Claims (12)
복수의 양자우물층과 양자 우물층 사이에 형성된 배리어층을 구비하여 이루어진 활성층을 포함하는 반도체 레이져 다이오드에 있어서, 상기 양자우물층과 배리어층에 서로 반대형태의 변형이 가해지도록 구성되어 상기 활성층의 총 변형량이 보상되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이져 다이오드.A semiconductor laser diode comprising an active layer comprising a plurality of quantum well layers and a barrier layer formed between the quantum well layers, the semiconductor laser diode being configured to be subjected to deformations of opposite types to the quantum well layer and the barrier layer. A semiconductor laser diode, characterized in that the amount of deformation is compensated.
제1항에 있어서, 상기 양자우물층의 변형량과 두께의 곱이 상기 배리어층의 변형량과 두께의 곱과 같도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이져 다이오드.The semiconductor laser diode according to claim 1, wherein the product of the deformation amount and the thickness of the quantum well layer is equal to the product of the deformation amount and the thickness of the barrier layer.
제1항에 있어서, 상기 활성층의 상하로 크래드층이 형성되며, 활성층과 상기 크래드층 사이에 광 제한층이 형성되어 크래드층으로 캐리어가 유입되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이져 다이오드.The semiconductor laser diode of claim 1, wherein a cladding layer is formed above and below the active layer, and a light limiting layer is formed between the active layer and the cladding layer to prevent carriers from flowing into the cladding layer. .
제3항에 있어서, 상기 활성층의 배리어층과 상기 광 제한층은 서로 같은 인장 또는 압축 변형이 일어나도록 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이져 다이오드.4. The semiconductor laser diode according to claim 3, wherein the barrier layer and the light limiting layer of the active layer are configured to undergo the same tensile or compressive deformation.
제3항에 있어서, 상기 광 제한층은 에너지 수준이 상기 크래드층과 상기 활성층 간에 선형적으로 변하는 GRINSCH(Graded Index Separated Confinement Heterostructure)구조인 것을 특징으로 하는 반도체 레이져 다이오드.The semiconductor laser diode of claim 3, wherein the light limiting layer has a GRINSCH (Graded Index Separated Confinement Heterostructure) structure in which an energy level varies linearly between the cladding layer and the active layer.
제3항에 있어서, 상기 광 제한층은 에너지 수준이 상기 활성층의 배리어층과 같은 SCH(Separated Confinement Heterostructure)구조인 것을 특징으로 하는 반도체 레이져 다이오드.4. The semiconductor laser diode of claim 3, wherein the light confining layer has an energy level of a SCH (Separated Confinement Heterostructure) structure equal to the barrier layer of the active layer.
제3항에 있어서, 상기 양자우물층의 변형량과 두께의 곱이 상기 배리어층 및 광 제한층의 변형량과 두께의 곱과 같도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이오드.The semiconductor diode of claim 3, wherein the product of the deformation amount and the thickness of the quantum well layer is equal to the product of the deformation amount and the thickness of the barrier layer and the light limiting layer.
제1항에 있어서, 상기 활성층은 InGaP양자우물층과 InGaAlP배리어층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이져 다이오드.The semiconductor laser diode according to claim 1, wherein the active layer is formed of an InGaP quantum well layer and an InGaAlP barrier layer.
제3항에 있어서, 상기 활성층은 InGaP양자우물층과 InGaAlP배리어층으로 형성하며, 상기 광 제한층은 InGaAlP층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이져 다이오드.4. The semiconductor laser diode according to claim 3, wherein the active layer is formed of an InGaP quantum well layer and an InGaAlP barrier layer, and the light limiting layer is formed of an InGaAlP layer.
양자우물층으로 된 InGaP활성층과, 상기 활성층의 상하에 마련되는 InGaAlP 크래드층과, 상기 활성층과 크래드층 사이에 형성되는 InGaAlP광 제한층을 구비하여 이루어진 반도체 레이져 다이오드에 있어서, 상기 양자우물층과 광 제한층에 서로 반대 형태의 변형이 가해지도록 구성되어 상기 활성층의 변형량이 보상되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이져 다이오드.A semiconductor laser diode comprising an InGaP active layer comprising a quantum well layer, an InGaAlP cladding layer provided above and below the active layer, and an InGaAlP light limiting layer formed between the active layer and the cladding layer, wherein the quantum well layer And a strain of opposite types to the light confining layer so that the amount of deformation of the active layer is compensated.
제10항에 있어서, 상기 양자우물층의 변형량과 두께의 곱이 상기 광 제한층의 변형량과 두께의 곱과 절충하여 상기 활성층의 변형량을 포상하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이져 다이오드.The semiconductor laser diode according to claim 10, wherein the product of the deformation amount and the thickness of the quantum well layer is compromised with the product of the deformation amount and the thickness of the light confining layer to form the deformation amount of the active layer.
제10항에 있어서, 상기 활성층은 단일 양자우물층인 것을 특징으로 하는 반도체 레이져 다이오드The semiconductor laser diode according to claim 10, wherein the active layer is a single quantum well layer.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.