KR940012641A - 밀착형 이메지 센서 - Google Patents

Abstract

본 발명은 밀착형 이메지 센서에 관한 것으로, 종래의 밀착형 이메지 센서는 라인당 스탠 스피드가 5msec정도로써, 라인당 1-2msec의 스캔 스피드의 400dpi(16dot/mm)의 해당도를 요구하는 GⅣ급 팩스용 밀착형 이메지 센서에 적합하지 못한 문제점이 있어 이를 개선한 것이다.

이와같은 본 발명은 광전변환부를 2열로 구성하고 1열의 박막트랜지스터부로 2열의 광전환변부를 구동할수 있도록 하여 포토다이오드 펄스를 서로 반대신호가 되도록 인가하였다.

따라서, 라인당 스캔 스피드가 향상되어 GⅣ급 이상의 팩스용 밀착형 이메지 센서로 대용할 수 있다.

Description

밀착형 이메지 센서

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제3도는 본 발명의 밀착형 이메지 센서의 등가회로도.

제4도는 본 발명의 밀착형 이메지 센서의 구조단면도.

제5도는 본 발명의 밀착형 이메지 센서의 평면도.

제6도는 본 발명의 이메지 센서 어레이의 타이밍 차트.

Claims (7)

1. m개의 포토디이도를 한블럭으로 하여 n블럭으로 1열로 배열하여 빛의 신호를 전기적인 신호로 변환하는 제1광전변환부(1a)와, m개의 포토다이오드를 한블록으로 하여 n블럭으로 제1광전변환부(1a)와 상응하도록 1열로 배열하여 빛의 신호를 전기적인 신호로 변환하는 제2광전변환부(1b)와, m개의 박막트랜지스터를 한블럭으로 하여 n블럭으로 상기 제1, 제2광전변환부(1a, 1b)에 상응하도록 1열 배열하여 각 포토다이오드에서 축적된 캐리어를 각각 스위칭하는 박막 트랜지스터부(2)와, 제1, 제2광전변환부(1a, 1b)와 포토다이오드 바이어스 라인(10a, 10b)를 통해 연결되어 포토다이오드 펄스를 인가하는 포토다이오드 펄스 드라이빙 회로부(12)와, 상기 박막트랜지스터부(2)와 게이트 어드레스 라인(11)을 통해 연결되어 박막 트랜지스터의 게이트 펄스를 인가하는 게이트 펄스 드라이빙 회로부(13)와, 상기 제1, 제2광전변환부(1a, 1b)에서 축적된 캐리어를 박막트랜지스터부(2) 및 데이타 라인(5)을 통해 순차적으로 처리하는 리스 아웃 LSI부(14)를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 밀착형 이메지 센서.
2. 제1항에 있어서, 제1광전변환부(1a)의 각 블록의 k+1번째 포토다이오드는 제2광전변환부(1b)의 k번째 포토다이오드와 이웃하도록 구성됨을 특징으로 하는 밀착형 이메지 센서.
3. 제1항에 있어서, 제1광전 변환부(1a) 각 블록의 K번째 포토다이오드 하부전극(8a)는 제2광전변환부(1b) 각 블록의 K번째 포토다이오드 하부전극(8b)과 서로 연결됨을 특징으로 하는 밀착형 이메지 센서.
4. 제1항에 있어서, 포토다이오드 펄스 드라이빙 회로부(12)는 제1광전변환부(1a)와 제2광전변환부에 서로 반대신호를 인가함을 특징으로 하는 밀착형 이메지 센서.
5. 제1항에 있어서, 게이트 어드레스 라인은 각 블록의 박막트랜지스터부(2)을 공통으로 하여 n개 형성됨을 특징으로 하는 밀착형 이메지 센서.
6. 제1항에 있어서, 데이타 라인(5)은 각 블록의 같은 번째 박막트랜지스터에 공통으로 연결되도록 m개 형성함을 특징으로 하는 밀착형 이메지 센서.
7. 제1항에 있어서, 각 데이타 라인(5)에는 제1, 제2광전변환부(1a, 1b)에서 생성된 캐리어를 저장할 수 있는 라인 커패시터(C₁₁∼C₁₅)를 구비함을 특징으로 하는 밀착형 이메지 센서.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.