KR940012485A - 진공 처리장치 - Google Patents
진공 처리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940012485A KR940012485A KR1019930024820A KR930024820A KR940012485A KR 940012485 A KR940012485 A KR 940012485A KR 1019930024820 A KR1019930024820 A KR 1019930024820A KR 930024820 A KR930024820 A KR 930024820A KR 940012485 A KR940012485 A KR 940012485A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chamber
- vacuum
- vacuum processing
- pressure
- exhaust
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
진공처리장치는, 피처리체에 소정의 진공처리를 실시하는 진공처리실과, 그 진공처리실에 대한 피처리체의 반출입시에, 그 내부 압력이 진공처리실의 압력과 대기압과의 사이에서 변동되는 예비진공실과, 예비진공실 내를 배기하는 배기 수단을 갖추고 있다. 배기수단은, 최소한 하나의 상기 예비진공실 내의 벽면으로부터 떨어진 위치에 위치하는 배기구를 가지고 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 한 형태에 관한 플라즈마 에칭장치를 나타내는 단면도.
제3도는 본 발명의 경우의 배기흐름을 모식적으로 나타내는 도면.
제4도는 제1도의 장치에서의 예비 진공실의 변형예를 나타내는 도면.
제5A, 5B, 5C도는 본 발명의 배기구의 변형예를 나타내는 그림.
제6도는 배기관을 구동시키는 기구를 나타내는 도면.
제7도는 배기관의 다른 예를 나타내는 도면.
제8도는 본 발명의 다른 형태에 관한 진공처리장치에 사용되는 예비 진공실을 나타내는 단면도.
제9도는 제8도의 예비진공실 내부를 나타내는 사시도.
Claims (16)
- 피처리체의 소정의 진공처리를 실시하는 진공처리실과, 그 진공처리실에 대한 상기 피처리체의 반출입에 있어서, 그 내부의 압력이 상기 진공처리실의 압력과 대기압과의 사이에서 변동되는 압력변동실과, 압력 변동실내를 배기하는 배기수단을 갖추고, 상기 배기수단은, 최소한 하나의 상기 예비진공실내의 벽면으로부터 떨어진 위치에 위치하는 배기구를 가지고 있는 진공처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 배기수단은 상기 압력변동실내로 돌출하는 배기관을 가지며, 그 앞끝단에 배기구가 형성되어 있는 진공처리장치.
- 제2항에 있어서, 상기 배기구가 필터를 가지는 진공처리장치.
- 제2항에 있어서, 상기 배기구가 여러개의 작은 구멍을 가지는 진공처리장치.
- 제2항에 있어서, 상기 배기관은 그 앞끝단부가 분기하고 있으며, 이들 앞끝단부 각각에 배기구를 가지는 진공처리장치.
- 제2항에 있어서, 상기 배기관의 상기 압력변동실내에 존재하는 부분을 이동시키는 구동수단을 가지는 진공처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 압력변동실은, 대기측과 상기 진공처리실과의 사이에서 피처리체를 반송할 때에, 대기측으로부터 피처리체가 반입될 때에는 대기압으로 유지되고, 진공처리실에 반출할 때에는, 진공처리실내의 진공도로 유지되는 진공처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 압력변동실은, 피처리체 반송기구를 가지고 있으며, 상기 배기구는, 상기 피처리체 반송기구상의 피처리체의 아래쪽에 위치되는 진공처리장치.
- 피처리체에 소정의 진공처리를 하는 진공처리실과, 그 진공처리실에 대한 상기 피처리체의 반출입시에, 그 내부의 압력이 상기 진공처리실의 압력과 대기압과의 사이에서 변동되는 압력변동실과, 압력변동실 내를 배기하는 배기수단을 갖추고, 상기 배기수단은, 벽면에 설치된 배기구와, 그 벽면에 대향해서 설치되고, 다수의 미세구멍을 가지는 배기부재를 가지며, 압력변동실 내부는 배기부재의 미세구멍을 통해서 배기구로부터 배기되는 진공처리장치.
- 제9항에 있어서, 상기 배기부재가 다공질체로 형성되어 있는 진공처리장치.
