 방지용 다이오드(D1) 및 콘덴서(C1)로 구성되어 SRAM(5)의 데이터 보존을 위한 충전기능을 갖는 전원 백업회로(1)와, 입력전압 분배저항(R3, R4)과 기준전압 설정저항(R5, R6) 및 전원전압 비교기(201)와 비교기(201)출력에 따라 전원(Vcc)을 스위칭하여 모드변환 로직부(3)에 공급하는 스위칭수단(202)과 저항(R7, R10)으로 구성되어 ROM커넥터(6)측의 전원(WVPP)이 기준전압을 초과하면 5V전원이 출력되므로 스위칭하는 전원스위칭부(2)와, 슈미트 트리거 인버터(301내지306)와 노아게이트(307, 308, 310, 311) 및 익스크루시브 오아게이트(309)로 구성되어 EPROM의 라이트 모드시 SRAM(5)의 라이트 신호(SWRITE :=로우,=로우)가 SWRITE=*VPP가 되고 EPROM의 검증(Verify)모드시 SARM(5)의 리드신호(SREAD :=로우,=로우,=하이)가 SPEAD=WCE**VPP가 되도록 구성한 모드변환 로직부(3)와, 전원(Vcc)인가 여부에 따라 스위칭되는 스위칭수단(401)과 저항(R8,R9)으로 구성되어 SRAM(5)의 데이터 리드후 데이터를 장시간 보존하기 위하여 전원백업회로(1)의 전지(101)로부터 SRAM(5)의 칩인에이블 신호()를 하이로 유지시키는 백업 스위칭부(4)와, 상기 모드변환 로직부(3) 및 백업스위칭부(4)의 전환스위치(SW1내지 SW4)와, ROM 시뮬제이션을 위한 SRAM(5)과, SRAM(5)의 어드레스단(A0 내지 A14) 및 데이터단(D0 내지 D7)이 연결된 ROM커넥터(6)와 RAM 커넥터(7)를 구비하여 구성된 것이다.

이와같이 구성된 본 고안의 작용효과는 제2도에서와 같이, SRAM(5) 모드에서는 전환스위치(SW1-SW3)를 각각 어드레스(A14), 칩인에이블(WCE), 출력 인에이블(WOE)측으로 전환하고, ROM모드에서는 각각 모드변환 로직부(3)측으로 전환하며, SRAM(5)과 EPROM의 제어신호,,, VPP)는 서로 상이하므로 상호 호환을 위한 로직이 전제된다.

이 경우에 SRAM(5)모드만을 고려하면 1:1 대응이 가능하므로 RAM커넥터(7)와 SRAM(5)의 제어신호단(WE, CE, OE)이 1:1 대응되도록 한다.

그러나 ROM모드의 경우에는 검증모드와 라이트 모드에서 전원단자(WVPP)에 12.5볼트 내지 24볼트가 인가되므로 ROM의 검증모드와 라이트 모드를 SRAM(5)에 적합하도록 하는 모드변환이 필요하다.

예를들면 제2도에서 EPROM의 라이트 모드(WRITE MODE)시에 칩인에이블신호()는 로우, 출력인에이블신호()는 하이, 전원 VPP=VPP인 경우에만 SRAM(5)의 칩인에이블시호() 및 라이트 인에이블신호()가 로우가 되어야 하고, EPROM의 검증모드시에 칩인에이블신호()는 하이, 출력 인에이블신호()로우, 전원 VPP=VPP인 경우에만 SRAM(5)의 칩인에이블신호()=로우, 출력 인에이블신호(), 라이트 인에이블신호()는 하이가 되어야 한다.

이와같은 모드변환 동작은 모드변환 로직부(3)에 의하여 수행된다.

즉, 제1도에서 모드변환 로직부(3)는 슈미트 트리거 인버터(301)의 입력단에 가해지는 출력 인에이블신호()와 노아게이트(307)의 일측 입력단에 가해지는 칩인에이블신호() 및 슈미트 트리거 인버터(302)입력단에 가해지는 전원(VPP)에 대하여 슈미트 트리거 인버터(304)출력단에서 출력되는 라이트 인에이블신호()는=*WOE*VPP로 이루어지므로 EPROM의 라이트 모드에서 칩인에이블 신호()가 로우이고 출력 인에이블신호()가 하이이며 VPP=VPP일때만 SRAM(5)의 출력 인에이블신호()가 로우로 된다.

