KR960026488A - 접촉식 고속가열/냉각 다이본더 - Google Patents

접촉식 고속가열/냉각 다이본더 Download PDF

Info

Publication number
KR960026488A
KR960026488A KR1019940033904A KR19940033904A KR960026488A KR 960026488 A KR960026488 A KR 960026488A KR 1019940033904 A KR1019940033904 A KR 1019940033904A KR 19940033904 A KR19940033904 A KR 19940033904A KR 960026488 A KR960026488 A KR 960026488A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
contact
die bonder
cooling die
heat
main body
Prior art date
Application number
KR1019940033904A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0137570B1 (ko
Inventor
강승구
송민규
황남
이희태
박승교
김동구
Original Assignee
양승택
재단법인 한국전자통신연구소
조백제
한국전기통신공사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 양승택, 재단법인 한국전자통신연구소, 조백제, 한국전기통신공사 filed Critical 양승택
Priority to KR1019940033904A priority Critical patent/KR0137570B1/ko
Publication of KR960026488A publication Critical patent/KR960026488A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0137570B1 publication Critical patent/KR0137570B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로 더욱 구체적으로는 반도체 소자와 패키지를 결합시키는 접촉식 고속가열/냉각 다이본더에 관한 것으로 본딩 플레이트가 매우 빠른 온도상승/하강 시간을 갖도록 하기 위하여 본 발명에서는 다이본딩을수행할 윗판인 본딩 플레이트는 열장고 및 본체와 차단되도록 하고 가운데 부분에는 진공으로 기판을 잡을 수 있도록 작은 구멍이 형성되어 있고 가장자리에는 다이본딩 후 재빨리 식힐 수 있고 본딩공정중에 포오밍가스(질소와 수소의 혼합가스)를 흘려줄 수 있도록 가스선과 연결된 구멍이 형성되어 있으며 또한 본체 내부에는 히터, 열전쌍, 그리고 온도 콘트롤러에 의해서 항상 일정한 온도를 유지할 수 있도록 한 열저장고가 구비되며, 열저장고(18)를 상승 하강시켜주는 작동부재는 정확한 수직 운동이 이루어지도록 안내기능을 하는 상하운동 가이딩기둥과 접촉용스프링 및 외부에 노출되어 직접 작동시키는 열장고 착/탈용 스위치로 구성됨을 특징으로 한다.

Description

접촉식 고속가열/냉각 다이본더
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명이 적용된 접촉식 고속가열/냉각 다이본더의 사시도, 제2도는 본 발명이 적용된 접촉식 고속가열/냉각 다이본더의 내부구조 단면도.

Claims (3)

  1. 내부에 히터(7), 열전쌍(8)을 구비하고 상·하 이동가능 하도록 본체(19)내에 설치 구성된 열저장고(18)와; 상기 본체(19)와는 단열재(17)에 의해 결합되며 중앙부에 샘플홀딩용 구멍(6)이 형성된 본딩 프레이트(16)와; 상기 본체(19) 내부의 열저장고(18)와 본딩플레이트(16)를 접촉/이탈 시켜주는 작동부재로 구성됨을 특징으로 하는 접촉식 고속가열/냉각 다이본더.
  2. 제1항에 있어서, 열저장고(18)는 외부의 온도조절기(9)에 의하여 항상 일정한 온도를 유지되도록 하며, 상기 본딩플레이트(16)와의 접촉시자신의 온도변화가 없도록 상대적으로 크게 형성하여 열용량(heat mass)이 매우 크도록 함을 특징으로 하는 접촉식 고속가열/냉각 다이본더.
  3. 제1항에 있어서, 열저장고(18)를 상승 하강시켜주는 작동부재는 정확한 수직운동이 이루어 지도록 안내기능을 하는 상하운동 가이딩기둥(14)와 접촉용 스프링(13) 및 외부에 노출되어 직접 작동시키는 열장고 착/탈용 스위치(15)로 구성됨을 특징으로 하는 접촉식 고속가열/냉각 다이본더.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940033904A 1994-12-13 1994-12-13 접촉식 고속가열/냉각 다이본더 KR0137570B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940033904A KR0137570B1 (ko) 1994-12-13 1994-12-13 접촉식 고속가열/냉각 다이본더

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940033904A KR0137570B1 (ko) 1994-12-13 1994-12-13 접촉식 고속가열/냉각 다이본더

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960026488A true KR960026488A (ko) 1996-07-22
KR0137570B1 KR0137570B1 (ko) 1998-06-01

Family

ID=19401186

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940033904A KR0137570B1 (ko) 1994-12-13 1994-12-13 접촉식 고속가열/냉각 다이본더

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0137570B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100439181B1 (ko) * 2001-12-20 2004-07-05 동부전자 주식회사 스냅 큐어 오븐의 히팅 블록 냉각장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100439181B1 (ko) * 2001-12-20 2004-07-05 동부전자 주식회사 스냅 큐어 오븐의 히팅 블록 냉각장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR0137570B1 (ko) 1998-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940016978A (ko) 프로우브 카드 어셈블리 및 그 제조방법
US3056317A (en) Article manipulating and processing apparatus
CN101099067A (zh) 免受大气湿气影响的热循环仪
JP2606602B2 (ja) 冷却試験装置
WO2001082334A3 (en) Semiconductor handler for rapid testing
EP1576360B1 (en) Nanotube sensor
US4114096A (en) Method of testing semiconductor devices
KR910001946A (ko) 화합물반도체소자의 저항전극 및 그 형성방법
KR960026488A (ko) 접촉식 고속가열/냉각 다이본더
KR960016668A (ko) 냉각유체통과용 내부 도관을 갖는 패키지를 구비한 초소형 전자장치
KR100189595B1 (ko) 스프링 접촉 탐침을 사용한 저온에서의 반도체 파라메터 측정 시스템 및 방법
DE59606949D1 (de) Schalter mit einem temperaturabhängigen Schaltwerk
KR102231320B1 (ko) 무-플럭스 솔더를 기판상에 분배 및 분포하기 위한 장치
KR950012692A (ko) 반도체 패키지 및 모듈과 그 제조 방법
TW237509B (en) Automatic choking device for carburetor
JP3539662B2 (ja) 半導体ウェーハの温度調節プレート
US4359012A (en) Apparatus for producing a semiconductor device utlizing successive liquid growth
JPH11344527A (ja) 高温ハンドラの測定機構
US4001802A (en) Solid state thermistor switch
Henry et al. Hot-plate alloying for ohmic contacts to GaAs
JPS5735363A (en) Semiconductor device
JPS635541A (ja) 半導体ウエハ測定装置
KR0136578Y1 (ko) 전기식 자동온도조절밸브
JPS61250570A (ja) 半導体装置の冷却方法
KR820000468Y1 (ko) 반도체 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030130

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee