KR0135468B1 - 탄탈콘덴서의 소성방법 - Google Patents
탄탈콘덴서의 소성방법Info
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Abstract
본 발명은 탄탈콘덴서의 소성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 콘덴서의 중요 특성을 결정하는 소성공정에서의 질산망간액의 함침을 실시하는 탄탈콘덴서의 소성 방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 탄탈콘덴서의 제조공정인 소성공정에 있어서 탄탈소자의 표면에 질산망간을 고르게 분포하여 이산화망간층의 결합력을 좋게하며 또한 신뢰성을 높이는 탄탈콘덴서의 소성방법을 제공함이다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 질산망간액에 탄탈소자를 침적하고 열분해를 실시하여 탄탈소자 표면에 이산화망간층을 형성하는 탄탈콘덴서의 소성방법에 있어서, 상기 탄탈소자를 1차 공정으로 10∼20% 농도의 질산망간액에 침적하여 3∼7회 열분해를 실시하고, 2차공정으로 상기 탄탈소자를 30∼50% 농도의 질산망간액에 침적하고 2∼3회 열분해를 실시하며, 3차 공정으로 상기 탄탈소자를 60∼80% 농도의 질산망간액에 침적하고 3∼7회 열분해를 실시하는 것을 특징으로 한다.
Description
제1도는 종래의 실시예에 따른 특성을 도시하는 도면으로,
도면(A)는 손실특성을 도시하는 그래프도, 또한
도면(B)는 누설전류 특성을 도시하는 그래프도.
제2도는 본 발명의 양호한 일실시예에 따른 특성을 도시하는 도면으로,
도면(A)는 손실특성을 도시하는 그래프도, 또한
도면(B)는 누설전류 특성을 도시하는 그래프도.
본 발명은 탄탈콘덴서의 소성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 콘덴서의 중요 특성을 결정하는 소성공정에서의 질산망간액의 함침을 실시하는 탄탈콘덴서의 소성 방법에 관한 것이다.
탄탈콘덴서는 탄탈분말에 바인더(binder)를 혼합하여 펠릿(pellet)을 성형하는 성형공정과, 순수한 탄탈분말만을 소결시키는 소결공정과, 소자용접공정과, 탄탈표면에 유전체를 형성하는 화성공정이 순차진행되어 소성로에서 이산화망간층을 형성하는 소성공정으로 이어지며 이후 조립, 리드(Lead)용접, 외장공정으로 진행한다.
전술한 제조공정에서 소성공정은 화성공정에서 산화피막을 입힌 탄탈소자의 피막위에 전해질층을 형성하기 위하여 탄탈소자를 질산망간의 수용액(Mn(NO3)2)에 침적시킨후 소성로에서 열분해시켜 소자의 표면에 이산화망간(MnO2)고체 전해질층을 형성한다.
전술한 질산망간의 수용액(Mn(NO3)2)에 탄탈소자를 침적하고 열분해 하는 종래의 방법으로는 1차 공정으로 10∼20% 농도의 질산망간액에 탄탈소자를 침적하여 5∼8회 열분해를 실시하고, 2차공정으로 60∼70% 농도의 질산망간액에 침적하여 6∼10회 열분해를 실시하는데, 전술한 소성방법에서는 다음과 같은 문제점이 발생하다.
질산망간액에의 탄탈소자의 침적시 저농도와 고농도의 차이가 크기때문에 탄탈소자의 기공사이에 형성되는 이산화망간층의 결합력이 저하되며, 이로인해 접촉저항의 증가와 이산화망간층의 분리현상이 발생하여 콘덴서의 중요특성인 손실 및 누설전류에 대한 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다.
또한, 탄탈소자의 이산화망간(MnO2)층의 분리로 인하여 탄탈소자의 카본(carbon)액 도포시 카본액의 탄탈소자의 내부로 침투되어 쇼트(short)가 발생하는 문제점이 있다.
따라서 본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 창출한 것이다.
본 발명의 목적은 탄탈콘덴서의 제조공정인 소성공정에 있어서 탄탈소자의 표면에 질산망간을 고르게 분포하여 이산화망간층의 결합력을 좋게하며 또한 신뢰성을 높이는 탄탈콘덴서의 소성방법을 제공함이다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 질산망간액에 탄탈소자를 침적하고 열분해를 실시하여 탄탈소자 표면에 이산화망간층을 형성하는 탄탈콘덴서의 소성방법에 있어서, 상기 탄탈소자를 1차 공정으로 10∼20% 농도의 질산망간액에 침적하여 3∼7회 열분해를 실시하고, 2차공정으로 상기 탄탈소자를 30∼50% 농도의 질산망간액에 침적하고 2∼3회 열분해를 실시하며, 3차 공정으로 상기 탄탈소자를 60∼80% 농도의 질산망간액에 침적하고 3∼7회 열분해를 실시하는 것을 특징으로 한다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 양호한 일실시예에 따른 탄탈콘덴서의 소성방법을 설명하기로 한다.
화성공정을 마친 탄탈소자의 표면에는 산화피막을 형성하고, 이산화망간(MnO2)고체 전해질층을 형성하기 위해 질산망간(Mn(NO3)2)수용액에 침적하는데, 본 발명의 탄탈콘덴서의 소성방법으로는 1차적으로 10∼20% 농도를 갖는 질산망간액에 전술한 탄탈소자를 침적하고 이후 3∼7회 열분해를 실시하고, 2차적으로 30∼50% 농도를 갖는 질산망간액에 전술한 탄탈소자를 침적하여 2∼3회 열분해를 실시하고, 3차적으로 60∼80% 농도를 갖는 질산망간액에 전술한 탄탈소자를 침적하고 3∼7회 열분해를 실시하여 탄탈소자의 표면에 이산화망간(MnO2)층을 형성시킨다.
전술한 열분해는 통상적으로 쓰이는 250∼330℃의 온도를 인가하여 주는 것이 바람직하다. 전술한 본 발명에 의하면 종래의 손실 및 누설전류를 도시하는 제1도보다 본 발명의 제2도에서 처럼 손실 특성(도면 A)이 종래에 비해 향상되고 또한 누설전류(도면 B)역시 종래에 비해 상대적으로 향상하는 것을 볼 수 있다.
그러므로 전술한 바와 같은 본 발명의 탄탈콘덴서의 소성방법은 소성공정에서 탄탈소자의 표면 기공사이에 질산망간액을 충분히 흡착시키며, 또한 이산화망간층의 형성시 결합력을 높임으로써 이산화망간층의 분리를 방지하고 쇼트(short)발생을 방지하므로 콘덴서의 중요특성인 손실 및 누설전류의 특성을 향상하여 고신뢰성의 탄탈콘덴서를 제조하는 효과가 있는 아주 유용한 발명이다.
Claims (1)
- 질산망간액에 탄탈소자를 침적하고 열분해를 실시하여 탄탈소자 표면에 이산화망간층을 형성하는 탄탈콘덴서의 소성방법에 있어서, 상기 탄탈소자를 1차 공정으로 10∼20% 농도의 질산망간액에 침적하여 3∼7회 열분해를 실시하고, 2차 공정으로 상기 탄탈소자를 30∼50% 농도의 질산망간액에 침적하고 2∼3회 열분해를 실시하며, 3차 공정으로 상기 탄탈소자를 60∼80% 농도의 질산망간액에 침적하고 3∼7회 열분해를 실시하는 것을 특징으로 하는 탄탈콘덴서의 소성방법.
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| KR960025856A KR960025856A (ko) | 1996-07-20 |
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