KR950004146Y1 - 반도체 증착장치의 트랩 - Google Patents

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KR950004146Y1
KR950004146Y1 KR92013009U KR920013009U KR950004146Y1 KR 950004146 Y1 KR950004146 Y1 KR 950004146Y1 KR 92013009 U KR92013009 U KR 92013009U KR 920013009 U KR920013009 U KR 920013009U KR 950004146 Y1 KR950004146 Y1 KR 950004146Y1
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이중재
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 증착장치의 트랩
제1도는 종래 반도체 증착장치용 트랩의 종단면도.
제2도는 본 고안 반도체 증착 장치용 트랩의 종단면도.
제3도는 반도체 증착장치의 개략구성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 트랩 몸체 4 : 필터
5 : 공간 7 : 가스유도관
8 : 3방향밸브 9 : 압력게이지
본 고안은 반도체 제조공정중 웨이퍼에 산화막을 증착시키는 공정에서 사용되는 증착장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 리액터(Reactor)와 진공펌프사이에 설치되어 리액터에서 발생된 가스 부산물이 직접 진공펌르로 흡입되는 것을 막아주는 역할을 하는 트랩(Trap)에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 중착장치는 제3와 같이 리액터(A)와, 상기 리액터로 주입되는 가스가 반대측으로 흐르게 하기 위해 가스를 빨아들이는 진공펌프(B)와, 상기 리액터와 진공펌프사이에 설치되어 진공펌프로 흡입되는 가스속에 포함된 부산물을 여과해주는 트랩(C)등으로 구성되어 있다.
또 상기와 같은 반도체 증착장치에 사용되어온 종래의 트랩은 제1도에 도시한 바와 같이 가스입구(2)와 가스출구(3)가 있는 몸체(1)내에 도우넛형의 필터(4)를 설치하여 필터의 외경면과 몸체 내벽사이에 공간(5)이 형성되게 하고 상기 공간(5)이 외부와 통하여지지 않도록 O-링(6)으로 밀폐시킨 구조로 되어 있다.
따라서 리액터에서 사용된 가스는 가스입구(2)를 통해 몸체(1)와 필터(4)사이의 공간(5)으로 들어와 필터(4)의 중심공간으로 흐르면서 부산물이 여과되고 부산물이 여과된 가스는 가스출구(3)를 통해 진공펌프(B)로 흡입되며, 이러한 부산물의 여과에 따라 부식성, 연마성 물질이 진공펌프로 유입되어 진공펌프가 손상되는 것을 방지하여 준다.
그러나 상기와 같은 종래의 트랩은 필터(4)에 부착된 부산물의 양을 확인할 수가 없기 때문에 공정상의 문제를 발생시키게 된다.
즉, 리액터(A)내를 흐르는 가스는 압력의 변화가 없이 항상 일정한 압력으로 유지되어야 공정의 안정성을 기할 수 있게 되는데, 상기와 같은 종래의 트랩은 필터(4)에 부착된 부산물의 양을 확인할 수 없기 때문에 부산물이 과도하게 부착된 상태에서도 장비가 운전되는 경우가 빈번히 발생하게 되고, 이러한 경우 압력의 불안정을 초래하게 된다.
또 공정압력이 불안정하게 되면 장비의 운전을 정지시키고 점검을 하여야 하므로 장비의 운휴에 따른 생산성의 저하를 초래하게 된다.
본 고안은 트랩내부에 있는 필터에 부산물의 과다하게 부착되는 경우 이를 외부에서 쉽게 확인하여 필터를 적기에 교환해 줄 수 있게 한 것이다.
이하 본 고안을 첨부된 도면에 제2도와 제3도에 의해 상세하게 설명한다.
제2도는 본 고안 트랩의 종단면도로서 가스입구(2)와 가스출구(3)가 있는 몸체(1), 상기 몸체(1)의 내벽과 일정공간(5)이 형성되도록 내장된 도우넛형 필터(4), 상기 공간을 외부와 결폐시키는 O-링(6) 등 트랩의 기본구성은 종래와 같다.
상기 공간(5)과 가스출구(3) 사이에는 가스유도관(7)이 연결되어 있고 상기 가스위도관상에 3방향밸브(8)가 설치되어 있으며, 3방향밸브의 일측방향에는 압력게이지(9)가 연결되어 있다.
따라서 가스입구(2)로 들어온 가스는 필터(4)에 여과되어 가스출구(3)로 배출되는 한편 가스유도관(7)과 3방향밸브(8)를 통해 가스출구(3)로 배출되며, 이때 3방향밸브를 통과하는 가스의 압력은 압력게이지(9)에 표시된다.
상기와 같이 된 본 고안은 전술한 바와 같이 가스유도관(7)을 거쳐 3방향밸브(8)를 통과하는 가스의 압력이 압력게이지(9)에 표시되므로 사용자는 가스입구(2)로 들어오는 가스의 압력과 압력게이지(9)에 표시되는 압력을 비교하여 필터(4)의 교환시기를 알 수 있게 되는 것이다.
예를 들어 필터(4)에 부산물이 과다하게 부착되어 있는 경우 압력게이지(9)에 표시된 가스압력이 가스입구(2)로 들어오는 가스의 압력보다 낮아지게 되므로 사용자는 이를 시각적으로 확인한후 필터를 교환해주면 된다.
이상에서와 같잉 본 고안은 트랩내에 내장된 필터의 교환시기를 쉽게 파악할 수 있으므로 필터에 부산물이 과다하게 부착됨에 따라 야기되는 공정불안정을 방지할 수 있고 장비점검에 의한 운휴시간을 없애 생산성을 향상을 가져오게 된다.

Claims (1)

  1. 트랩몸체(1) 내부공간(5)과 가스출구(3)사이에 가스유도관(7)을 연결하여 상기 가스 유도관상에 3방향밸브(8)를 설치하고 상기 3방향밸브에는 압력게이지(9)를 연결하여서 됨을 특징으로 하는 반도체 증착장치의 트랩.
KR92013009U 1992-07-14 1992-07-14 반도체 증착장치의 트랩 KR950004146Y1 (ko)

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