KR940016858A - 고체촬상소자 제조방법 - Google Patents
고체촬상소자 제조방법 Download PDFInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 abstract 1
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Abstract
본발명은 볼록렌즈와 오목렌즈를 이용하여 컬러필터를 제조하는 고체촬상소자 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 포토다이오드 뿐만아니라 게이트측으로도 빛이 입사하므로 시미어가 발생하여 해상도가 불량했으나, 본발명에서는 평탄층(25) 및 염색측(27) 사이에 오목마이크로 렌즈를 형성하므로써 빛이 게이트(23)영역으로 입사하지 않으므로 상기 결점을 개선시킬 수 있는 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 종래 수직 고체촬상소자 제조를 설명하기 위한 단면도, 제 2 도는 본발명 수직 고체촬상소자 제조를 설명하기 위한 공정단면도.
Claims (13)
- 기판(20)상부에 포토다이오드(21)를 형성하고, 표면에 패드(22) 및 게이트(23)를 패터닝한후 게이트(23)표면에 금속(24)을 형성하는 단계와, 전표면에 평탄층(25) 및 렌즈용 물질(26)을 차례로 형성하고, 게이트(23)영역을 제외한 렌즈용물질(26)을 제거하는 단계와, 상기 렌즈용 물질(26)을 열처리하여 플로우되도록 하므로써 오목마이크로렌즈를 형성한후 패드(22) 영역을 제외한 표면에 염색층(27) 및 톱층(28)을 차례로 형성하고, 표면에 볼록마이크로렌즈(29)를 패터닝하는 단계를 차례로 실시하여 이루어지는 고체촬상소자 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 평탄층(25)으로 투명 아크릴수지를 사용하는 고체촬상소자 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 게이트(23)로 폴리실리콘을 사용하는 고체촬상소자 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 열처리시 180℃∼200℃에서 실시하는 고체촬상소자 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 톱층(28)으로 비감광성 투명아크릴 수지를 사용하는 고체촬상소자 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 포토다이오드(21)영역의 오목마이크로 렌즈두께를 0.5㎛∼1.5㎛로 하는 고체촬상소자 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 오목마이크로 렌즈를 평탄층(25) 및 염색층(27) 사이에 형성하는 고체촬상소자 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 포토다이오드(21)는 이온을 주입하여 형성하는 고체촬상소자 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 패드(22)로 금속을 사용하는 고체촬상소자 제조방법.
- 제 9 항에 있어서, 금속으로 Al을 사용하는 고체촬상소자 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 게이트(23) 두께를 2㎛∼3㎛로 하는 고체촬상소자 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 렌즈용 물질(26)과 볼록마이크로렌즈(29)의 물질로 동일한 것을 사용하는 고체촬상소자 제조방법.
- 제 1 항 또는 제12항에 있어서, 렌즈용 물질(26)로 비감광성수지 및 TMR-P3 그리고 MF006중 적어도 하나를 사용하는 고체촬상소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920025567A KR960013514B1 (ko) | 1992-12-26 | 1992-12-26 | 고체촬상소자 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920025567A KR960013514B1 (ko) | 1992-12-26 | 1992-12-26 | 고체촬상소자 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940016858A true KR940016858A (ko) | 1994-07-25 |
| KR960013514B1 KR960013514B1 (ko) | 1996-10-05 |
Family
ID=19346715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920025567A KR960013514B1 (ko) | 1992-12-26 | 1992-12-26 | 고체촬상소자 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960013514B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980039148A (ko) * | 1996-11-27 | 1998-08-17 | 문정환 | 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법 |
-
1992
- 1992-12-26 KR KR1019920025567A patent/KR960013514B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980039148A (ko) * | 1996-11-27 | 1998-08-17 | 문정환 | 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960013514B1 (ko) | 1996-10-05 |
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