KR960008853A - 소수 캐리어로 인한 메모리 셀 데이터 파괴 방지방법 - Google Patents

소수 캐리어로 인한 메모리 셀 데이터 파괴 방지방법 Download PDF

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KR960008853A
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안상욱
윤병진
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • G—PHYSICS
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    • G11C2207/10—Aspects relating to interfaces of memory device to external buses
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Abstract

본 발명은 EOS(electrical over stress)나 노이즈에 기인한 소수 캐리어로 인한 메모리 셀 데이터 파괴 방지방법에 관한 것으로, 노이즈 발생 소스(12)의 둘레나 메모리 셀(10)과 가까운 둘레에 소수 케리어의 이동을 막아주기 위한 보호링(11)을 만들어 주거나, 노이즈 발생 소스(22)와 캐리어 발생 소스(23) 사이에 소수 캐리어의 발생량을 감소시키는 저항(24)을 삽입함으로써 EOS나 노이즈에 의해 야기되는 소프트 에러를 없앨 수 있고, 따라서 소프트 에러에 연관되어 약해지는 특성 파라메타를 개선할 수 있다.

Description

소수 캐리어로 인한 메모리 셀 데이터 파괴 방지 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일 실시예에 따른 블럭도.
제2도는 본 발명의 다른 실시예의 따른 블럭도.

Claims (2)

  1. EOS(electrical over stress)나 노이즈에 기인한 소수 캐리어로 인한 메모리 셀 데이터 파괴 방지방법에 있어서, 노이즈 발생 소스의 둘레나 메모리 셀과 가까운 둘레에 소수 캐리어의 이동을 막아주기 위한 보호링을 만들어주는 것을 특징으로 하는 소수 캐리어로 인한 메모리 셀 데이터 파괴 방지방법.
  2. EOS(electrical over stress)나 노이즈에 기인한 소수 캐리어로 인한 메모리 셀 데이터 파괴 방지방법에 있어서, 노이즈 발생 소스와 캐리어 발생 소스 사이에 소수 캐리어의 발생량을 감소시키는 저항을 삽입하는 것을 특징으로 하는 소수 캐리어로 인한 메모리 셀 데이터 파괴 방지방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940020819A 1994-08-23 1994-08-23 일렉트리컬 오버스트레스 및/또는 노이즈에 기인한 소프트 에러를 방지하기 위한 반도체 장치 KR0150683B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170030619A1 (en) * 2015-07-28 2017-02-02 Lg Electronics Inc. Refrigerator

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20170030619A1 (en) * 2015-07-28 2017-02-02 Lg Electronics Inc. Refrigerator
US10627143B2 (en) * 2015-07-28 2020-04-21 Lg Electronics Inc. Refrigerator

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