KR950004953Y1 - 이형제감지회로 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

이형제감지회로

제1도는 본 고안의 블럭도.

제2도는 본 고안의 회로도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10 : 클럭신호입력부 20 : 발광부

20' : 수광부 30 : 의관광보상회로

40 : 출력전환회로 50 : 출력신호변환회로

60 : 비교회로 70 : 증폭회로

80 : 릴레이 90 : 메인콘트롤러

OP₁-OP₅: 증폭기 FET₁,FET₂: 전계효과트랜지스터

TR : 트랜지스터 PD : 포토다이오드

LED₁,LED₂: 발광다이오드 INV : 인버터

NAND : 낸드게이트 ZD₁,ZD₂: 제너다이오드

VR₁,VR₂: 가변저항 R₁-R₉: 저항

C₁,C₂: 콘덴서

본 고안은 취출로보트의 이형제분사장치에 관한 것으로, 특히 외관광을 보상하여 신뢰도를 높이기 위한 이형제감지회로에 관한 것이다.

종래의 취출로보트 이형제분사장치에 이용되고 있는 이형제감지회로는 광을 지속적으로 발광부의 발광다이오드에서 발광하도록 되어 있으나 이럴 경우 외관광을 차단할 수 없어 주위광이 강할 경우 발광다이오드가 오프(OFF)되어도 수광부에 감지되는 문제점이 야기되어 에러감지신호가 발생하므로 신뢰도를 저하시키고 작업시 많은 애로 사항을 초래했던 것이다.

따라서 본 고안은 상기한 제반 결점을 해소하기 위하여 안출한 것으로서 그 목적으로는 광초핑(CHOPPING)방식으로 의해 1KHZ로 발광부의 발광다이오드를 주기적으로 온(ON), 오프(OFF)시키고 발광다이오드 오프(OFF)시 외관광에 의한 수광부의 포토다이오드 온(ON)신호를 검출, 보상하여 외관광에 의한 신호가 출력부까지 전달되지 않도록 하는데 있다.

이를 첨부된 도면에 상세히 설명한다.

클럭신호입력부(10)를 통해 입력되는 구형파펄스 ()를 저항(R₂-R₄)과 트랜지스터(TR)와 발광다이오드(LED)로된 발광부(20)와 낸드게이트(NAND), 인버터(INV), 전계효과트랜지스터(FET₁),(FET₂)로 된 출력전환회로(40)에 연결되게 하고, 상기 발광부(10)를 포토다이오드(PD) 증폭기(OP₁) 저항(R₁)으로 구성된 수광부(20')와 출력전환회로(40)를 통해 콘덴서(C₂) 증폭기(OP₃)로된 출력신호변환회로(50)에 접속하되 상기 출력전환회로(40)를 이관광을 보상하기 위하여 증폭기(OP₂)와 콘덴서(C₁)으로 구성된 외관광보상회로(30)를 거쳐 수광부(20')에 연결하고 상기 출력신호변환회로(50)를 증폭기(OP₄)와 가변저항(VR₁)(VR₂)과 저항(R₅-R₇) 제너다이오드(ZD₁)(ZD₂)와 발광다이오드(LED₂)의 조합으로된 비교회로(60)를 통해 증폭회로(70)의 증폭기(OP₅) 비반전단자(+)에 접속하고 이의 반전단자(-)에 저항(R₈)(R₉)를 연결하여 이의 출력단을 릴레이(80)를 통해 출력되게 하여 메인콘트롤러(90)에 인가되게 구성한 이형제감지회로인 것이다.

이하 첨부된 도면에 의거하여 본 고안의 작용 및 효과를 설명하면 다음과 같다.

클럭신호입력부(10)에서 수정발진자에 의한 1KHZ의 구형펄프()를 발광부(20)와 출력전환회로(40)에 인가하는데 상기 클럭신호입력부(10)에서의 하이(HIGH), 로우(LOW) 신호에 의해 발광부(20)의 저항(R₃)(R₄)을 통해 전압이 분배되어 트랜지스터(TR)가 온(ON) 오프(OFF)작용을 반복하면서 스위칭을 하는데 클럭신호입력부(10)에서 입력된 구형파펄스가 하이(H)신호일때 트랜지스터(TR)는 오프(OFF)상태가 되고 상기 입력부(10)에서 입력된 구형파펄스가 로우(L) 신호일때 트랜지스터(TR)는 (ON)이 되므로 이의 콜렉터에 연결된 발광다이오드(LED1)가 발광 또는 소광하게 된다.

