Claims (23)
복수의 반도체 스위치 소자에 의해 형성된 인버터 주회로와, 상기 각 반도체 스위치 소자에 접속된 스너버회로와를 포함하여 이르고, 상기 각 반도체 스위치 소자에 GTO 다이리스터(thyristor)보다도 고주파 구동가능한 소자을 사용하여서된 인버터장치에 있어서, 상기 각 스너버 회로를 형성하는 스너버 콘덴서를 접속대상의 반도체 스위치 소자가 설치된 지지면에 대해서 상기 반도체 스위치 소자를 끼우는 위치에 배치한 것을 특징으로 하는 인버터장치.An inverter main circuit formed by a plurality of semiconductor switch elements, and a snubber circuit connected to each of the semiconductor switch elements, including a device capable of driving a higher frequency than a GTO thyristor for each of the semiconductor switch elements. An inverter device comprising: a snubber capacitor for forming each of the snubber circuits at a position at which the semiconductor switch element is fitted with respect to a support surface on which a semiconductor switch element to be connected is provided.
제1항에 있어서, 상기 반도체 스위치 소자를 전열성을 갖는 기판상에 재치하고, 각 반도체 스위치 소자의 주전극단자를 해당 반도체 스위치 소자의 반기판측에 설치하고, 그 기판을 통해서 상기 지지면에 부쳐, 상기 스너버 콘덴서를 해당 스너버 콘덴서의 단자가 접속대상의 반도체 스위치 소자의 상기 주전극단자에 근접하는 위치에 배치한 것을 특징으로하는 인버터장치.The semiconductor switch element according to claim 1, wherein the semiconductor switch element is placed on a substrate having heat conductivity, and a main electrode terminal of each semiconductor switch element is provided on the side of the semi-substrate of the semiconductor switch element, and is attached to the support surface through the substrate. And the snubber capacitor is arranged at a position where a terminal of the snubber capacitor is close to the main electrode terminal of a semiconductor switch element to be connected.
제1항에 있어서, 상기 반도체 스위치 소자가 고주파 구동 가능한 바이폴라 트랜지스터와 게이트 절연형 바이폴라 트랜지스터와 MOS 게이트로 제어되는 다이리터의 어느 하나를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 인버터장치.The inverter device according to claim 1, wherein the semiconductor switch element is formed by using any one of a high frequency drive bipolar transistor, a gate insulated bipolar transistor, and a diliter controlled by a MOS gate.
제1항에 있어서, 상기 스너버 회로를 형성하는 스너버 다이오드를 접속대상의 반도체 스위치 소자에 근접시켜서 배치한 것을 특징으로 하는 인버터장치.The inverter device according to claim 1, wherein a snubber diode for forming the snubber circuit is disposed close to a semiconductor switch element to be connected.
제1항에 있어서, 상기 반도체 스위치 소자는, 그 각 반도체 스위치 소자에 역병렬 접속되는 프리휘링 다이오드와 함께, 동일한 기판에 재치하여된 반도체 스위치 모듈로서 일체화로된 것을 특징으로 하는 인버터장치.The inverter device according to claim 1, wherein the semiconductor switch element is integrated as a semiconductor switch module mounted on the same substrate together with a prefiring diode connected in parallel to each semiconductor switch element.
제5항에 있어서, 상기 반도체 스위칭 모듈에, 상기 스너버 회로을 형성하는 스너버 다이오드를 일체로 짜맞추어서된 것을 특징으로 하는 인버터장치.The inverter device according to claim 5, wherein a snubber diode for forming the snubber circuit is integrally integrated with the semiconductor switching module.
복수의 반도체 스위치 소자에 의해 형성된 인버터 주회로와, 상기 반도체 소자에 접속된 스너버 회로와를 포함하여 이루고, 상기 반도체 스위치 소자에 GTO 다이리스터보다도 고주파 구동가능한 소자를 사용하여된 인버터장치에 있어서, 상기 반도체 스위치 소자는 일면이 냉각면, 이대면에 단자를 가진 모듈내에 수납되어서 반도체 스위치 모듈을 형성하고, 이 반도체 스위치 모듈의 냉각면이 도전성을 가지는 수열판의 일면에 당접하도록 이 반도체 스위치 모듈을 설치하고, 이 수열판을 상기 인버터장치가 설치되는 지지틀체에 취부하고, 이 수열판에 대해서 상기 반도체 스위치 모듈을 끼우는 위치에 지지부재를 설치하고, 이 지지부재의 상기 반도체 스위치 모듈측에 상기 스너버 회로의 구성요소인 스너버 콘덴서를 부치고, 이 스너버 콘덴서의 단자와 상기 반도체 스위치 모듈의 단자와를 전기적으로 접속한 인버터장치.An inverter device comprising an inverter main circuit formed by a plurality of semiconductor switch elements and a snubber circuit connected to the semiconductor element, wherein the inverter device comprises a device capable of driving at a higher frequency than a GTO thyristor. The semiconductor switch element includes a semiconductor switch module such that one surface of the semiconductor switch module is accommodated in a module having a cooling surface and a terminal on the opposite surface thereof to form a semiconductor switch module, and the cooling surface of the semiconductor switch module contacts one surface of a conductive heat sink. The heat sink is attached to a support frame on which the inverter device is installed, and a support member is provided at a position at which the semiconductor switch module is fitted with respect to the heat sink, and the switch is provided on the semiconductor switch module side. The snubber capacitor which is a component of a nubber circuit is attached, and the stage of this snubber capacitor And a drive device electrically connected to the terminal of the semiconductor switch modules.
