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반도체소자 제조공정에서, 프리-실리사이드세정을 할때, HF용액세정후, 수산화암모늄용액으로 다시 세정을 함으로써, HF세정시 웨이퍼표면에 부착되는 미세한 오염물질을 제거하여 반도체수율을 향상시킬 수 있다.In the semiconductor device manufacturing process, when pre-silicide cleaning, after washing the HF solution, and washed again with ammonium hydroxide solution, it is possible to remove the fine contaminants attached to the wafer surface during HF cleaning to improve the semiconductor yield.
Description
프리-실리사이드 세정방법Pre-Silicide Cleaning Method
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.
Claims (1)
반도체소자 제조공정에서 텅스텐-실리사이드 증착을 하기 위한 세정방법에 있어서, 웨이퍼를 탈이온화수(DI)에 담그는 단계와, 상기 웨이퍼를 HF 용액에 담구어 탈이온화수를 세턱하는 단계와, 상기 HF의 담금단계에서 웨이퍼표면에 부착되는 오염물질을 제거하기 위해 상기 웨이퍼를 NH4OH용액에 담그는 단계와, 상기 NH4OH용액세정에 의한 텅스텐-실리사이드의 부상현상을 방지하기 위해 상기 웨이퍼를 다시 HF 용액에 담그는 단계와, 상기 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프리-실리사이드 세정방법.A cleaning method for depositing tungsten-silicide in a semiconductor device manufacturing process, the method comprising: immersing a wafer in deionized water (DI), immersing the wafer in an HF solution and washing the deionized water with water Dipping the wafer in NH 4 OH solution to remove contaminants adhering to the wafer surface in the immersion step, and again replacing the wafer with HF solution to prevent floating of tungsten-silicide by NH 4 OH solution cleaning. And dipping in the wafer; and drying the wafer.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.※ Note: This is to be disclosed by the original application.