KR930020595A - 반도체 세정장치 및 세정방법 - Google Patents

반도체 세정장치 및 세정방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 세정장치 및 세정방법에 관한 것으로, 세정조, 상기 세정조를 둘러싸는 모양으로 형성된 순환조, 상기 세정조내에 그 일단부가 연결된 세정용액 공급관들, 및 일단부는 순환조와, 다른 일단부는 세정조와 연결된 강제순환시스템으로 구서된 세정장치에 있어서, 오존가스 발생기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정장치 및 세정방법을 제공한다. 따라서, 종래의 세정용액에 오존가스를 주입함으로써, 불산에 대한 에칭율의 의존도를 감소시키고, 질산의 농도를 낮추어 오염물질이 입자가 재부착되는 것을 방지할 수 있으므로 신뢰성있는 반도체장치를 제조할 수 있게 한다.

Description

반도체 세정장치 및 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 반도체 세정장치를 간략하게 도시한 모식도.
제3도는 본 발명에 의한 반도체 세정공정을 도시한 공정흐름도.
제4a도 및 제4b도는 종래의 세정방법과 본 발명에 의한 세정방법을 사용하여 세정한 결과를 찍은 SEM사진.

Claims (11)

  1. 세정조, 상기 세정조를 둘러싸는 모양으로 형성된 순화조, 상기 세정도내에 그 일단부가 연결된 세정용액 공급관들, 및 일단부는 순환조와, 다른 일단부는 세정조와 연결된 강제순환시스템으로 구성된 세정장치에 있어서, 오존가스 발생기를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 오존가스 발생기는 한 측은 세정조내부로 연장되고, 타측은 외부장치와 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 세정장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 외부장치는 산소발생기인 것을 특징으로 하는 반도체 세정장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 공급관들은 각각 질산발생기, 불산발생기, 및 탈이온수 발생기와 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 세정장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 세정조내에 히이터가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 세정장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 하부에는 배수관과 밸브가 더 부착되는 것을 특징으로 하는 반도체 세정장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 강제순환시스템은 펌프, 여과기 및 이들을 상호 연결시키는 관으로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 세정장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 순환조는 상기 세정조의 상단부에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정장치.
  9. 질산, 불산, 및 탈이온수로 구성된 혼합용액을 세정용액으로 사용하는 슬라이트 에칭에 있어서, 상기 혼합용액에 오존가스르 첨가시킨 용액을 세정용액으로 사용하여 웨이퍼를 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 질산의 농도가 40%이하이고, 상기 불산의 농도가 0.5~10%인 것을 특징으로 하는 반도체 세정방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 세정용액의 온도가 25℃~35℃정도인 것을 특징으로 하는 반도체 세정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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