KR960015782B1 - 반도체 장치의 전하저장전극 형성 방법 - Google Patents
반도체 장치의 전하저장전극 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용없음.
Description
제1도는 본 발명의 일실시예에 따른 전하저장전극 형성 공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 다결정실리콘막 2 : 반구형 다결정실리콘막
3 : 질화막 4 : BPSG막
5 : 잔여 BPSG막
본 발명은 선택적 식각과 반구형 다결정실리콘을 이용하여 전하저장전극의 표면적을 크게 하는 반도체 장치의 전하저장전극 형성 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자가 점차 고집적화되어감에 따라 디램(DRAM)셀의 캐패시터가 차지하는 면적이 점차 감소되어 캐패시터 용량이 감소하게 되는데, 이 감소되는 캐패시터의 용량을 증대시키고자 전하저장전극의 표면적을 크게 형성시키는 연구가 활발히 진행되고 있다.
본 발명은 상기 제반 요구 사항에 부응하기 위하여 안출된 것으로써, 전하저장전극의 표면적을 크게 하여 캐패시터 용량을 증대시키는 반도체 장치의 전하저장전극 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 소정의 공정이 완료된 웨이퍼 상에 반도체 장치의 전하저장전극을 형성하는 방법에 있어서, 상기 웨이퍼 상에 다결정실리콘막을 형성하고 상기 다결정실리콘막상에 그 표면이 원형 굴곡을 갖는 반구형 다결정실리콘막을 형성하는 단계 ; 상기 반구형 다결정실리콘막의 표면을 따라 일정 두께로 형성되어 그 표면 역시 원형 굴곡을 갖는 질화막을 형성하고 상기 질화막 상에 평탄화된 BPSG막을 형성하는 단계 ; 상기 질화막의 굴곡의 마루 부위가 노출될 정도로 상기 BPSG막을 에치백하여 잔여 BPSG막이 상기 질화막의 굴곡의 골 부위에 잔류되도록 하는 단계 ; 상기 잔여 BPSG막과의 식각선택비를 이용하여 상기 질화막의 골의 마루부위를 습식식각하는 단계 ; 상기 질화막의 골의 마루부위가 식각되어 노출되는 상기 반구형 다결정실리콘막의 골의 마루부위와 그 하부의 다결정실리콘막의 소정두께를 선택적으로 식각하는 단계 ; 및 잔존하는 상기 잔여 BPSG막 및 질화막을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다.
이하, 첨부된 도면 제1도를 통하여 본 발명의 일실시예를 상세히 설명하면, 제1도에는 본 발명의 일실시예에 따른 전하저장전극 형성 공정도로서, 도면에는 전하저장전극만이 나타나 있고 그 밖의 반도체 장치 구성 요소들은 도시되지 않았으며, 도면부호 '1'은 다결정실리콘막, '2'는 반구형 다결정실리콘막, '3'은 질화막, '4'는 BPSG막, '5'는 잔여 BPSG막을 각각 나타낸다.먼저, 제1도(a)와 같이 다결정실리콘막(1)을 형성하고 상기 다결정실리콘막(1)상에 그 표면이 원형 굴곡을 갖는 반구형 다결정실리콘막(2)을 형성한다. 반구형 다결정실리콘은 HSG(Hemisperical grained silicon)을 일컫는 것으로, HSG는 일반적인 다결정실리콘막 형성과는 그 형성 공정이 다르고, HSG의 그레인 사이즈는 0.2㎛정도로서, 다결정실리콘막의 그레인 크기(수 ㎛)와는 비교되지 않을 정도로 작은 크기를 갖기 때문에 전하저장전극 전도막 재료로써 사용될 경우 큰 표면적을 얻을 수 있다.
이어서, 제1도(b)와 같이 상기 반구형 다결정실리콘막(2) 표면을 따라 일정두께로 형성하여 질화막(3) 역시 굴곡을 가지도록 형성하고, 질화막(3)상에 평탄화된 BPSG막(4)을 형성한다.
이어서, 제1도(c)와 같이 질화막 표면이 노출되기 시작할때까지 BPSG막(4)을 에치백(etch back)하여 BPSG막(4)의 일부인 잔여 BPSG막(5)이 질화막(3)의 굴곡의 골 부위에 잔류되게 한다.
이어서, 제1도(d)와 같이 BPSG막과 질화막간의 식각선택비가 상당히 커서 질화막의 식각이 이루어질때 BPSG막의 손실(loss)은 거의 발생되지 않는 인산 용액에서 습식식각을 실시하여, 굴곡의 마루부분에 존재하는 얇은 BPSG막(5)과 질화막(3)의 일정부분을 차례로 식각한다.
이어서, 제1도(e)와 같이 상기 인산 습식식각에 의해 굴곡의 골에 잔류하는 BPSG막(5)과 잔류 질화막(3)을 식각장벽으로 노출된 반구형 다결정실리콘막(2)과 그 하부의 다결정실리콘막(1) 일부 두께를 차례로 식각한다.
그리고 제1도(f)와 같이 굴곡의 골에 존재하는 상기 잔여 BPSG막(5)과 질화막(3)을 제거하여 최종적으로 원하는 전하저장전극 형상을 완료한다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명은 기존의 증착 기술인 반구형 다결정실리콘막의 곡면 일부와 선택적 식각 방법으로 캐패시터의 전하저장전극의 표면적을 증가시켜 고집적 기억 소자를 용이하게 형성할 수 있는 효과가 있다.
Claims (1)
- 소정의 공정이 완료된 웨이퍼상에 반도체 장치의 전하저장전극을 형성하는 방법에 있어서, 상기 웨이퍼상에 다결정실리콘막과 반구형 다결정실리콘막(HSG)을 차례로 적층하는 단계; 상기 반구형 다결정실리콘막의 표면을 따라 일정두께로 형성되어 그 표면 역시 원형 굴곡을 갖는 질화막을 형성하고 상기 질화막 상에 평탄화된 BPSG막을 형성하는 단계; 상기 질화막의 굴곡의 마루 부위가 노출될 정도로 상기 BPSG막을 에치백하여 잔여 BPSG막이 상기 질화막의 굴곡의 골 부위에 잔류되도록 하는 단계; 상기 잔여 BPSG막과의 식각선택비를 이용하여 상기 질화막의 골의 마루부위를 습식식각하는 단계; 상기 질화막의 골의 마루부위가 식각되어 노출되는 상기 반구형 다결정실리콘막의 골의 마루부위와 그 하부의 다결정실리콘막의 소정 두께를 선택적으로 식각하는 단계; 및 잔존하는 상기 잔여 BPSG막 및 질화막을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 장치의 전하저장전극 형성 방법.
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