KR960034485A - 기재상에 스피넬 구조 물질을 포함하는 제품 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 스피넬 구조의 금속 산화물, 전형적으로 페라이트의 층을 포함하는 제품을 제조하는 방법 및 이 방법에 의해 제조된 제품에 관한 것이다. 형판층(12)을 종래의 기재 본체(11)(예 : SrTiO3, 입방형 지르코니아, Si)에 부착시키고, 페라이트를 아니일링시킨 형판에 부착시키는 경우 탁월한 결정성 및 자성을 갖는 페라이트 필름(13)을 고온(500℃보다 높음)공정이 없이도 수득할 수 있다. 형판은 0.79 내지 0.89nm, 바람직하게는 약 0.015nm 이내의 격자 상수를 갖는 스피넬 구조의 금속 산화물이다. 예를 들면, NiFe2O4필름을 400℃에서 (100)SrTiO3에 부착된 CoCr2O4형판에 부착하였다. 4000 Oe에서의 페라이트의 자화도는 유사하게 부착된 대조용 페라이트 필름(SrTiO3상의 NiFe2O4)의 자화도의 2배보다 높았고 1000℃에서 아니일링된 SrTiO상의 NiFe2O4필름의 자화도에 필적할만하였다. 고온 처리 없이 우수한 자성을 갖는 페라이트를 제조하는 능력으로 인해, 비교적 고주파수(예를 들면 10MHZ보다 높음) 및 약 100NHz에서도 작동시킬 수 있게 고안된 Si 칩상의 온-보드(on-board) 자성 부품(예 : 유도기)의 제조가 가능해진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (10)
- a) 기재를 제공하고; b) 격자 상수 a를 갖는 제1산화물을 포함하는 제1산화물 층을 기재상에 부착시킴을 포함하는, 기재상에 제1스피넬-구조(spinel-structure)의 금속 산화물 층을 포함하는 제품을 제조하는 방법에 있어서, 상기 a) 단계가 i) 격자 상수 as및 주표면을 갖는 기재 본체 (11)을 제공하고, ii) 0.79 내지 0.89nm의 격자 상수 at를 갖도록 선택된 제2스피넬-구조의 금속 산화물 층인 형판층 (12)를 주표면상에 부착시킴을 포함하고; 상기 b)단계가 500℃이하의 온도에서 상기 제1산화물 층(13)을 상기 형판층상에 부착시키고, 상기 제1산화물 층을 500℃보다 높은 오도로 가열하지 않고 제품을 완성시킴을 포함함을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 형판층을 af와 at의 차의 절대값이 0.015nm 이하가 되도록 선택하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기재 본체와 형판층을 as에 2를 곱한 값과 at와 af의 차의 절대값보다 크도록 선택하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기재본체가 SrTiO3, 입방형 지르코니아, Si, MgAl2O4, MgAlGaO4, MgO 및 Al2O3로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 형판층이 CoCr2O4및 NiMn2O4로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1산화물 층이 MnxZnyFe2O4, CoFe2O4및 Nix'Fey'Crz'로 구성된 그룹으로부터 선택된 층을 포함하고, 상기 x가 0.15보다 크고 0.75 미만이고, 상기 y가 0이상이고 0.6미만이고, 상기 z가 1.5 보다 크고 2.5이하이고, 상기 x,y 및 z의 합이 3이고, 상기 x′가 0.5보다 크고 1.5미만이고, 상기 y′가 0.5보다 크고 1.5미만이고, 상기 z′가 0.5보다 크고 1.5미만이고, 상기 x′,y′ 및 z′의 합이 3인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1산화물 층이 2개 이상의 금속 산화물 층을 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1산화물 층이 하나 이상의 페라이트(ferrite)층을 포함하고, 상기 방법이 상기 페라이트 층상에 패턴화된 유도자를 형성시킴을 추가로 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1금속 산화물 층이 페라이트 층을 포함하고, 상기 형판층이 비페라이트 금속 산화물 층을 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1금속 산화물 층과 형판층 모두가 페라이트 층인 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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US5549977A (en) * | 1993-11-18 | 1996-08-27 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising magnetoresistive material |
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