KR960009208A - 고체촬상장치 및 그 제조방법 - Google Patents

고체촬상장치 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 p형 반도체기판(21)상에 p형 불순물층(24)과, 입사광에 의해 생성한 신호전하를 축적하는 불순물층(24)내에 형성된 수광부(22)와, 수광부의 과잉전하를 배출하기 위하여, 수광부를 제거한 기판심부에 형성된 n형 드레인부를 구비함으로써 장파장쪽의 갑도특성을 향상시키고 미세화를 용이하게 하는 것을 목적으로 한며, 그 구성에 있어서 전하를 배출하기 위한 n형 매립드레인부(30)가 전송부(25)의 아래쪽에, p형 불순물층(24)을 개재해서 형성되어 있다. 수광부(22)와 전송부(25)와의 사이의 판독쪽은, 임계치전압(vt)을 제어하기 위한 p형 판독제어부(26)에 의해 비판독쪽은 채널스톱퍼(27)에 의해 분리되고 있다. 수광부(22)와 전송부(25)상에는 절연막(28)이 형성되어 있고, 도전형전극(29)에 의해 수광부(22)의 전하를 전송부(25)에 판독시키는 구조가 되고 있다. 암전류방지를 위하여, 수광부(22)와 절연막계면(28)에는 p형매립확산층(23)이 형성되어 있는 것을 특징으로 한 것이다.

Description

고체촬상장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 고체촬상장치에 있어서의 제1실시예의 단면도.

Claims (20)

  1. 반도체기판상에 제1도전형의 불순물층과 입사광에 의해 생성한 신호전하를 축적하는 상기 불순물층내에 형성된 수광부를 적어도 구비한 고체촬상장치에 있어서, 상기 수광부의 과잉전하를 배출하기 위하여, 상기 수광부를 제거한 기판심부에 형성된 제2도전형의 드레인부를 구비한 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수광부가 제2도전형인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  3. 제1항에 있어서, 기판이 p형 반도체기판이고, 또한 수광부가 신호를 생성하고 축적하는 n형 반도체인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  4. 제1항에 있어서, 단면방향에서 보아서 수광부의 옆의 떨어진 위치에 제1도전형불순물층이 존재하고, 상기 제1도전형 불순물층내에 축적된 신호전하를 전송하는 제2도전형 전송부가 존재하고, 상기 전송부의 아래쪽의 위치에 드레인부가 존재하고 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  5. 제1항에 있어서, 수광부와 전송부와의 사이의 판독쪽은 임계치전압(vt)을 제어하기 위한 제1도전형 판독제어부에 의해서 분리되고, 또한 비판독쪽은 채널스톱퍼에 의해서 분리되고 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  6. 제1항에 있어서, 수광부와 전송부상에는 절연막이 형성되고, 도전형전극에 의해 수광부의 전하를 전송부에 판독하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  7. 제1항에 있어서, 수광부와 절연막계면에는 암전류방지를 위한 제1도전형 매립확산층을 구비한 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  8. 제4항에 있어서, 전송부와 드레인부와의 간격이, 적어도 수광부의 과잉전하를 상기 드레인부에서 배출할 수 있고, 또한 상기 전송부와 상기 드레인부와의 사이에서 펀치스루를 일으키지 않는 거리로 한 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  9. 제1항에 있어서, 제1도전형 불순물층에 대한 접합깊이가 수광부의 접합깊이보다도 얕게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  10. 제4항에 있어서, 수광부와 전송부와의 사이에 판독제어부를 구비하고, 상기 수광부와 드레인부와의 사이에는 매립형판독제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  11. 반도체기판상에 제1도전형불순물층과, 입사광에 의해 생성한 신호전하를 축적하는 상기 불순물층내에 형성된 수광부를 적어도 구비한 고체촬상장치에 있어서, 제1도전형 불순물층과, 입사광에 의해 생성한 신호전하를 축적하고 또한 축적된 신호전하를 전송하는 상기 불순물층내에 형성된 수광전송부와, 상기 수광전송부의 과잉전하를 배출하는 상기 수광전송부를 제거한 기판심부에 형성된 제2도전형 드레인부를 구비한 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  12. 제11항에 있어서, 수광전송부가 제2도전형인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  13. 제11항에 있어서, 수광전송부와 드레인부와의 간격이 적어도 상기 수광전송부의 과잉전하를 상기 드레인부에서 배출할 수 있고, 또한 상기 수광전송부와 상기 드레인부와의 사이에서 펀치스루를 일으키지 않는 거리로 하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  14. 반도체기판상에 제1도전형불순물층과, 입사광에 의해 생성한 신호전하를 축적하는 상기 불순물층내에 형성된 수광부를 적어도 구비한 고체촬상장치의 제조방법에 있어서, 제1도전형 불순물층내에, 제2도전형이 되는 불순물을 주입해서 입사광에 의해 생성한 신호전하를 축적하는 수광부를 형성하고, 상기 수광부의 과잉전하를 배출하는 상기 수광부를 제거한 기판심부에 제2도전형드레인부를 형성하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 수광부의 형성과 드레인부의 형성과의 사이에 상기 수광부내에 축적된 신호전하를 전송하는 제2도전형 전송부를 형성하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 전송부와 드레인부의 형성이 동일 레지스트마스크에서 이온주입에 의해서 행해지는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
  17. 제15항에 있어서, 드레인부를 형성한 후 수광부와 전송부와의 사이에 판독제어부를 형성하고, 상기 수광부와 상기 드레인부와의 사이에 판독제어부를 형성하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서, 제어부와 판독제어부와의 형성이 동일 레지스트마스크에서 이온주입에 의해서 행해지는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
  19. 반도체기판상에 제1도전형 불순물층과, 입사광에 의해 생성한 신호전하를 축적하는 상기 불순물층내에 형성된 수광부를 적어도 구비한 고체촬상장치의 제조방법에 있어서, 제1도전형 불순물층내에, 상기 불순물층내에 입사광에 의해 생성한 신호전하를 축적하고 또한 축적한 신호전하를 전송하기 위한 제2도전형 수광전송부를 형성하고, 상기 수광전송부의 과잉전하를 배출하는 상기 수광전송부를 제거한 기판심부에 제2도전형 드레인부를 형성하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서, 수광전송부와 드레인부와의 간격이 적어도 상기 수광전송부의 과잉전하를 상기 드레인부에서 배출할 수 있고, 또한 상기 수광전송부와 상기 드레인부와의 사이에서, 펀치스루를 일으키지 않는 거리로 하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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