또한 모드변환 로직부(3)는 익스크루시브 오아게이트(309)에서 출력되는 신호와 노아게이트(310)에서 출력되는 칩인에이블신호()와 노아게이트(311)에서 출력되는 출력 인에이블신호()에 대하여 SRAM(5) 리드모드의 제어신호(SREAD :,,)는 SPEAD=WCE**VPP로 이루어지므로 EPROM의 검증모드에서 칩인에이블신호()는 하이, 출력 인에이블신호()는 로우, VPP=VPP일때만 SRAM(5)의 칩인에이블신호()는 로우, 출력 인에이블신호()는 로우, 라이트 인에이블신호()는 하이상태가 되며 이에따라 리드모드로 동작하게 된다.

한편, 슈미트 트리거 인버터(302)에 가해지는 전원(VPP)는 전원스위칭부(2)에 의하여 스위칭 전환된다.

즉, ROM 커넥터(6)측의 전원단(WVPP)으로부터 공급되는 전원전압이 저항(R3, R4)으로 분배되어 비교기(201)의 비반전입력단(＋)에 입력되고 저항(R5, R6)에 의하여 비교기(201)의 반전입력단(－)에 입력되는 기준전압과 비교되어 기준전압을 초과하면 비교기(201)출력단에서 하이신호가 출력된다.

이 하이신호가 스위칭수단(202)의 제어신호로 공급됨에 따라 스위칭수단(202)이온되어 전원(Vcc)5볼트 전압(VPP)이 슈미트 트리거 인버터(302)에 공급되는 것이다.

그리고 SRAM(5)이 데이터를 리드한 후 데이터를 자전력으로 장시간 보존해야 되므로 SRAM(5)의 칩인에이블신호(=)를 하이로 유지시킨다.

어신호로 하이(Vcc)전압이 인가됨에 따라 수위칭수단(401)이 온되어 전환스위치(SW4)를 온시켜두면 SRAM(5)의 칩인에이블 신호단에 로우신호()가 인가되므로 인에이블 상태가 되고, 메인전원(Vcc)오프시에는 수위칭수단(401)이 오프되어 전지(101)로부터 4.5볼트(하이)전압이 칩인에이블 신호단에 인가되므로 칩인에이블 신호()가 하이가 되어 제2도에서와 같이 SRAM(5)은 스탠바이(STAND BY)상태로 장기간 저전류로 데이터를 보존하게 된다.

이상에서 설명한 바와같이 본 고안에 의하면 ROM을 대신하여 프로세서의 메모리용으로 채용 가능하고 ROM을 소거 및 재입력시키는데 소요되는 시간낭비와 작업손실을 줄일 수 있으며 이에 따른 기기의 성능 향상을 도모할 수 있는 효과가 있다.

Claims

(정정)ROM시뮬레이션을 위한 데이터가 리드/라이트되는 SRAM(5)과, 상기 SRAM(5)의 데이터 보존을 위한 충전기능을 갖는 전원백업회로(1)와, ROM커넥터(6)측의 전원전압(WVPP)을 설정된 기준전압과 비교하여 기준전압을 초과하면 5볼트 전원이 출력되어 모드변환 로직부(3)에 공급되도록 전원(Vcc)을 스위칭하는 전원스위칭부(2)와, EPROM의 라이트 모드시와 검증모드시 SRAM(5)의 리드/라이트 인에이블 신호를 발생시켜 모드변환 동작을 수행하는 모드변환 로직부(3)와, 상기 SRAM(5)의 데이터 리드후 데이터를 장시간 보존하기 위하여 전원백업회로(1)의 전지(101)로부터 SRAM(5)의 칩인에이블신호()를 하이로 유지시켜 SRAM(5)을 스탠바이 상태로 만들어주는 백업스위칭부(4)와, 상기SRAM(5)의 어드레스단(A0 내지 A14) 및 데이터단(D0 내지 D7)이 연결된 ROM 커넥터(6)와 RAM커텍터(7)를 구비하여 구성된 SRAM을 이용한 ROM시뮬레이터.
(신설)제1항에 있어서, 상기 전원스위칭부(2)는 입력전원(WVPP)을 분압하는 저항(R3)(R4)과, 기준 전압을 설정하는 저항(R5)(R6)과, 상기 분압된 전압을 기준전압과 비교하는 비교기(201)와, 상기 비교기(201)의 출력에 의하여 온/오프되어 전원(Vcc)을 공급/차단하는 스위칭 수단(202)으로 구성된 SRAM을 이용한 ROM시뮬레이터.
(신설)제1항에 있어서, 상기 모드변환 로직부(3)는, SWRITE(*)=*WOE*VPP, SREAD(**)=**VPP(단, SWRITE=SRAM(5)라이트신호, SREAD=SRAM(5)리드신호)의 로직으로 구성된 SRAM을 이용한 ROM 시뮬레이터.