제7항에 있어서, 상기 스너버 콘덴서를 상기 반도체 스위치 모듈에 근접 배치한 인버터장치.8. The inverter device according to claim 7, wherein said snubber capacitor is arranged in proximity to said semiconductor switch module.
제7항에 있어서, 상기 반도체 스위치 소자가 고주파 구동가능한 바이폴라 트랜지스터와 게이트 절연형 바이폴라 트랜지스터와 MOS 게이트로 제어되는 다이리스터의 어느 하나를 사용하여 형성된 인버터장치.8. The inverter device according to claim 7, wherein the semiconductor switch element is formed using any one of a high frequency drive bipolar transistor, a gate insulated bipolar transistor, and a thyristor controlled by a MOS gate.
제7항에 있어서, 상기 스너버 회로의 구성요소인 스너버 다이오드를 접속대상의 반도체 스위치 모듈에 근접시켜서 배치한 인버터장치.8. The inverter device according to claim 7, wherein a snubber diode which is a component of the snubber circuit is disposed in close proximity to a semiconductor switch module to be connected.
제7항에 있어서, 상기 반도체 스위치 소자는, 상기 반도체 스위치 소자에 역병렬 접속되는 플리휠링 다이오드와 함께, 동일한 기판에 재치하여 이룬 상기 반도체 모듈에 일체화되어있는 인버터장치.8. The inverter device according to claim 7, wherein the semiconductor switch element is integrated with the semiconductor module placed on the same substrate together with a flywheeling diode anti-parallel to the semiconductor switch element.
제11항에 있어서, 상기 반도체 모듈에, 상기 스너버 회로를 형성하는 스너버 다이도드를 일체로 조립하여 이룬 인버터장치.The inverter device according to claim 11, wherein a snubber die that forms the snubber circuit is integrally assembled to the semiconductor module.
3상 인버터 주회로를 형성하는 적어도 반도체 스위치 소자와 스너버 콘덴서와 게이트 드라이버 및 관련배선을 1상 마다로 분활하고, 1상마다 하나의 지지틀체에 짜맞추어서 파워모듈을 형성하고, 3상분의 파워모듈을 공통의 광체에 착탈 가능하게 짜맞추어서 이룬 전기차용 인버터장치.At least a semiconductor switch element, a snubber capacitor, a gate driver, and related wirings forming a main circuit of a three-phase inverter are divided into phases for each phase, and a power module is formed by fitting them into one support frame for each phase. Inverter device for an electric vehicle formed by attaching a module detachably to a common housing.
제13항에 있어서, 상기 각 상의 파워모듈이, 인버터 주회로 1상분의 직렬 접속된 복수의 반도체 스위치 모듈과, 그 각 반도체 스위치 모듈용의 스너버 회로를 형성하는 스너버 콘덴서 및 스너버 다이오드와, 상기 반도체 스위치 모듈을 포함하는 발열체를 냉각하는 냉각기와, 해당 파워모듈을 구성하는 부품이외와의 관련배선을 행하는 배선단자와를 포함하여 이루고, 상기 반도체 스위치 모듈을 수열판의 일면에 부치고, 그 수열판의 타의면에 상기 냉각기를 열적으로 접속하고, 그 냉각기를 상기 광체의 외축에 위치시켜서 상기 지지틀체를 해당 광체에 착탈가능하게 부치고, 상기 수열판에 대해서 상기 반도체 스위치 모듈을 끼우는 위치에 상기 스너버 콘덴서를 부친 것을 특징으로 하는 전기차용 인버터장치.14. The power module of claim 13, wherein each power module includes: a plurality of semiconductor switch modules connected in series for one phase of an inverter main circuit; a snubber capacitor and a snubber diode forming a snubber circuit for each semiconductor switch module; And a cooling terminal for cooling the heating element including the semiconductor switch module, and a wiring terminal for performing related wiring with other components constituting the power module, and attaching the semiconductor switch module to one surface of the heat receiving plate. The cooler is thermally connected to the other surface of the heat receiving plate, and the cooler is positioned on the outer axis of the housing so that the support frame is detachably attached to the housing, and the semiconductor switch module is fitted to the heat receiving plate. An inverter device for an electric vehicle, comprising a snubber capacitor.