- 제10항에 있어서, 상기 배기부재가, 상기 예비처리실의 저면벽의 대량 전체면을 덮고 있는 진공처리 장치.
- 제9항에 있어서, 상기 배기부재와 상기 압력변동실의 저면 벽과의 사이에 통기실이 형성되어 있는 진공처리장치.
- 제12항에 있어서, 상기 배기부재와, 상기 통기실이 유니트화되어 있는 진공처리장치.
- 피처리체의 소정의 진공처리를 하는 진공처리실과, 그 진공처리실에 대한 상기 피처리체의 반출입시에, 그 내부의 압력이 상기 진공처리실 압력과 대기압과의 사이에서 변동되는 압력변동실과, 압력변동실 내를 배기하는 배기수단을 갖추고, 상기 배기수단은, 그 앞끝단에 배기구가 형성된 다수의 침 형상 배기관을 가지는 진공처리장치.
- 피처리체에 소정의 진공처리를 하는 여러개의 진공처리실과, 이들 진공처리실에 대한 상기 피처리체의 반출입을 행하고, 그 때에 그 내부 압력이 상기 진공처리실의 압력과 대기압과의 사이에서 변동되는 반송실을 갖추고, 상기 배기수단은, 최소한 1개의 상기 예비진공실내의 벽면으로부터 떨어진 위치에 위치하는 배기구를 가지고 있는 진공처리장치.
- 제15항에 있어서, 상기 반송실과의 사이에서 피처리체의 반출입을 행하며, 그 때에 그 내부의 압력이 상기 진공처리실의 압력과 대기압과의 사이에서 변동되는 로드록실을 가지는 진공처리장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4335186A JPH06158360A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 真空処理装置 |
JP92-335186 | 1992-11-20 | ||
JP02376793A JP3173681B2 (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 真空排気装置及びその方法 |
JP93-23767 | 1993-01-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940012485A true KR940012485A (ko) | 1994-06-23 |
KR100248562B1 KR100248562B1 (ko) | 2000-03-15 |
Family
ID=26361178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930024820A KR100248562B1 (ko) | 1992-11-20 | 1993-11-20 | 진공처리장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5433780A (ko) |
KR (1) | KR100248562B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100827676B1 (ko) * | 2006-10-11 | 2008-05-07 | 주식회사 아토 | 웨이퍼 이송 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 이송 방법 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030152495A1 (en) * | 1997-06-13 | 2003-08-14 | Tadahiro Ohmi | Gas recovering apparatus, vacuum exhausting method, and vacuum exhausting apparatus |
US6071375A (en) * | 1997-12-31 | 2000-06-06 | Lam Research Corporation | Gas purge protection of sensors and windows in a gas phase processing reactor |
US5948169A (en) * | 1998-03-11 | 1999-09-07 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Apparatus for preventing particle deposition in a capacitance diaphragm gauge |
US6302960B1 (en) | 1998-11-23 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Photoresist coater |
GB2363129A (en) * | 2000-05-04 | 2001-12-12 | Boc Group Plc | Gas supply method and apparatus |
JP4790291B2 (ja) * | 2005-03-10 | 2011-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、記録媒体および基板処理装置 |
US20070119393A1 (en) * | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Ashizawa Kengo | Vacuum processing system |
US20080157007A1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Active particle trapping for process control |
JP4312805B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2009-08-12 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体製造装置とそれを用いた半導体ウェハの製造方法およびそのプログラムを記録した記録媒体 |
JP5102706B2 (ja) * | 2008-06-23 | 2012-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | バッフル板及び基板処理装置 |
US9162209B2 (en) * | 2012-03-01 | 2015-10-20 | Novellus Systems, Inc. | Sequential cascading of reaction volumes as a chemical reuse strategy |
JP2014150109A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 減圧処理装置 |
CN105164788B (zh) * | 2013-04-30 | 2020-02-14 | 应用材料公司 | 具有空间分布的气体通道的气流控制衬垫 |
CN105580107B (zh) * | 2013-09-30 | 2019-02-19 | 应用材料公司 | 传送腔室气体净化装置、电子设备处理系统及净化方法 |
US20150206741A1 (en) | 2014-01-17 | 2015-07-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for in situ steam generation |
JP6240695B2 (ja) | 2016-03-02 | 2017-11-29 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
US10119191B2 (en) | 2016-06-08 | 2018-11-06 | Applied Materials, Inc. | High flow gas diffuser assemblies, systems, and methods |
