KR970002321A - 반도체식 가속도 검출장치 - Google Patents

반도체식 가속도 검출장치 Download PDF

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KR970002321A
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김우정
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정몽원
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    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
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    • G01P15/12—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
    • G01P15/123—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance by piezo-resistive elements, e.g. semiconductor strain gauges

Abstract

본 발명은 제조공정을 단순화하면서도 측정하고자 하는 가속도방향이외의 방향에 대한 감도를 감소시킬 수 있도록 한 반도체식 가속도 검출장치에 관한 것이다. 본 발명의 반도체식 가속도 검출장치는 반도체기판(10), 가속도를 힘으로 변환하기 위한 사각형상의 질량부(20), 질량부(20)의 각각의 모서리를 지지하는 빔(30), 각 빔(30)의 가장자리에 형성되어 각빔(30)에 인가되는 응력을 저항값으로 변환하는 압저항체(R13-R16) 및 반도체기판(10)의 적소에 형성되며 소정의 저항값을 가지는 두개의 고정저항기를 구비하며, 대각선으로 대향하는 압저항체(R13,R16;R14,R15)를 직렬로 연결한 후에 대각선으로 대향하게 하고 각 고정저항기(2R;2R)를 대각선으로 대향하도록 각 직렬연결된 압저항체쌍(R13,R16;R14,R15)에 연결하여 하프브릿지(Half Bridge)회로를 구성하고 각 압저항제쌍(R13,R16;R14,R15) 및 각 고정저항기(2R;2R)의 접속점에서출력(V1,V2)을 인출하도록 한 것을 특징으로 한다.

Description

반도체식 가속도 검출장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 반도체식 가속도 검출장치의 평면도, 제6도는 제1도에서 I-I선을 취하여 본 단면도, 제7도는 제5도에 도시한 반도체식 가속도 검출장치의 등가회로도이다.

Claims (2)

  1. 반도체기판(10), 가속도를 힘으로 변환하기 위한 사각형상의 질량부(20), 질량부(20)의 각각의 모서리를 지지하는 빔(30), 각 빔(30)의 가장자리에 형성되어 각 빔(30)에 인가되는 응력을 저항값으로 변환하는 압저항체(R13-R16) 및 반도체기판(10)의 적소에 형성되며 소정의 저항값을 가지는 두개의 고정 저항기를 구비하며, 대각선으로 대향하는 압저항체(R13,R16;R14,R15)를 직렬로 연결한 후에 대각선으로 대향하게 하는 각 고정저항기(2R;2R)를 대각선으로 대향하도록 각 직렬연결된 압저항체쌍(R13,R16;R14,R15)에 연결하여 하프브릿지(Half Bridge)회로를 구성하고 각 압저항체쌍(R13,R16;R14,R15) 및 각 고정저항기(2R;2R0의 접속점에서 출력(V1,V2)을 인출하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체식 가속도 검출장치.
  2. 제1항에 있어서, 각 압저항체(R13-R16)는 인장응력에 대하여 저항값이 증가하는 수평압저항체로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체식 가속도 검출장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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