제14항에 있어서, 상기 반도체 스위치 모듈의 주전극단자를 해당 반도체 스위치 모듈의 반기판측에 설치하고, 상기 스너버 콘덴서를 해당 스너버 콘덴서의 단자가 접속대상의 반도체 스위치 모듈인 상기 주전극단자에 근접하는 위치에 위치한 것을 특징으로 하는 인버터장치.15. The main electrode terminal of claim 14, wherein the main electrode terminal of the semiconductor switch module is provided on the side of the semi-substrate of the semiconductor switch module, and the snubber capacitor is connected to the main electrode terminal whose terminal of the snubber capacitor is a semiconductor switch module to be connected. Inverter device, characterized in that located in the proximity position.
제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 수열판에 설치한 1상분의 상기 반도체 스위치 모듈을, 직렬 접속되는 순으로 배열한 것을 특징으로 하는 전기차용 인버터장치.The inverter device for an electric vehicle according to claim 14 or 15, wherein the semiconductor switch module for one phase provided on the heat receiving plate is arranged in the order of being connected in series.
제14항에 있어서, 상기 파워 모듈이, 상기 스너버 회로를 형성하는 스너버 저항을 포함하여 이루고, 그 스너버 저항이 상기 지지틀체의 냉각기측에 설치한 것을 특징으로 하는 전기차용 인버터장치.The inverter apparatus for electric vehicles according to claim 14, wherein the power module includes a snubber resistor forming the snubber circuit, and the snubber resistor is provided on the cooler side of the support frame.
제14항에 있어서, 상기 파워 모듈이, 상기 스너버 회로를 형성하는 스너버 저항을 포함하여 이루고, 그 스너버 저항이 상기 수열판의 냉각기측에 부치는 것을 특징으로 하는 전기차용 인버터장치15. The inverter apparatus for electric vehicles according to claim 14, wherein the power module includes a snubber resistor forming the snubber circuit, and the snubber resistor is placed on the cooler side of the heat receiving plate.
제14항에 있어서, 상기 인버터 주회로를 형성하는 필터 콘덴서를 상기 파워 모듈의 상기 지지틀체에 지지시킨 것을 특징으로 하는 전기차용 인버터장치The inverter device for an electric vehicle according to claim 14, wherein a filter capacitor forming said inverter main circuit is supported on said support frame of said power module.
복수의 반도체 스위치소자와 필터 콘덴서를 포함하여 형성된 인버터 주회로와, 상기 각 반도체 스위치 소자에 접속된 스너버 회로와를 구비하여 이루고, 상기 각 반도체 스위치 소자에 GTO 다이리스터보다도 고주파 구동가능한 소자를 사용하여된 전기차용 인버터장치에 있어서, 상기 각 스너버 회로를 형성하는 스너버 콘덴서올 접속대상의 반도체 스위치 소자가 부처진 지지면에 대해서 상기 반도체 스위치 소자를 끼는 부처진 지지면에 대해서 상기 반도체 스위치 소자를 끼는 위치에 배치하고, 상기 필터 콘덴서를 상기 반도체 스위치에 대해서 상기 스너버 콘덴서를 끼우는 위치에 배치한 것을 특징으로 하는 전기차용 인버터장치An inverter main circuit including a plurality of semiconductor switch elements and a filter capacitor, and a snubber circuit connected to each of the semiconductor switch elements, wherein each element is capable of driving at a higher frequency than a GTO thyristor. In the inverter device for an electric vehicle, the semiconductor switch element for the snubber capacitor forming a snubber circuit, wherein the semiconductor switch element to be connected is broken against the support surface on which the semiconductor switch element is sandwiched. And the filter capacitor at the position where the snubber capacitor is inserted relative to the semiconductor switch.
