KR950017780A - 패턴 반응성 이온 에칭을 사용하여 파이버 프로브 장치를 제조하는 방법 - Google Patents

패턴 반응성 이온 에칭을 사용하여 파이버 프로브 장치를 제조하는 방법 Download PDF

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Abstract

파이버 프로브는 파이버 세그먼트의 하부를 이방성 에칭한후 에칭된 하부 영역을 클리브하는 것에 의해 내부 코어 영역(18)및 외부 클래딩 영역(10)을 갖고서 클래드된 광섬유 세그먼트에서 형성된다. 그후 파이버 세그먼트의 코어(18)아래로 전파하는 광방사선에 노출시킨 후 현상하는 것에 의해, 파이버 세그먼트의 클리브된 단면을 패터닝되는 보호층(40)으로 코팅하여 패터닝된 보호층(42)을 형성한다. 그렇게 패터닝된 보호층으로 마스크된 플라즈마 에칭은 클리브된 끝면 이웃에 바라는 높이(h)의 클래딩을 제거한다. 마지막으로, 파이버 세그먼트의 하부 영역을 또 에칭하여 팁의 폭을 바라는 값(w)으로 줄인다.

Description

패턴 반응성 이온 에칭을 사용하여 파이버 프로브 장치를 제조하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
내용 없음

Claims (9)

  1. 파이버 프로브 장치(제6도)를 제조하는 방법에 있어서, (a) 내부 원통형 코어 영역(제2도의 (18))및 외부 클래딩 영역(10)을 갖는 파이버 세그먼트를 마련하되, 상기 내부 영역이 단계(f)에 인용된 패터닝된 포토레지스트층(42)을 충분히 규정하도록 단계(e)에서 인용된 광방사선을 제한하는 도파성을 갖는 단계와, (b) 상기 파이버 세그먼트의 얇은 하부 원통형 영역(14)이 남도록 제1사전 결정된 기간동안 상기 파이버 세그먼트의 하부를 에칭하는 단계와, (c) 상기 파이버의 클리브된 얇은 하부 원통형 영역(16)이 클리브 된 끝면을 갖고서 형성되도록 상기 파이버 세그먼트의 상기 얇은 하부 원통형 영역을 클리브하는 단계와, (d) 상기 클리크된 끝면의 적어도 전면을 보호 포토레지스트층(40)으로 코팅하는 단계와, (e) 상기 광방사선이 상기 코어 영역을 통해 전파하고 상기 클리브된 끝면에 위치한 상기 파이버 세그먼트의 상기 코어 영역을 코팅하는 상기 보호 포토레지스트층부에 입사하도록 상기 파이버 세그먼트의 상기 코어 영역에 광방사선을 결합하는 단계와, (f) 상기 포토레지스트층이 상기 클리브된 끝면에 위치한 상기 코어 영역을 코팅하는 패터닝된 포토레지스트 마스크층(42)으로 되도록 상기 보호 포토레지스트층을 현상하는 단게와, (g) 적어도 상기 클리브된 끝면에 위치한 코어 영역 부분(19)이 변하지 않으면서 상기 클리브된 끝면에 결합된 클래딩 영역 물질의 사전 결정된 높이(h)가 제거되도록 제2사전 결정된 기간동안 상기 클리브된 끝면을 이방성 드라이 에칭하는 단계와, (h) 사전 결정된 최대폭(w)을 갖는 팁 영역이 상기 클리브된 얇은 하부 원통형 영역에 위치하여 형성되도록 제3사전 결정된 기간동안 상기 파이버 세그먼트의 적어도 상기 클리브된 얇은 하부 코어 영역을 본래 동방성 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 파이브 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 에칭하는 단계(b)는 웨트 에칭인 것을 특징으로 하는 파이버 프로브 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 에칭하는 단계(h)는 웨트 에칭인 것을 특징으로 하는 파이버 프로브 장치의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 단계(b)와 (c)사이에, 상기 파이버 세그먼트의 최저 영역을 또 에칭하되, 상기 초저 영역이 상기 하부 영역보다 작은 사전 결정된 높이를 갖는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파이버 프로브 장치의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 최저 영역의 사전 결정된 높이는 약 4㎛ 내지 2,000㎛의 범위내인 것을 특징으로 하는 파이버 프로브 장치의 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 최저 영역의 사전 높이는 약 50㎛ 내지 500㎛의 범위내인 것을 특징으로 하는 파이버 프로브 장치의 제조 방법.
  7. 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 사전 결정된 최대폭은 약 0.05㎛ 내지 0.5㎛의 범위내인 것을 특징으로 하는 파이버 프로브 장치의 제조 방법.
  8. 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 사전 결정된 최대폭은 약 0.05㎛ 내지 0.2㎛의 범위내인 것을 특징으로 하는 파이버 프로브 장치의 제조 방법.
  9. 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 팁 영역은 약 0.01㎛ 내지 10㎛의 범위내의 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 파이버 프로브 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940035527A 1993-12-22 1994-12-21 패턴반응성이온에칭을사용하여섬유프로브장치를제조하는방법 KR100352799B1 (ko)

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