KR960019638A - 두 파장의 적외선 레이저 간섭계를 이용한 웨이퍼 온도 측정장치 - Google Patents

두 파장의 적외선 레이저 간섭계를 이용한 웨이퍼 온도 측정장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 뒷면에 두 파장의 적외선을 조사할 때, 웨이퍼의 온도 변화에 따라 수반되는 두께 및 굴절율 변화로 인하여 발생하는 각각의 간섭 프린지(fringe) 위상차를 감지하여 웨이퍼 온도를 측정하는 장치에 관한 것이다.
본 발명은 광원으로서 서로 다른 파장을 갖는 적외선을 각각 방출하는 제1 및 제2적외선 레이저와, 상기 적외선 레이저에서 방출된 적외선들을 웨이퍼가 장착된 진공챔버내로 입사시키기 위해 챔버벽에 형성된 광학창과, 이 광학창을 투과한 레이저빔이 웨이퍼 후면에 입사되도록 레이저 빔의 광경로를 조정하기 위한 프리즘과, 상기 광학창을 통하여 웨이퍼에서 반사된 빔을 반사시키기 위한 플라라이저(polarizer)와, 상기 플라라이저에서 반사된 빔을 파장별로 분리하기 위한 2색(dichroic) 빔 분리경과, 상기 2색빔 분리경을 통하여 분리된 적외선들을 각각 감지하기 위한 적외선 센서, 및 상기 적외선 센서들에서 감지된 각각의 간섭 프린지(fringe) 위상차를 비교하는 위상 비교기(phase comparator)를 구비하여 웨이퍼 전면의 상태와 관계없이 공정중에 in-situ, 비접촉으로 웨이퍼 온도와 아울러 온도의 중,감소 방향을 측정할 수 있다.

Description

두 파장의 적외선 레이저 간섭계를 이용한 웨이퍼 온도 측정장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 반도체 식각장비 내의 웨이퍼 온도측정을 위한 장치의 구성도,
제2도는 온도변화에 따른 두 파장의 위상차 변화를 나타낸 그래프이다.

Claims (2)

  1. 고진공을 유지하는 반도체 식각장비내의 웨이퍼 또는 기판의 온도를 측정하기 위한 웨이퍼 온도 측정장치에 있어서, 광원으로서 서로 다른 파장을 갖는 적외선을 각각 방출하는 제1 및 제2적외선 레이저; 상기 적외선 레이저에서 방출된 적외선들을 웨이퍼가 장착된 진공챔버내로 입사시키기 위해 챔버벽에 형성된 광학창과, 이 광학창을 투과한 레이저빔이 웨이퍼 후면에 입사되도록 레이저 빔의 광경로를 조정하기 위한 프리즘; 상기 광학창을 통하여 웨이퍼에서 반사된 빔을 반사시키기 위한 플라라이저(polarizer); 상기 플라라이저에서 반사된 빔을 파장별로 분리하기 위한 2색(dichroic) 빔 분리경; 상기 2색빔 분리경을 통하여 분리된 적외선들을 각각 감지하기 위한 적외선 센서; 및 상기 적외선 센서들에서 감지된 각각의 간섭 프린지(fringe) 위상차를 비교하는 위상 비교기(phase comparator)를 구비하여 웨이퍼 전면의 상태와 관계없이 공정중에 in-situ, 비접촉으로 웨이퍼 온도와 아울러 온도의 중,감소 방향을 측정할 수 있는 웨이퍼 온도 측정장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2적외선 레이저의 광원으로서 상기 웨이퍼 또는 기판으로 사용된 반도체의 에너지 갭보다 작은 에너지에 해당하는 파장을 갖는 적외선을 사용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 온도 측정장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020029453A (ko) * 2000-10-13 2002-04-19 조길천 비접촉식 반도체 표면 온도 측정장치
KR100475030B1 (ko) * 1998-03-06 2005-04-14 삼성전자주식회사 반도체장치제조용챔버를플라즈마를이용하여세정하는방법
KR100681678B1 (ko) * 2005-07-08 2007-02-09 동부일렉트로닉스 주식회사 공정 챔버 내부의 온도 측정 방법
KR100807678B1 (ko) * 2001-02-27 2008-03-03 에이에스엠엘 유에스, 인크. 레이저의 출력 빔 특성을 최적화하는 방법 및 장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100636016B1 (ko) * 2000-11-06 2006-10-18 삼성전자주식회사 반도체 제조를 위한 기판의 온도를 측정하는 방법 및 장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100475030B1 (ko) * 1998-03-06 2005-04-14 삼성전자주식회사 반도체장치제조용챔버를플라즈마를이용하여세정하는방법
KR20020029453A (ko) * 2000-10-13 2002-04-19 조길천 비접촉식 반도체 표면 온도 측정장치
KR100807678B1 (ko) * 2001-02-27 2008-03-03 에이에스엠엘 유에스, 인크. 레이저의 출력 빔 특성을 최적화하는 방법 및 장치
KR100681678B1 (ko) * 2005-07-08 2007-02-09 동부일렉트로닉스 주식회사 공정 챔버 내부의 온도 측정 방법

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