3상 인버터의 구성부품을 1상마다 분활하고 각각 하나의 지지틀체에 짜맞추어서 파워모듈을 형성하고, 전 차차량의 바닥밑에 차량의 긴쪽방향에 따라서 설치되는 광체에, 그 광체의 긴쪽방향에 따라 3상분의 상기 파워모듈을 나란히 짜맞추서 이루고, 상기 각 상의 파워모듈을 구성하는 부품이, 인버터 주회로 1상분의 직렬접속된 복수의 반도체 스위치 모듈과, 상기 반도체 스위치 모듈용의 스너버 회로를 형성하는 스너버 콘덴서 및 스너버 다이오드와, 출력전류를 검출하는 전류변성기와, 상기 반도체 스위치 모듈을 온·오프 구동하는 게이트 드라이버와, 상기 반도체 스위치 모듈을 포함하는 발열소자를 냉각하는 냉각기와, 해당 파워 모듈을 구성하는 부품이외와의 관련배선을 행하는 배선단자와를 포함하여 이루어지고, 상기 각 반도체 스위치 모듈은, 각각 전열성을 갖는 기판에 절연부재를 통해서 반도체 스위치 소자를 재치하고, 주 전극단자를 반기판측에 배치하여 형성되고, 상기 스너버 다이오드는, 전열성을 갖는 기판에 전열부재를 통해서 다이오드 소자를 재치하여 형성되고, 상기 각 반도체 스위치 모듈과 상기 스너버 다이오드와를 각각 상기 기판을 통해서 도전성을 갖이는 수열판의 일면에 취부하고, 그 수열판을 상기 지지틀체에 설치하는 동시에 그 수열판의 타면에 상기 냉각기를 열적으로 접속하고, 상기 수열판에 대해서 평행 또한 상기 반도체 스위치 모듈을 끼우는 위치에 지지부재를 설치하고, 그 지지부재의 상기 반도체 스위치 소자측에 상기 스너버 콘덴서를 설치하고, 상기 필터 콘덴서를 상기 반도체 스위치 모듈에 대해서 상기 스너버 콘덴서를 끼는 위치에, 또한 해당 스너버 콘덴서의 단자가 접속대상의 반도체 스위치 모듈의 상기 주전극 단자에 근접하는 위치에 배치하고, 그 필터 콘덴서의 상방에 위치시켜서 상기 전류변성기와 상기 게이트 드라이버와를 상기 지지틀체에 취부하고, 상기 파워모듈을 상기 광체의 차량측면에 형성된 개구부에, 상기 지지틀을 통해서 상기 냉각기를 외측에 위치시켜서 착탈 가능에 취부한 것을 특징으로 하는 전기차용 인버터장치.The components of the three-phase inverter are divided into phases and assembled into a single support frame to form a power module, and a body installed under the vehicle's bottom side along the longitudinal direction of the vehicle, according to the longitudinal direction of the body The power modules for three phases are formed side by side, and the components constituting the power modules for each phase form a plurality of semiconductor switch modules connected in series for one phase of an inverter main circuit, and a snubber circuit for the semiconductor switch module. A snubber capacitor, a snubber diode, a current transformer for detecting an output current, a gate driver for driving the semiconductor switch module on and off, a cooler for cooling a heating element including the semiconductor switch module, and a corresponding power supply; And a wiring terminal for carrying out related wiring with other components constituting the module. The semiconductor switch element is mounted on a substrate having heat conductivity through an insulating member, and the main electrode terminal is disposed on the side of the semi-substrate. The snubber diode is a diode having heat conduction through a heat transfer member. The semiconductor switch module and the snubber diode are mounted on one surface of the conductive heat receiving plate through the substrate, and the heat receiving plate is mounted on the support frame. The cooler is thermally connected to the other surface of the hot plate, and a support member is provided at a position parallel to the heat receiving plate and in which the semiconductor switch module is fitted, and the snubber capacitor is provided on the semiconductor switch element side of the support member. And the filter capacitor at a position where the snubber capacitor is fitted with respect to the semiconductor switch module. The terminal of the burr capacitor is disposed at a position proximate to the main electrode terminal of the semiconductor switch module to be connected, and is positioned above the filter capacitor so that the current transformer and the gate driver are mounted on the support frame. An electric vehicle inverter device, wherein the module is attached to and detachable from the opening formed in the vehicle side of the housing by placing the cooler on the outside through the support frame.
제21항에 있어서, 상기 3상분의 파워모듈군을 2조 구비하고, 그 2조의 파워 모듈군을 그 각 파워모듈군의 제어모듈을 중심으로하여 상기 광체의 긴쪽방향에 나란히 배치한 것을 특징으로 하는 전기차용 인버터장치.22. The apparatus according to claim 21, wherein two sets of three-phase power module groups are provided, and the two sets of power module groups are arranged side by side in the longitudinal direction of the housing centering on the control modules of the respective power module groups. Inverter device for electric vehicles.
제21항에 있어서, 상기 필터 콘덴서를 상기 지지틀체에 지지시킨 것을 특징으로 하는 전기차용 인버터장치.The inverter device for electric vehicles according to claim 21, wherein the filter capacitor is supported on the support frame.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.