KR950034555A - 반도체 웨이퍼의 급속 열처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 마이크로 웨이브를 사용하여 웨이퍼를 균일하게 가열하며, 웨이퍼의 팽창크기에 의하여 웨이퍼의 가열온도를 측정함으로써, 정확하고 균일하게 웨이퍼를 가열할 수 있는 웨이퍼의 급속 열처리장치에 관한 것으로, 원통형으로 형성되어 웨이퍼(2)를 가열시키기 위한 공간을 형성하는 체임버(4); 상기 체임버(4) 하부의 중앙에 연결되어 웨이퍼의 중앙 부분을 가열하며, 상기 체임버(4) 상부에 링형태로 연결되어 웨이퍼(2)의 가장자리를 가열하기 위한 마이크로 웨이브를 발생시키는 마이크로 웨이브 발생수단(6,8); 상기 체임버(4) 상부의 중앙에 형성되며, 상기 웨이퍼(2)에 증착공정을 균일하게 할 수 있도록 공정 개스를 개스 샤우어 형태로 상기 체임버(2) 내부에 확산시키는 개스 확산구(10); 상기 체임버(4) 하부의 일측에 장착되어 레이저 빛을 발생하는 레이저 주사수단(14); 및 상기 체임버(4) 상부의 일측에 상기 레이저 주사수단(14)과 대응되게 장착되어 레이저 빛의 양을 감지하여 상기 웨이퍼(2)의 팽창크기에 의하여 상기 웨이퍼(2) 온도를 측정하는 빛 감지수단(16)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 웨이퍼의 급속 열처리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 웨이퍼의 급속 열처리장치의 구조를 개략적 나타내는 측단면도, 제2도는 제1도의 A-A′선을 따른 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 웨이퍼의 급속 열처리장치에 있어서, 원통형으로 형성되어 웨이퍼(2)를 가열시키기 위한 공간을 형성하는 체임버(4); 상기 체임버(4) 하부의 중앙에 연결되어 웨이퍼(2)의 중앙 부분을 가열하며, 상기 체임버(4) 상부에 링(ring)형태로 연결되어 웨이퍼(2)의 가장자리를 가열하기 위한 마이크로 웨이브를 발생시키는 마이크로 웨이브 발생수단(6,8); 상기 체임버(4) 상부의 중앙에 형성되며, 상기 웨이퍼(2)에 증착공정을 균일하게 할 수 있도록 공정 개스를 개스 샤우어(gas shower) 형태로 상기 체임버(2) 내부에 확산시키는 개스 확산구(10); 상기 체임버(4) 하부에 링 형태로 다수 배열되어 반응이 종료 한 개스를 수집하는 개스 수집구(12); 상기 체임버(4) 하부의 일측에 장착되어 레이저 빛을 발생하는 레이저 주사수단(14): 및 상기 체임버(4)상부의 일측에 상기 레이저 주사수단(14)과 대응되게 장착되어 레이저 빛의 양을 감지하여 상기 웨이퍼(2)의 팽창크기에 의하여 상기 웨이퍼(2) 온도를 측정하는 빛 감지수단(16)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 급속 열처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 빛 감지수단(16)은 웨이퍼의 온도를 측정하기 위하여 소정의 간격으로 다수 배열되어 레이저 빛을 전류로 전환시키는 수광다이오드(18); 각각의 상기 수광 다이오드(18)의 면적이 상기 웨이퍼(2)의 그림자에 의하여 반이상 가려지는 것을 감지하여 온 신호를 발생하는 레벨 감지수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 급속 열처리장치.
  3. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940011439A 1994-05-25 1994-05-25 반도체 웨이퍼의 급속 열처리장치 KR0120730B1 (ko)

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