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본 발명은 반도체 소자 제조 공정중 두께를 초과하여 형성된 층의 식각방법에 관한 것으로, 예정두께를 초과하여 과다증착된 부분을 산화시킨 후, 식각공정을 통해 제거함으로써 수율향상의 효과를 얻을 수 있다.The present invention relates to a method of etching a layer formed in excess of the thickness during the semiconductor device manufacturing process, by oxidizing a portion overdeposited over a predetermined thickness, it is possible to obtain the effect of improving the yield by removing through the etching process.
Description
두께를 초과하여 형성된 층의 식각방법Etching method of layer formed over thickness
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음As this is a public information case, the full text was not included.
Claims (4)
반도체 소자 제조 공정중 두께를 초과하여 형성된 막의 제거방법에 있어서, 예정두께를 초과하여 과다증착된 부분을 산화시킨 후, 식각공정을 통해 제거하는 것을 특징으로 하는 두께를 초과하여 형성된 층의 식각방법.A method of removing a film formed in excess of a thickness during a semiconductor device manufacturing process, comprising: oxidizing a portion that is overdeposited in excess of a predetermined thickness and then removing the film by an etching process.제1항에 있어서, 상기 식각공정은 산화막 제거를 위한 습식식각공정인 것을 특징으로 하는 두께를 초과하여 형성된 층의 식각방법.The method of claim 1, wherein the etching process is a wet etching process for removing an oxide layer.제1항에 있어서, 상기 두께를 초과하여 형성된 층은 폴리실리콘층인 것을 특징으로 하는 두께를 초과하여 형성된 층의 식각방법.The method of claim 1, wherein the layer formed over the thickness is a polysilicon layer.제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 식각제는 불화수소(HF)인 것을 특징으로 하는 두께를 초과하여 형성된 층의 식각방법.The method of claim 2 or 3, wherein the etchant is hydrogen fluoride (HF).※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
KR1019940031596A1994-11-281994-11-28
Etching method of layer formed over thickness
KR960019538A
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