KR950007008A - 웨이퍼 건조방법 - Google Patents

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KR950007008A
KR950007008A KR1019930016050A KR930016050A KR950007008A KR 950007008 A KR950007008 A KR 950007008A KR 1019930016050 A KR1019930016050 A KR 1019930016050A KR 930016050 A KR930016050 A KR 930016050A KR 950007008 A KR950007008 A KR 950007008A
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KR
South Korea
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wafer
drying
heating
drying method
cooling
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Application number
KR1019930016050A
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Inventor
김재홍
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 웨이퍼 건조방법에 있어서, 웨이퍼를 회전시키며 건조하는 스핀 드라이 단계와, 상기 웨이퍼를 600∼800℃로 히팅하여 웨이퍼 표면에 잔존하는 습기를 제거하는 히팅단계와, 히팅되어 온도가 상승된 상기 웨이퍼를 냉각하는 냉각단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조방법에 관한 것으로, 기존의 스핀 드라이 단계 후, 히팅단계를 첨부하여 웨이퍼 건조효과를 극대화 시킴으로써, 불순물 입자의 제거 및 반도체 소자의 특성을 향상시키는 효과가 있다.

Description

웨이퍼 건조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 웨이퍼 건조방법을 나타내는 블록도.
제2도는 웨이퍼가 히팅 챔버에 놓여져 있는 상태를 나타내는 측면도.

Claims (1)

  1. 웨이퍼 건조방법에 있어서, 웨이퍼를 회전시키며 건조하는 스핀 드라이 단계와, 상기 웨이퍼를 600∼800℃로 히팅하여 웨이퍼 표면에 잔존하는 습기를 제거하는 히팅단계와, 히팅되어 온도가 상승된 상기 웨이퍼를 냉각하는 냉각단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930016050A 1993-08-18 1993-08-18 웨이퍼 건조방법 KR950007008A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100420009B1 (ko) * 1999-12-16 2004-02-25 주성엔지니어링(주) 반도체소자 제조장치

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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