KR940010516A - 광대역 고격리 및 저삽입 손실 분산형 스위치회로 - Google Patents

광대역 고격리 및 저삽입 손실 분산형 스위치회로 Download PDF

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KR940010516A
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  • Electronic Switches (AREA)
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Abstract

본 발명은 광대역 송수신 모듈에 사용되는 광대역 고격리 및 저삽입 손실 특성을 갖는 분산형 스위치 회로에 관한 것이다. 본 발명은 스위칭 수단인 MESFET(T1 내지 T5)와 코일(L1 내지 L4)을 주기적으로 배열하여 상기 MESFET(T1 내지 T5)의 드레인과 소오스간의 캐패시터(Cds)를 흡수시키는 인공전송선구조를 거쳐, 광대역 고격리 및 저삽입 손실 특성을 갖도록 구성하였다.

Description

광대역 고격리 및 저삽입 손실 분산형 스위치회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 회로 구성도.

Claims (5)

  1. 광대역 송수신 모듈에 이용되는 스위칭 회로에 있어서, 입력단에 연결된 제1스위칭 수단(T1)과, 상기 제1스위칭 수단(T1)에 연결된 제1코일(L1)과, 상기 제1코일(L1)에 연결된 제2코일(L2)과, 상기 제1및 제2코일(L1,L2)의 접속점과 접지 사이에 연결된 제2스위칭 수단(T2)과, 상기 제2코일(L2)에 연결된 제3코일(L3)과, 상기 제2및 제3코일(L2,L3)의 접속점과 접지 사이에 연결된 제3스위칭 수단(T3)과, 상기 제3코일(L3)에 연결된 제4코일(L4)과, 상기 제3및 제4코일(L3,L4)의 접속점과 접지 사이에 연결된 제4스위칭 수단(T4)과, 상기 제4코일(L4)과 출력단 사이에 연결된 제5스위칭 수단(T5)를 구비하여 인공전송선 구조로 동작하는 것을 특징으로 하는 고격리 및 저삽입 손실 분산형 스위치 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제5스위칭 수단은 각각 MESFET로 구성되는 것을 특징으로 하는 고격리 및 저삽입 손실 분산형 스위치 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2코일(L2)과 제3코일(L3)은 크기가 서로 동일하게 구성되는 것을 특징으로 하는 고격리 및 저삽입 손실 분산형 스위치 회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2코일(L2)과 제3코일(L3)은 크기가 서로 동일하게 구성되는 것을 특징으로 하는 고격리 및 저삽입 손실 분산형 스위치 회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제4코일(L1,L4)은 상기 제2 및 제3코일(L3) 보다 크기가 두배로 구성되는 것을 특징으로 하는 고격리 및 저삽입 손실 분산형 스위치 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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