Claims (9)
반도체소자의 저장전극 형성방법에 있어서, 반도체기판 상부에 하부절연층에 형성하고 그 상부에 제1절연막을 일정두께 증착한 다음, 상기 반도체기판의 예정된 부위를 노출시키는 콘택홀을 형성하고 상기 콘택홀을 통하여 상기 노출된 반도체기판에 접속되도록 제1도전체를 일정두께 증착한 다음, 마스크공정을 실시하고 그 상부에 제2절연막을 증착한 다음, 전체구조상부에 제2도전체를 일정두께 증착하고 그 상부에 제1저장전극 마스크를 형성하는 공정과, 상기 제1저장전극 마스크를 이용하여 등방성식각을 실시함으로써 제2도전체패턴을 형성하고 그 상부에 제3절연막 및 제3도전체를 순차적으로 증착한 다음, 그 상부에 제2저장전극 마스크를 형성하는 공정과, 사익 제2저장전극 마스크를 사용하여 상기 제3전도체를 등방성식각함으로써 제3도전체패턴을 형성하고 상기 제2저장전극 마스크를 제거한 다음, 전체구조상부에 제3저장전극 마스크를 형성하는 공정과, 상기 제3저장전극 마스크를 사용하여 상기 제3도전체패턴과 제3절연막 그리고 제2절연막의 일정두께를 부분식각한 다음, 상기 제3저장전극 마스크를 제거하는 공정과, 상기 남아있는 제3도전체패턴을 마스크로 하고 상기 제2도전체패턴을 마스크 및 식각장벽을 하여 전면식각을 실시함으로써 제3절연막패턴과 제2절연막패턴을 형성하는 공정과, 전체구조상부에 제4도전체를 일정두께 증착하고 상기 제2,3절연막패턴이 노출되도록 이방성식각공정을 실시하여 제4도전체 스페이서를 형성한 다음, 습식방법으로 상기 제2,3절연막을 제거하여 다중실린더형 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.A method of forming a storage electrode of a semiconductor device, the method comprising: forming a lower insulating layer on a semiconductor substrate, depositing a first insulating layer on the semiconductor substrate, and forming a contact hole exposing a predetermined portion of the semiconductor substrate, and forming the contact hole. Depositing a first conductor to a predetermined thickness so as to be connected to the exposed semiconductor substrate through a mask, performing a mask process, depositing a second insulating layer thereon, and depositing a second conductor on the entire structure. Forming a first conductive electrode mask thereon, and isotropically etching using the first storage electrode mask to form a second conductive pattern, and sequentially forming a third insulating film and a third conductor thereon. After depositing, forming a second storage electrode mask thereon; and isotropically etching the third conductor by using a second storage electrode mask. Forming a pattern, removing the second storage electrode mask, and then forming a third storage electrode mask on the entire structure; and using the third storage electrode mask, the third conductive pattern, the third insulating layer, and the third storage electrode mask. 2) etching a predetermined thickness of the insulating layer, and then removing the third storage electrode mask; and etching the entire surface using the remaining third conductive pattern as a mask and the second conductive pattern as a mask and an etching barrier. Forming a third insulating film pattern and a second insulating film pattern, depositing a fourth conductor on the entire structure to a predetermined thickness, and performing an anisotropic etching process to expose the second and third insulating film patterns. And forming a multi-cylinder type storage electrode by removing the second and third insulating layers by a wet method after forming the sieve spacer.
제1항에 있어서, 상기 1,4 도전체는 도핑된 다결정실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.The method of claim 1, wherein the 1,4 conductor is formed of doped polycrystalline silicon.
제1항에 있어서, 상기 2,3도전체는 도핑되지 않은 다결정실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.The method of claim 1, wherein the second and third conductors are formed of undoped polysilicon.
제1항에 있어서, 상기 2,3절연막은 실리콘이 함유된 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.The method of claim 1, wherein the second and third insulating layers are formed of an oxide film containing silicon.
제1항에 있어서, 상기 제1,3저장전극 마스크는 포지티브형 감광막을 이용하여 형성하며, 상기 제2저장전극 마스크는 네가티브형 감광막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.The method of claim 1, wherein the first and third storage electrode masks are formed using a positive photosensitive film, and the second storage electrode mask is formed of a negative photosensitive film.
제1항에 있어서, 상기 제2,3도전체패턴의 폭은 0.4㎛ 이하로 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.The method of claim 1, wherein a width of the second and third conductive patterns is 0.4 μm or less.
제1항에 있어서, 상기 제2저장전극 마스크는 상기 제1저장전극 마스크와 같은 레티클을 사용하되 네가티브형 감광막을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.The method of claim 1, wherein the second storage electrode mask is formed using the same reticle as the first storage electrode mask but using a negative photosensitive film.
제1항에 있어서, 상기 부분식각은 다결정실리콘과 산화막의 식각선택비가 1:1정도인 SF4또는 NF3를 기본으로 하는 식각물질로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.The method of claim 1, wherein the partial etching is performed using an etching material based on SF 4 or NF 3 having an etch selectivity ratio of polysilicon and an oxide layer of about 1: 1.
제1항 또는 제8항에 있어서, 상기 부분식각은 상기 제1절연막의 상부에 증착된 제1도전체의 두께만큼 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.The method of claim 1 or 8, wherein the partial etching is performed by etching the thickness of the first conductor deposited on the first insulating layer.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.