KR940002883A - 분말 이산화망간 코팅 소성 제조방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 title claims 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 title 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 abstract 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract 1
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Abstract
본 발명은 탄탈고체 전해 콘덴서와 소성 공정중 전해질 형성제조 방법에 관한 것으로, 특히 전해질 형성시 종래의 공정에서 열분해 방식에 따른 단점을 개선하고자 이산화망간(MnO2)을 8-13회 도포하는 공정을 본 발명에 공정에선 3-4회 도포로 줄이고, 그 위에 직접 이산화망간액을 코팅하므로서 도포 횟수 반복에 따른 비용 절감 및 열적 스트레스를 줄여 탄탈소자의 누설전류를 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가)(나)(다)(라)는 본 발명의 공정도.
Claims (1)
- 탄탈고체 전해콘덴서의 소성공정에서 탄탈소자 위에 산화탄탈피막(Ta2O5)이 형성된 상태에 있어서, 질산망간(Mn(NO3)2) 수용액에 3-4회에 걸쳐 반복 함침하여 이산화망간층(MnO2)을 산화피막(Ta2O5)위에 도포하는 제1단계와, 산화피막(Ta2O5)위에 전기로 내에서 240℃-300℃ 온도로 가열하여 이산화망간층(MnO2)을 형성시키는 제2단계와, 이산화망간 분산액(MnO2+H2O)에 상기의 소자를 도포한후 추출하여 전기로에서 100℃온도로 건조시켜 완성시키는 제3단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분말 이산화망간 코팅형 소성방법.※ 참고사항：최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920013584A KR950002643B1 (ko) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 탄탈 전해 콘덴서의 소성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920013584A KR950002643B1 (ko) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 탄탈 전해 콘덴서의 소성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940002883A true KR940002883A (ko) | 1994-02-19 |
| KR950002643B1 KR950002643B1 (ko) | 1995-03-23 |
Family
ID=19337168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920013584A KR950002643B1 (ko) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 탄탈 전해 콘덴서의 소성방법 |
Country Status (1)
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|---|---|
| KR (1) | KR950002643B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170100482A (ko) * | 2014-12-25 | 2017-09-04 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 전해질 재료, 액상 조성물 및 고체 고분자형 연료 전지용 막 전극 접합체 |
-
1992
- 1992-07-29 KR KR1019920013584A patent/KR950002643B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170100482A (ko) * | 2014-12-25 | 2017-09-04 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 전해질 재료, 액상 조성물 및 고체 고분자형 연료 전지용 막 전극 접합체 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950002643B1 (ko) | 1995-03-23 |
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