따라서 상기 발광다이오드(LED₁)에서 발광 또는 소광되는 신호를 수광부(20')의 포토다이오드(PD)에서 광의 온, 오프신호를 받아 도통 또는 차단을 반복하는데 상기 포토다이오드(PD)가 도통될때 증폭기(OP₁)에 미세신호가 인가되어 증폭을 하여 출력전환회로(40)의 전계효과트랜지스터(FET₁)(FET₂) 드레인단에 인가하여 상기 클럭신호입력부(10)에서 인가된 구형파펄스에 의해 발광부(20)의 발광다이오드(LED₁)의 발광 또는 소광시 출력을 보상하기 위하여 낸드게이트(NAND)와 인버터(INV)를 경유하여 전계효과트랜지스터(FET₁)(FET₂)게이트에 인가되는데 발광부(20)의 발광다이오드(LED₁)가 소광될때는 전계효과트랜지스터(FET₁)가 도통되어 증폭기(OP₂)와 콘덴서(C₁)로 구성된 외관광보상회로(30)에 인가되는데 주위에 광으로 인한 외관광으로 수광부(20')의 포토다이오드(PD)가 도통되게 되어 그 출력치가 증폭기(OP₁)를 통해 증폭된 값을 외관광보상회로(30)의 증폭기(OP₁)에서 증폭하여 외관광으로 인한 출력치를 수광부(20')의 증폭기(OP₁)에 귀환시켜 보상시켜 주므로서 외관광으로 인한 신호를 차단하게 된다.

따라서 출력전환회로(40)의 전계효과트랜지스터(FET₂)가 발광부(20)의 발광다이오드(LED₁)가 발광시 온(ON)되어 그 신호를 출력신호변환부(50)의 콘덴서(C₂)와 증폭기(OP₃)에 의해 버퍼링하여 전류신호를 전압신호로 변환하여 비교회로(60)의 증폭기(OP₄)에 인가하여 설정치와 비교하여 가변저항(VR₁)으로 기준전압을 변화시키고 가변저항(VR₂)으로 전압의 폭을 변화시켜 가장 감도가 좋은 위치를 맞추게 되고 제너다이오드(ZD₁)(ZD₂)가 클램핑하여 주므로서 뒷단의 릴레이(80)를 보호하는 역활을 하며 +5V이상에서는 제너다이오드(ZD₁)(ZD₂)에 의해 출력전압을 항상 5V로 클램핑기능을 수행하고 -5V 이상에서는 제너다이오드(ZD₁)가 클램핑기능을 수행하며 발광다이오드(LED₂)는 제너다이오드(LED₁)(LED₂)양단간에 유기되는 전압 즉, 센서감도조정을 용이하게 한다.

따라서 상기 비교회로(60)에서 설정치와 비교된 출력신호를 증폭(OP₅)와 저항(R₈)(R₉)으로된 증폭회로(70)에서 출력신호를 증폭하여 릴레이(80)를 온(ON) 오프(OFF)시킬 수 있는 전압을 출력하여 상기 릴레이(80)가 온, 오프 작용을 하여 신호를 메인콘트롤러(90)에 출력하게 된다.

상술한 바와 같이 본 고안은 광초핑방식에 의해 1KHZ의 구형파펄스로 발광다이오드를 주기적으로 온/오프시키고 발광다이오드 오프(OFF)시외관광에 의한 수광부 온(ON)신호를 가려내어 보상해줌로서 외관광에 의한 신호가 출력부까지 전달되지 않도록 하여 보다 정확한 신호를 메인콘트롤러에 전달하여 신뢰성향상을 기대할 수 있는 유익한 고안이다.

Claims (5)

1. 취출로보트의 이형제분사장치에 있어서 1KHZ의 구형파펄스를 발생하는 클럭신호입력부(10)를 발광부(20)와 출력신호를 전환하는 출력신호를 전환하는 출력전환회로(40)에 연결하고 상기 발광부(20)를 수광부(20')를 통해 출력전환회로(40)에 접속하고, 상기 출력전환회로(40)를 주위광에 의한 오동작을 방지하기 위해 보상하는 외관광보상회로(30)를 거쳐 수광부(20')에 피드백시키고 상기 출력전환회로(40)를 전류값을 전압값으로 변환하는 출력신호변환회로(50)와 통상의 비교회로(60)와 증폭회로(70) 및 릴레이(80)를 통해 메인콘트롤러(90)에 연결되게 구성한 것을 특징으로 하는 이형제감지회로.
2. 제1항에 있어서, 상기 발광부(20)를 발광다이오드(LED₁)와 트랜지스터(TR)와 저항(R₂-R₄)으로 구성함을 특징으로 하는 이형제 감지회로.
3. 제1항에 있어서, 상기 수광부(20')를 포토다이오드(PD)와 증폭기(OP₁)와 저항(R₁)으로 구성함을 특징으로 하는 이형제감지회로.
4. 제1항에 있어서, 상기 출력전환회로(40)를 낸드게이트(NAND)와 인버터(INV)와 전계효과트랜지스터(FET₁)(FET₂)로 구성함을 특징으로 하는 이형제감지회로.
5. 제1항에 있어서, 상기 외관광보상회로(30)를 증폭기(OP₂)와 콘덴서(C₁)로 구성함을 특징으로 하는 이형제감지회로.