Claims (5)
기판(21)위에 화소전극(24)이 형성되어 있고, 상기 화소전극(24) 위해 소오스/드레인(26)이 적층되어 있고, 상기 소오스/드레인(26) 상부에 n+아몰퍼스 실리콘층(28)이 적층되어 있고, 상기 화소전극(24)과 상기 소오스/드레인(26)과 상기 n+아몰퍼스 실리콘층(28)의 상부에 아몰퍼스 실리콘층(30)이 적층되어 있고, 상기아몰퍼스 실리콘층(30)의 상부에 절연막(32)이 적층되어 있고, 상기 절연막(32)의 상부에 게이트(34)가 형성 되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자.A pixel electrode 24 is formed on the substrate 21, and a source / drain 26 is stacked for the pixel electrode 24, and an n + amorphous silicon layer 28 is disposed on the source / drain 26. And an amorphous silicon layer 30 are stacked on the pixel electrode 24, the source / drain 26, and the n + amorphous silicon layer 28, and the amorphous silicon layer 30 is formed. A thin film transistor liquid crystal display device, characterized in that an insulating film (32) is stacked on top of the gate, and a gate (34) is formed on the insulating film (32).
제1항에 있어서, 상기 소오스/드레인(26)과 상기 게이트(34)의 재료는 알루미늄 또는 알루미늄합금 또는 크롬 또는 크롬합금 또는 몰리브디늄 또는 몰리브디늄합금 또는 탄탈륨 또는 탄탈륨합금을 사용한 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자.The material of the source / drain 26 and the gate 34 is made of aluminum or aluminum alloy or chromium or chromium alloy or molybdenum or molybdinium alloy or tantalum or tantalum alloy. A thin film transistor liquid crystal display device.
제1항에 있어서, 상기 소오스/드레인(26)과 상기 게이트(34)의 재료가 서로 다른 금속으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자.The thin film transistor liquid crystal display device according to claim 1, wherein the source / drain (26) and the gate (34) are made of different metals.
기판(21)위에 화소전극(24)과 소오스/드레인(26)과 n+아몰퍼스 실리콘층(28)을 차례로 적층한 후, 상기 화소전극(24)과 소오스/드레인(26)과 n+아몰퍼스 실리콘(28)층을 동시에 사진식각하여 제1패턴을 형성하는 단계와; 상기 n+아몰퍼스 실리콘층(28) 상부에 아몰퍼스 실리콘층(30)과 절연막(32)과 게이트(34)를 차례로 적층한 후, 동시에 사진식각하여 제2패턴을 형성하는 단계와; 상기 절연막의 상부에 게이트(34)를 적층한 후, 사진식각하여 제3패턴을 형성하는 단계와; 상기 제3패턴 형성 후, 상기 화소전극(24)의 상부에 있는 게이트(34)와 절연막(32)과 아몰퍼스 실리콘층(30)과 n+아몰퍼스 실리콘층(28)을 차례로 식각하여 최종패턴을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 제조방법.The substrate 21 on the pixel electrode 24 and the source / drain 26 and the n + and then sequentially stacking the amorphous silicon layer 28, the pixel electrode 24 and the source / drain 26 and the n + amorphous silicon Simultaneously etching the (28) layers to form a first pattern; Stacking an amorphous silicon layer (30), an insulating layer (32), and a gate (34) on the n + amorphous silicon layer (28) in order, and then simultaneously etching the same to form a second pattern; Stacking a gate 34 on the insulating layer and then etching the photo to form a third pattern; After the third pattern is formed, a final pattern is formed by sequentially etching the gate 34, the insulating layer 32, the amorphous silicon layer 30, and the n + amorphous silicon layer 28 on the pixel electrode 24. Method of manufacturing a thin film transistor liquid crystal display device, characterized in that consisting of a step.
제4항에 있어서, 상기 제1패턴을 형성하는 단계와, 제2패턴을 형성하는 단계와, 제3패턴을 형성하는 단계에 있어서 각각의 단계마다 별도의 마스크를 사용하여 사진식각하고, 상기 최종패턴을 형성하는 단계에 있어서는 별도의 마스크를 사용하지 않고 감광막(PR)을 남긴 상태에서 절연막을 마스크로 하여 사진식각한 후 감광막(PR)을 제거하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 제조방법.The method of claim 4, wherein the forming of the first pattern, the forming of the second pattern, and the forming of the third pattern are performed by photo etching using a separate mask for each step. In the step of forming a pattern, a method of manufacturing a thin film transistor liquid crystal display device, wherein the photoresist film is removed after photolithography using the insulating film as a mask while the photoresist film PR is left without a separate mask. .
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.