JP7234549B2 (ja) * | 2018-09-12 | 2023-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空搬送モジュール及び真空搬送方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3875068A (en) * | 1973-02-20 | 1975-04-01 | Tegal Corp | Gaseous plasma reaction apparatus |
US4269137A (en) * | 1979-03-19 | 1981-05-26 | Xerox Corporation | Pretreatment of substrates prior to thin film deposition |
JPH0225577A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
US5316579A (en) * | 1988-12-27 | 1994-05-31 | Symetrix Corporation | Apparatus for forming a thin film with a mist forming means |
US5076205A (en) * | 1989-01-06 | 1991-12-31 | General Signal Corporation | Modular vapor processor system |
EP0408216A3 (en) * | 1989-07-11 | 1991-09-18 | Hitachi, Ltd. | Method for processing wafers and producing semiconductor devices and apparatus for producing the same |
US5054420A (en) * | 1989-09-29 | 1991-10-08 | Alcan International Limited | Use of a particulate packed bed at the inlet of a vertical tube MOCVD reactor to achieve desired gas flow characteristics |
US5186756A (en) * | 1990-01-29 | 1993-02-16 | At&T Bell Laboratories | MOCVD method and apparatus |
US5227340A (en) * | 1990-02-05 | 1993-07-13 | Motorola, Inc. | Process for fabricating semiconductor devices using a solid reactant source |
US5304248A (en) * | 1990-12-05 | 1994-04-19 | Applied Materials, Inc. | Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions |
JP2580928Y2 (ja) * | 1991-08-22 | 1998-09-17 | 日本電気株式会社 | 気相成長装置 |
-
1993
- 1993-11-19 US US08/154,563 patent/US5433780A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-11-20 KR KR1019930024820A patent/KR100248562B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100827676B1 (ko) * | 2006-10-11 | 2008-05-07 | 주식회사 아토 | 웨이퍼 이송 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 이송 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100248562B1 (ko) | 2000-03-15 |
US5433780A (en) | 1995-07-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR940012485A (ko) | 진공 처리장치 | |
US4442338A (en) | Plasma etching apparatus | |
EP0295083A3 (en) | Apparatus and method for enhanced chemical processing in high pressure and atmospheric plasmas produced by high frequency electro-magnetic waves | |
KR930017103A (ko) | 드라이 에칭 방법 및 그 장치 | |
KR970013175A (ko) | 기판처리장치 | |
KR920010775A (ko) | 진공처리장치 | |
WO2010025253A4 (en) | Load lock chamber for large area substrate processing system | |
KR960030320A (ko) | 기판처리장치 | |
WO2006091588A3 (en) | Etching chamber with subchamber | |
EP0935279A3 (en) | Device and method for load locking for semiconductor processing | |
WO2001082355A3 (en) | Method and apparatus for plasma cleaning of workpieces | |
US5292396A (en) | Plasma processing chamber | |
TW200501266A (en) | Substrate processing apparatus | |
KR970067539A (ko) | 기판처리장치 | |
WO2003033761A3 (de) | Mehrkammervakuumanlage, verfahren und vorrichtung zu ihrer evakuierung | |
KR100988169B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
WO2005043599A3 (en) | Electron beam treatment apparatus | |
WO2002025696A3 (en) | Reducing deposition of process residues on a surface in a chamber | |
WO2005066716A3 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
KR970063475A (ko) | 이온주입장치의 배기장치 | |
WO2002082506A3 (en) | Continuous thermal evaporation system | |
JPS5516475A (en) | Plasma processing unit | |
KR100724284B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
KR960009553Y1 (ko) | 반도체용 증착로 | |
JPH07283203A (ja) | 表面処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20081202 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |