KR930011224B1 - Power source voltage detecting circuit - Google Patents

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KR930011224B1 KR1019910000636A KR910000636A KR930011224B1 KR 930011224 B1 KR930011224 B1 KR 930011224B1 KR 1019910000636 A KR1019910000636 A KR 1019910000636A KR 910000636 A KR910000636 A KR 910000636A KR 930011224 B1 KR930011224 B1 KR 930011224B1
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삼성전자 주식회사
김광호
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    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
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    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/165—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values

Abstract

The circuit comprises a reference voltage supply section (1) for outputting reference voltage (VREF) changed at a certain slope according to the change of source voltage (B+), a source detection voltage supply section (2) for outputting source detection voltage (VIN) changed at a certain slope according to the change of source voltage (B+), a differential amplifing section for comparing the reference voltage (VREF) with source detection voltage (VIN) to amplify, an output section (4) for outputting the output signal of the differential amplifing sect. (3), and an inverting sect. (5) for inverting the output signal of the output part (4) to output as detection signal.

Description

전원전압 검출회로Power supply voltage detection circuit

제1도는 본 발명의 전원전압 검출회로의 실시예를 보인 상세도.1 is a detailed view showing an embodiment of the power supply voltage detection circuit of the present invention.

제 2a, b도는 본 발명의 전원전압 검출회로에 의하여 설정되는 기준전압 및 전원 검출전압의 변화를 보인 그래프.2A and 2B are graphs showing changes in the reference voltage and the power detection voltage set by the power supply voltage detection circuit of the present invention.

제3도는 본 발명의 전원전압 검출회로로 구성한 시스템 제어회로의 실시예를 보인 회로도.3 is a circuit diagram showing an embodiment of a system control circuit constituted of the power supply voltage detection circuit of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 기준전압 공급부 2 : 전원 검출전압 공급부1: reference voltage supply 2: power detection voltage supply

3 : 차동 증폭부 4 : 출력부3: differential amplifier 4: output unit

5 : 반전부 VREF: 기준전압5: inverting unit V REF : reference voltage

VIN: 전원 검출전압 B+: 전원전압V IN : Power supply detection voltage B + : Power supply voltage

본 발명은 전원전압의 레벨이 일정레벨 이상 또는 이하인지를 검출하는 전원전압 검출회로에 관한 것이다.The present invention relates to a power supply voltage detection circuit for detecting whether the level of the power supply voltage is above or below a predetermined level.

팩시밀리 등을 비롯한 각종 전기 및 전자기기들은 잡음신호 및 기타 외부의 여러 가지 요인으로 인하여 공급되는 전원전압이 일정레벨 이하로 낮아졌을 경우에는 오동작을 하게 된다. 이러한 오동작을 방지하기 위하여 전기 및 전자기기들은 전원전압이 일정레벨 이하, 즉, 최저 동작전원 이하로 낮아지는지를 검출하고, 낮아졌을 경우에 기기의 오동작을 정지시켜 오동작을 방지하는 전원전압 검출회로를 구비하고 있다.Various electrical and electronic devices, including facsimile machines, malfunction when the supply voltage drops below a certain level due to noise signals and other external factors. In order to prevent such a malfunction, electric and electronic devices detect whether the power supply voltage falls below a certain level, that is, below the minimum operating power supply, and stop the malfunction of the device when the power supply voltage is lowered. Equipped.

이러한 전원전압 검출회로를 구성함에 있어서, 별도의 전압원으로 기준전압을 공급하고, 그 기준전압과 전원 검출전압을 비교하여 기기의 동작을 제어하고 있다. 그러나, 별도의 전압원을 사용하는 것은 그 별도의 전압원으로 기준전압을 공급하는 회로가 구비되어야 하고, 또한 배터리 등과 같은 별도의 전원을 구비해야 하므로 기기의 크기가 커지고, 생산원가가 상승되는 문제점이 있었다.In configuring such a power supply voltage detection circuit, a reference voltage is supplied to a separate voltage source, and the operation of the device is controlled by comparing the reference voltage and the power supply detection voltage. However, the use of a separate voltage source has to be provided with a circuit for supplying a reference voltage to the separate voltage source, and also to provide a separate power source such as a battery, there is a problem that the size of the device is increased, the production cost is increased .

그리고, 공급되는 전원전압을 이용하여 기준전압을 공급하는 것도 있으나, 전원전압이 낮아짐에 따라 기준전압도 낮아지게 되므로 전원전압의 레벨을 정확히 검출하지 못하여 기기가 오동작을 하는 문제점이 있었다.In addition, although the reference voltage is supplied using the supplied power supply voltage, the reference voltage is also lowered as the power supply voltage is lowered, which causes the device to malfunction because the level of the power supply voltage is not accurately detected.

그러므로 본 발명의 목적은 별도의 전압원을 사용하지 않고 전원전압을 이용하여 기준전압을 공급하면서 전원전압의 레벨을 정확히 검출하는 전원전압 검출회로를 제공하는데 있다.It is therefore an object of the present invention to provide a power supply voltage detection circuit that accurately detects the level of the power supply voltage while supplying a reference voltage using the power supply voltage without using a separate voltage source.

이와 같은 목적을 가지는 본 발명의 전원전압 검출회로는, 전원전압을 이용하여 기준전압과 전원 검출전압을 공급하고, 그 기준전압과 전원 검출전압을 비교하여 검출신호를 출력한다.The power supply voltage detection circuit of the present invention having such a purpose supplies a reference voltage and a power supply detection voltage using a power supply voltage, and compares the reference voltage and the power supply detection voltage to output a detection signal.

이때, 공급되는 기준전압과 전원 검출전압은 전원전압이 낮아짐에 따라 서로 다른 기울기로 낮아지게 하고, 전원전압이 기기의 최저 동작전압으로 될 경우에 기준전압과 전원 검출전압의 레벨이 교차되게 함으로써 전원전압의 레벨을 정확히 검출하게 된다.At this time, the supplied reference voltage and the power detection voltage are lowered with different slopes as the power supply voltage is lowered, and when the power supply voltage becomes the lowest operating voltage of the device, the level of the reference voltage and the power detection voltage is crossed. Accurately detect voltage levels.

특히, 본 발명은 전원 검출전압이 출력신호에 따라 일정 히스테리시스 값을 갖게 함으로써 전원전압의 미소한 변동에 대하여 기기를 보다 정확히 동작시킬 수 있다.In particular, the present invention enables the device to operate more accurately with respect to minute variations in the power supply voltage by having the power supply detection voltage have a constant hysteresis value in accordance with the output signal.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 전원전압 검출회로를 상세히 설명한다.Hereinafter, a power supply voltage detection circuit of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1도는 본 발명의 전원전압 검출회로의 실시예를 보인 상세도로서 이에 도시된 바와 같이, 전원전압(B+)의 변동에 따라 일정 기울기로 가변되게 기준전압(VREF)을 출력하는 트랜지스터(TR1,TR2)으로 된 기준전압 공급부(1)와, 출력신호의 레벨에 따라 일정 히스테리시스 값을 갖고 전원전압(B+)의 변동에 따라 일정 기울기로 전원 검출전압(VIN)을 출력하는 트랜지스터(TR3,TR4) 및 저항(R3-R6)으로 된 전원 검출 전압 공급부(2)와, 상기 기준전압(VREF) 및 전원 검출전압(VIN)을 비교 증폭하는 트랜지스터(TR5TR10) 및 저항(R0)으로 된 차동 증폭부(3)와, 상기 차동 증폭부(3)의 비교 증폭신호를 출력하는 트랜지스터(TR11,TR12)로 된 출력부(4)와, 상기 출력부(4)의 출력신호를 반전시켜 검출회로를 출력하는 트랜지스터(TR13,TR14)로 된 반전부(5)로 구성된다.1 is a detailed view showing an embodiment of a power supply voltage detection circuit according to the present invention. As shown in FIG. 1, a transistor for outputting a reference voltage V REF varying with a predetermined slope according to a change in the power supply voltage B + ( TR 1 , TR 2 ), and having a constant hysteresis value according to the level of the output signal and outputting the power detection voltage V IN at a constant slope according to the change of the power supply voltage B + . A transistor TR for comparing and amplifying the power supply detection voltage supply unit 2 composed of transistors TR 3 and TR 4 and resistors R 3 -R 6 , and the reference voltage V REF and the power supply detection voltage V IN . 5 TR 10 ) and a differential amplifier 3 composed of a resistor R 0 , and an output unit 4 composed of transistors TR 11 and TR 12 for outputting a comparative amplified signal of the differential amplifier 3. , composed of a transistor (TR 13, TR 14) to the inverting (5) for outputting an output signal by inverting the detection circuit of the output part (4) The.

상기에서 기준전압(VREF) 및 전원 검출전압(VIN)은 제2a,b도의 그래프와 같이 전원전압(B+)의 변동에 따라 서로 다른 기울기로 가변되도록 한다. 제2a도 전원전압(B+)이 2V에서 5V로 변화하는 파워 온 경우이고, 제2b도 전원전압(B+)이 5V에서 2V로 변화할 때의 VREF, VIN을 측정한 파워 오프의 경우를 나타낸 것이다. 도면에서 보듯이 전원전압(B+)이 최저 동작전압일 경우에 기준전압(VREF) 및 전원 검출전압(VIN)의 레벨이 동일하게 하고, 최저 동작전원 이상일 경우에는 기준전압(VREF)이 높도록 하며, 최저 동작전압 이하에서는 전원 검출전압(VIN)이 높도록 한다. 이것에 대해 다음에 보다 상세히 설명한다.The reference voltage (V REF ) and the power supply detection voltage (V IN ) in the above are to be changed to different inclination according to the change in the power supply voltage (B + ) as shown in the graph of Figure 2a, b. FIG. 2a is a case where the power supply voltage (B + ) changes from 2V to 5V, and FIG. 2b also shows a power off measurement of V REF and V IN when the power supply voltage (B + ) changes from 5V to 2V. The case is shown. As shown in the figure to the supply voltage (B +) equal to the level of the minimum voltage reference to the case of the operating voltage (V REF) and the power detection voltage (V IN), and if more than the minimum operating power, the reference voltage (V REF) It is to be high, and below the minimum operating voltage, the power supply detection voltage (V IN ) is to be high. This will be described in more detail below.

본 발명의 전원전압 검출회로는 전원전압(B+)이 인가되면, 전원전압(B+)의 인가에 따라 기준전압 공급부(1)의 트랜지스터(TR1,TR2)가 온되면서 전원전압(B+)의 레벨에 따른 기준전압(VREF)을 출력하게 된다.In the power supply voltage detection circuit of the present invention, when the power supply voltage B + is applied, the transistors TR 1 and TR 2 of the reference voltage supply unit 1 turn on according to the application of the power supply voltage B + , and the power supply voltage B The reference voltage V REF is output according to the level of + ).

제1도의 도면에서 기준전압(VREF)은 다음의 식(1)로 표시된다.In the drawing of FIG. 1, the reference voltage V REF is represented by the following equation (1).

Figure kpo00001
Figure kpo00001

상기 식(1)에서 R(TR2), R(TR1)의 표기는 MOS 트랜지스터 온저항값을 나타낸다.In the formula (1), the notation R (TR2) and R (TR1) represents the MOS transistor on-resistance value.

그리고 전원 검출전압 공급부(2)의 저항(R6)의 저항값을 PMOS 트랜지스터(TR3)의 온저항값과 저항(R4)의 저항값과의 합보다 크게 하면, 즉 R6〉R(TR3)+R4일 때 전원 검출전압(VIN)의 값은 다음과 같이 나타난다.When the resistance value of the resistor R6 of the power supply detection voltage supply unit 2 is larger than the sum of the on resistance value of the PMOS transistor TR3 and the resistance value of the resistor R4, that is, R6 > R (TR3) + R4. In this case, the value of the power detection voltage V IN is expressed as follows.

먼저, 파워 업 또는 파워 온시에, 즉 전원전압이 접지레벨에서 최저 동작전압이 될 때까지 VIN＞VREF가 되어 출력부(4)의 트랜지스터(TR11)는 차동증폭부(3)에 의해서 오프가 되고 트랜지스터(TR3)는 온이 된다.First, at power-up or power-on, i.e., V IN > V REF until the power supply voltage reaches the lowest operating voltage at ground level, transistor TR11 of output section 4 is turned off by differential amplifier 3; Transistor TR3 is turned on.

이때의 전원 검출전압(VIN)의 값은 다음의 식(2)로 표현된다.The value of the power detection voltage V IN at this time is expressed by the following equation (2).

Figure kpo00002
Figure kpo00002

이후 전원 전압이 최저 동작 전압 이상이 된 후에는 VIN＜VREF가 되어 트랜지스터(TR11)가 온이 되어 트랜지스터(TR3)는 오프가 된다. 이때의 전원 검출전압(VIN)은 다음의 식(3)과 같다.After that, after the power supply voltage becomes higher than or equal to the minimum operating voltage, the transistor TR11 is turned on because V IN <V REF so that the transistor TR3 is turned off. The power detection voltage V IN at this time is expressed by the following equation (3).

