Claims (7)
반도체 소자의 전하저장 전극 형성방법에 있어서, 웨이퍼 상부에 소정 구조의 제1전도층 및 제1절연층을 형성한 후, 전체구조 상부에 제2전도층을 형성하는 단계; 상기 제2전도층 상부에 제2절연층을 형성한 후, 예정된 부위를 제거하고, 이어 전체구조 상부에 제3전도층을 형성하는 단계; 상기 제3전도층 및 제2절연층의 예정된 부의를 차례로 제거하는 단계; 상기 제2전도층을 제거하되, 제2전도층의 상부 표면이 일부 노출되도록 제거하는 단계; 상기 제3전도층 및 제2절연층의 측벽에 제3절연층을 형성한 후, 상기 제3절연층의 측면에 스페이서 형태의 제4전도층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성방법.A method for forming a charge storage electrode of a semiconductor device, comprising: forming a first conductive layer and a first insulating layer having a predetermined structure on a wafer, and then forming a second conductive layer on the entire structure; Forming a second insulating layer on the second conductive layer, removing a predetermined portion, and then forming a third conductive layer on the entire structure; Sequentially removing predetermined negatives of the third conductive layer and the second insulating layer; Removing the second conductive layer, but removing the second conductive layer so that the upper surface of the second conductive layer is partially exposed; And forming a third insulating layer on sidewalls of the third conductive layer and the second insulating layer, and then forming a fourth conductive layer in the form of a spacer on the side of the third insulating layer. Method for forming a charge storage electrode of.
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제4전도층은, 도핑된 비정질 실리콘으로 형성되고, 상기 제2 및 제3전도층은, 비도핑된 비정질 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성방법.The charge of a semiconductor device according to claim 1, wherein the first and fourth conductive layers are formed of doped amorphous silicon, and the second and third conductive layers are formed of undoped amorphous silicon. Storage electrode formation method.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제4전도층 형성후, 상기 제1 내지 제4전도층을 소정 시간동안 열처리한 후, 상기 제2 및 제3절연층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성방법.3. The method of claim 1, further comprising, after forming the fourth conductive layer, heat treating the first to fourth conductive layers for a predetermined time, and then removing the second and third insulating layers. Method for forming a charge storage electrode of a semiconductor device, characterized in that.
제3항에 있어서, 상기 제2 및 제3절연층 제거후, 상기 제1 내지 제4전도층을 결정화 (Crystallize)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성방법.4. The method of claim 3, further comprising crystallizing the first to fourth conductive layers after removing the second and third insulating layers.
제3항에 있어서, 상기 열처리는, 600 내지 650℃에서 30 내지 60분간을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성방법.The method of claim 3, wherein the heat treatment is performed at 600 to 650 ° C. for 30 to 60 minutes.
제3항에 있어서, 상기 제2 및 제3절연층은, BOE(Buffered Oxide Etchant)나 HF 습식식각 용액을 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성방법.The method of claim 3, wherein the second and third insulating layers are removed using a buffered oxide etchant (BOE) or an HF wet etching solution.
제1항에 있어서, 상기 제2절연층 내지 제4전도층을 형성하는 단계를 적어도 한번 더 수행하되, 이때, 형성되는 절연층 및 전도층이 상기 제3전도층을 벗어나지 않도록 그 크기를 축소시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장 전극 형성방법.The method of claim 1, wherein the forming of the second to fourth conductive layers is performed at least once more, wherein the size of the insulating layer and the conductive layer is reduced so as not to leave the third conductive layer. A method of forming a charge storage electrode of a semiconductor device, further comprising the step.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.