Claims (14)
절연성기판상에 신호를 전달하는 제1신호선과 제2신호선이 절연막을 사이에 두고 분리형성되어 있으며 상기 절연성 기판상에 형성된 박막트랜지스터의 제1전극과 상기 제1신호선, 제2전극과 상기 제2신호선이 각기 금속연결되어 있는 반도체 장치에 있어서, 상기 제1전극의 두께가 상기 제1신호선의 두께보다 소정의 높이만큼 얇게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.The first signal line and the second signal line for transmitting a signal on the insulating substrate are separated from each other with an insulating film interposed therebetween, and the first electrode, the first signal line, the second electrode, and the second electrode of the thin film transistor formed on the insulating substrate. A semiconductor device in which signal lines are metal-connected to each other, wherein the thickness of the first electrode is formed to be thinner by a predetermined height than the thickness of the first signal line.
제1항에 있어서, 상기 제1전극의 두께는 500Å정도나 그 이하로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.The semiconductor device according to claim 1, wherein the first electrode has a thickness of about 500 GPa or less.
제1항에 있어서, 상기 반도체장치는 액티브 매트릭스형 액정표시장치인 것을 특징으로 하는 반도체장치.The semiconductor device according to claim 1, wherein said semiconductor device is an active matrix liquid crystal display device.
제1항과 제3항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는 역스태거형으로서 제1전극이 게이트전극인 것을 특징으로 하는 반도체장치.The semiconductor device according to claim 1 or 3, wherein the thin film transistor is an inverted stagger type, and the first electrode is a gate electrode.
절연성 기판상에 신호를 전달하는 제1신호선과 제2신호선이 절연막을 사이에 두고 분리형성되어 있으며, 상기 절연성 기판상에 형성된 박막트랜지스터의 제1전극과 상기 제1신호선, 제2전극과 상기 제2신호선이 각기 금속연결되어 있는 반도체 장치에 있어서, 상기 제1전극의 표면의 중앙부가 볼록한 형태로 형성되어 있으며, 상기 제2전극이 제1전극표면의 주변부인 낮은 부분위에만 오버랩되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.The first signal line and the second signal line for transmitting a signal on the insulating substrate are separated from each other with the insulating film interposed therebetween, and the first electrode, the first signal line, the second electrode, and the first electrode of the thin film transistor formed on the insulating substrate. A semiconductor device in which two signal lines are metal-connected to each other, wherein a central portion of the surface of the first electrode is formed in a convex shape, and the second electrode is formed so as to overlap only on a lower portion that is a periphery of the surface of the first electrode. A semiconductor device, characterized in that.
제5항에 있어서, 상기 제1전극의 주변부의 두께는 500Å정도나 그 이하로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.6. The semiconductor device according to claim 5, wherein the thickness of the peripheral portion of the first electrode is about 500 GPa or less.
제5항에 있어서, 상기 반도체장치는 액티브 매트릭스형 액정표시장치인 것을 특징으로 하는 반도체장치.The semiconductor device according to claim 5, wherein said semiconductor device is an active matrix liquid crystal display device.
제5항과 제7항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는 역스태거형으로서 제1전극이 게이트전극인 것을 특징으로 하는 반도체장치.The semiconductor device according to claim 5 or 7, wherein the thin film transistor is an inverted stagger type and the first electrode is a gate electrode.
절연성기판상에 신호를 제1신호선과 제2신호선이 절연막을 사이에 두고 분리형성되어 있으며, 상기 절연성 기판상에 형성된 박막트랜지스터의 제1전극과 상기 제1신호선, 제2전극과 상기 제2신호선이 각기 금속연결되어 있는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 절연성기판상에 제1신호선과 제1전극을 소정의 높이로 동시에 형성시키는 공정, 상기 형성된 제1신호선 위에 다시 제1신호선을 소정의 높이만큼 형성시켜 주는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The first signal line and the second signal line are separated from each other on the insulating substrate with the insulating film interposed therebetween. The first electrode, the first signal line, the second electrode, and the second signal line of the thin film transistor formed on the insulating substrate. A method of manufacturing a semiconductor device having metal connections, the method comprising: simultaneously forming a first signal line and a first electrode at a predetermined height on the insulating substrate; and forming a first signal line again on the formed first signal line by a predetermined height. A process for producing a semiconductor device, comprising the step of forming as much as possible.
제9항에 있어서, 상기 제1신호선과 제1전극을 동시에 형성시켜 주는 공정을 상기 절연성기판상에 제1신호선을 형성시켜 주는 공정후에 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 9, wherein the step of simultaneously forming the first signal line and the first electrode is performed after the step of forming the first signal line on the insulating substrate.
제9항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는 역스태거형으로서 제1전극이 게이트전극이며, 상기 반도체장치는 액티브 매트릭스형 액정표시장치인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.10. The manufacturing method of a semiconductor device according to claim 9, wherein the thin film transistor is an inverse staggered type, wherein the first electrode is a gate electrode, and the semiconductor device is an active matrix liquid crystal display device.
절연성 기판상에 신호를 전달하는 제1신호선과 제2신호선이 절연막을 사이에 두고 분리형성되어 있으며, 상기 절연성 기판상에 형성된 박막트랜지스터의 제1전극과 상기 제1신호선, 제2전극과 상기 제2신호선이 각기금속연결되어 있는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 절연성기판상에 제1신호선과 제1전극을 소정의 높이로 동시에 형성시키는 공정, 상기 형성된 전극위에 다시 제1전극을 형성시켜 제1전극표면의 중앙부가 볼록한 형태가 되도록 형성시켜 주는 공정, 상기 제2전극이 제1전극표면의 주변부인 낮은 부분위에서만 오버랩되도록 형성시켜 주는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The first signal line and the second signal line for transmitting a signal on the insulating substrate are separated from each other with the insulating film interposed therebetween, and the first electrode, the first signal line, the second electrode, and the first electrode of the thin film transistor formed on the insulating substrate. A method of manufacturing a semiconductor device in which two signal lines are connected to each other, the method comprising: simultaneously forming a first signal line and a first electrode at a predetermined height on the insulating substrate; and forming a first electrode on the formed electrode again. And forming the center portion of the first electrode surface so as to be convex, and forming the second electrode so as to overlap only on a low portion of the periphery of the first electrode surface.
제12항에 있어서, 상기 제1신호선과 제1전극을 동시에 형성시켜 주는 공정을 상기 절연성기판상에 제1전극을 형성시켜 주는 공정후에 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 12, wherein the step of simultaneously forming the first signal line and the first electrode is performed after the step of forming the first electrode on the insulating substrate.
제12항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는 역스태거형으로서 제1전극이 게이트전극이며, 상기 반도체장치는 액티브 매트릭스형 액정표시장치인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The manufacturing method of a semiconductor device according to claim 12, wherein the thin film transistor is an inverse staggered type, wherein the first electrode is a gate electrode, and the semiconductor device is an active matrix liquid crystal display device.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.