Figure kpo00003
Figure kpo00003

상기한 식(2)와 식(3)을 비교하면 분모항 중에서Comparing Equation (2) and Equation (3) above in the denominator

Figure kpo00004
Figure kpo00004

동일 전원전압(B+)에서는 식(2)의 VIN값이 식(3)의 VIN값보다 크게 된다.The same power supply voltage (B +) is V IN value of the expression (2) is greater than V IN value of the expression (3).

이러한 것을 그래프적으로 나타낸 것이 언급한 제2a도의 그래프이다.A graphical representation of this is the graph of FIG. 2A mentioned.

다음에, 파워 다운 또는 파워 오프시의 전원 검출전압(VIN)을 생각해 보면, 상기한 식(3)의 과정을 거쳐 최저 동작전압 이하에서는 식(2)로 변한다. 즉, 이때에는 제2b도와 같이 행동한다.Next, when the power supply detection voltage V IN at the time of power down or power-off is considered, it changes to Formula (2) below the minimum operating voltage through the process of said Formula (3). In other words, it acts as shown in FIG. 2B.

이렇게 하여 전원 검출전압이 히스테리시스 특성을 갖는 것이며 따라서 최저 동작전압도 히스테리시스 특성을 갖게 된다.In this way, the power supply detection voltage has hysteresis characteristics, and thus the lowest operating voltage also has hysteresis characteristics.

본 발명의 전원전압 검출회로에서와 같이 히스테리시스 특성을 갖게 되면 시스템의 안정성이 향상되는데 그 이유를 살펴보면 다음과 같다.Having a hysteresis characteristic as in the power supply voltage detection circuit of the present invention improves the stability of the system.

즉, 전원이 공급될 때의 최저 동작전압을 전원이 오프될때의 최저 동작전압보다 설정함으로써 일단 정상 동작을 하게 된 후 미소한 전원전압의 감소에는 반응을 하지 않고 일정 전압 즉 제2b도의 최저 동작전압 이하가 될 때에만 동작을 중지시킨다. 만약에 히스테리시스 특성이 없으면 전원전압이 최저 동작전압 근처에서 변동할 때 시스템 동작이 온,오프 된다는 것에 의해 불안정하게 된다. 따라서 전원전압의 미소한 변동에 대해서 출력신호가 변하지 않게 하여 시스템을 안정화시킨다.That is, the minimum operating voltage when the power is supplied is set to be lower than the minimum operating voltage when the power is turned off, so that once the normal operation is performed, the small operating voltage does not respond to the decrease of the small power supply voltage, that is, the minimum operating voltage of FIG. The operation is stopped only when If there is no hysteresis, the system becomes unstable by turning on and off when the supply voltage fluctuates near the lowest operating voltage. Therefore, the output signal does not change in response to the small fluctuation of the power supply voltage, thereby stabilizing the system.

다시 전원전압 검출회로의 동작을 설명하면, 전원전압(B+)의 레벨이 최저 동작전압 이상일 경우에는 기준전압(VREF)이 전원 검출전압(VIN)보다 높으므로 차동 증폭부(3)는 트랜지스터(TR5)가 온되면서 저전위를 출력하고, 출력한 저전위에 의해 출력부(4)의 트랜지스터(TR11)가 온되어 출력부(4)는 고전위를 출력하며, 그 고전위는 반전부(5)를 통해 저전위로 반전되어 검출신호로 출력된다. 그리고, 전원전압(B+)의 레벨이 최저 동작전압 이하로 낮아질 경우에는 기준전압(VREF)이 전원 검출전압(VIN)보다 낮으므로 차동증폭부(3)는 트랜지스터(TR6)가 온되고, 트랜지스터(TR7)가 온되어 고전위를 출력하게 된다.Referring to the operation of the power supply voltage detection circuit again, when the level of the power supply voltage B + is higher than or equal to the minimum operating voltage, the reference voltage V REF is higher than the power supply detection voltage V IN . The transistor TR 5 is turned on to output a low potential, and the output low potential causes the transistor TR 11 of the output unit 4 to be turned on so that the output unit 4 outputs a high potential. It is inverted to a low potential through the whole 5 and output as a detection signal. When the level of the power supply voltage B + becomes lower than the minimum operating voltage, the reference voltage V REF is lower than the power detection voltage V IN , so that the differential amplifier 3 turns on the transistor TR 6 . The transistor TR 7 is turned on to output a high potential.

