KR960005160Y1 - 누설전류 측정장치 - Google Patents

Abstract

내용없음.

Description

누설전류 측정장치

제1도는 종래의 구성도.

제2도는 본 고안에 따른 누설전류 측정장치의 구성도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 제어 모니터 2 : 테스트 시스템

3 : 연결 케이블 4 : 테스트용 소켓

5 : 반도체 디바이스 Vs : 가변 DC전압원

Rf : 피이드백 저항 OP1 : 연산 증폭기

V : 전압계

본 고안은 누설(Leakage)전류 측정장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 미세전류(1㎂이하) 측정에 적당하도록 한 누설전류 측정장치에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 장치에서의 누설전류측정은 디바이스 기능(Function)테스트를 수행하는 테스트 시스템에서의 측정으로 테스트 시스템 내부에 구성되어 있는 오디오 소우스(Audio Source), 전류 소우스(Current Source), 전압 소우스 (Voltage Source), 전류 미터(Current Meter), 전압 미터(Voltage Meter) 등의 패키지에서 테스트 프로그램을 이용하여 측정하며, 제1도에 이러한 종래의 장치를 도시하였다.

제1도에 도시한 바와같은 종래의 누설전류 측정장치는 테스트를 위한 프로그램을 제어 모니터(1)에서 작성하여 테스트 시스템(2)에서 이용하고자 하는 옵션(Option)장치(전류 소우스, 전압소우스, 전류미터. 전압미터등)을 지정하여 연결 케이블(3)을 통해 테스트용 소켓(4)에 꽂혀 있는 반도체 디바이스(5)로 신호를 보낸 후 제어 모니터(1)를 통해 테스트 시스템(2)으로 읽혀진 측정값을 읽어들여야만 누설전류측정이 되었다.

따라서 상기와 같은 종래의 누설전류 측정장치는 간단한 누설전류 측정을 위해서도 테스트 시스템을 이용해야 하며, 이를 위한 프로그램을 작성해야만 한다는 단점이 있었다.

또한, 주변회로에 의한 영향으로 장비내 전류측정계에서의 측정오차가 발생할 수 있으며, 누설전류 하나의 항목을 측정하는데 전체적인 테스트 수행을 위한 주변환경을 조성해야 하며, 테스트 프로그램을 소프트웨어적으로 수행해야만 하였다.

본 고안은 이러한 점을 감안한 것으로, 본 고안의 목적은 가변 직류(이하, DC라 칭함)전압원과 연산 증폭기 및 전압계를 이용하여 간단히 누설전류를 측정할 수 있도록 한 누설전류 측정장치를 제공함에 있다.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 고안의 특징은 가변 DC 전압원에 반도체 디바이스를 접속하고, 상기 반도체 디바이스에는 연산 증폭기의 반전 입력단을 접속하며, 상기 연산 증폭기의 반전 입력단 및 출력단에는 피이드백 저항을 접속하고, 상기 연산 증폭기의 출력단에는 전압계를 접속하여 상기 전압계의 전압을 상기 피이드백 저항 값으로 나누어 누설전류를 측정하도록 한 것이다.

이하, 본 고안을 첨부도면을 참조로 하여 상세히 설명한다.

제2도는 본 고안의 구성도로써, 전압 소우스인 가변 DC전압원(Vs)과, 상기 가변 DC 전압원(Vs)에 접속된 반도체 디바이스(5)와, 상기 반도체 디바이스(5)에 반전 입력단(-)이 접속되고 비반전 입력단(+)은 접지된 연산 증폭기(OP1)와, 상기 연산 증폭기(OP1)의 반전 입력단(-) 및 출력단(O1)에 접속되는 피이드백 저항(Rf)과, 상기 연산 증폭기 (OP1)의 출력단(O1)에 접속된 전압계(V)로 구성된다.

상기와 같이 구성된 본 고안에서 전압 소우스인 가변 DC전압원(Vs)은 가변 DC전압을 출력한다.

그리고 상기 가변 DC전압원(Vs)의 DC전압 출력에 따라 상기 반도체 디바이스(5)에는 전류가 흐르게 되며, 이 반도체 디바이스(5)를 통과하는 전류는 극히 미세하며, 이것이 측정하고자 하는 누설전류이다.

전류가 극히 미세한 관계로 반도체 디바이스(5)에 접속된 연산 증폭기(OP1)의 반전 입력단(-)의 왼쪽은 내부저항이 매우 큰 테브난(Thevenin) 등가회로로 작용하므로 전류 소우스이다.

상기 전류 소우스는 연산 증폭기(OP1)의 피이드백 저항(Rf)에 의해 증폭되어 IsRf에 해당하는 전압이 전압계(V)에 의해 읽혀진다.

따라서, 상기 전압계(V)의 전압을 상기 피이드백 저항(Rf) 값으로 나누면 측정하고자 하는 미세 누설전류값이 얻어지는 것이다.

이상에서 살펴본 바와같이 본 고안은 가변 DC전압원과 연산 증폭기와 전압계를 이용하여 아주 간단히 반도체 디바이스의 누설전류를 측정할 수 있게 되며, 특히 미세전류도 측정할 수 있게 되며, 이러한 누설전류 측정방식에 따라 온도 및 빛의 강도, 전압변화등의 조건을 사용자가 자유롭게 조절하면서 정밀하게 측정할 수도 있게 한다.

Claims (1)

1. 전압 소우스가 가변 DC전압원과, 상기 가변 DC전압원에 접속된 반도체 디바이스와, 상기 반도체 디바이스에 반전 입력단이 접속되고 비반전 입력단은 접지된 연산 증폭기와, 상기 연산 증폭기의 반전 입력단 및 출력단에 접속되는 피이드백 저항과, 상기 연산 증폭기의 출력단에 접속된 전압계와 구성됨을 특징으로 하는 누설전류 측정장치.