이와 같이 차동증폭부(3)가 고전위를 출력하면, 출력부(4)의 트랜지스터(TR11)가 오프되므로 출력부(4)는 저전위로 출력하고, 출력한 저전위는 반전부(5)를 통해 고전위로 반전되어 검출신호로 출력된다.As described above, when the differential amplifier 3 outputs a high potential, the transistor TR 11 of the output unit 4 is turned off, so that the output unit 4 outputs at low potential, and the output low potential is inverted. It is inverted to high potential through and output as a detection signal.

한편, 제3도의 본 발명의 전원전압 검출회로를 구성한 시스템 제어회로의 실시예로서 이에 도시된 바와 같이, 시스템에서 출력되는 시스템 인에이블신호(ENH,

Figure kpo00005
)로 시스템의 인에이블을 판별하는 인버터(IV20-IV22) 및 낸드게이트(ND20)로 된 시스템 인에이블 판별부(20)와, 상기 시스템 인에이블 판별부(20) 및 본 발명의 전원전압 검출회로(21)의 출력신호를 반전논리곱하는 노아게이트(NOR)와, 데이터 출력부(22)에서 출력되는 데이터를 상기 노아게이트(NOR)의 출력신호에 따라 출력되는 낸드게이트(ND21,ND22), 트랜지스터(TR20,TR21) 및 저항(R20,R21)으로 된 데이터 출력제어부(23)로 구성하였다.Meanwhile, as an embodiment of the system control circuit constituting the power supply voltage detection circuit of FIG. 3, the system enable signal ENH, output from the system, is shown.
Figure kpo00005
System enable determination unit 20 comprising an inverter IV 20 -IV 22 and a NAND gate ND 20 , the system enable determination unit 20 and the power supply of the present invention. The NOR gate NOR for inverting and logically outputting the output signal of the voltage detection circuit 21 and the NAND gate ND 21 for outputting data output from the data output unit 22 according to the output signal of the NOR gate NOR; ND 22 ), and a data output control unit 23 composed of transistors TR 20 and TR 21 and resistors R 20 and R 21 .

이와 같이 구성된 시스템 제어회로는 전원전압(B+)이 인가된 상태에서 데이터를 출력할 경우에 고전위의 시스템 인에이블 신호(ENH)와 저전위의 시스템 인에이블 신호(

Figure kpo00006
)가 입력되면, 시스템 인에이블 판별부(20)의 낸드게이트(ND20)에 모두 고전위가 입력되므로 낸드게이트(ND20)는 저전위를 출력하게 된다.The system control circuit configured as described above has a high potential system enable signal ENH and a low potential system enable signal when a data is output in a state where a power supply voltage B + is applied.
Figure kpo00006
), Since the high potentials are all input to the NAND gates ND 20 of the system enable determination unit 20, the NAND gates ND 20 output low potentials.

이때, 전원전압(B+)이 최저 동작전압 이상으로 전원전압 검출회로(21)에서 저전위를 출력하면 노아게이트(NOR)가 고전위를 출력하여 데이터 출력제어부(23)의 낸드게이트(ND21,ND22)의 일측단자에 인가된다.At this time, when the power supply voltage B + is lower than the lowest operating voltage and the low voltage is output from the power supply voltage detection circuit 21, the NOR gate NOR outputs a high potential and the NAND gate ND 21 of the data output controller 23. , ND 22 ) on one side of the terminal.

그러므로 데이터 출력부(22)에서 출력되는 데이터가 낸드게이트(ND21,ND22)를 통해 트랜지스터(TR20,TR21)가 온 및 오프되고, 데이타 출력제어부(23)가 데이타를 출력하게 된다.Therefore, the data output from the data output unit 22 is turned on and off by the transistors TR 20 and TR 21 through the NAND gates ND 21 and ND 22 , and the data output controller 23 outputs the data.

그리고, 전원전압(B+)이 최저 동작전압 이하로 되어 전원전압 검출회로(21)에서 고전위를 출력할 경우에는 노아게이트(NOR)가 계속 출력하므로 낸드게이트(ND21,ND22)는 계속 고전위를 출력하고, 트랜지스터(TR20,TR21)는 오프되어 데이타 출력부(23)는 데이타를 출력하지 않게 된다.When the power supply voltage B + becomes lower than the minimum operating voltage and the high voltage is output from the power supply voltage detection circuit 21, the NOR gate continues to output, so the NAND gates ND 21 and ND 22 continue. The high potential is output, and the transistors TR 20 and TR 21 are turned off so that the data output unit 23 does not output data.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 별도의 전압원을 사용하지 않고, 공급되는 전원전압의 변동에 따라 일정 기울기로 가변되는 기준전압을 공급하면서 전원전압의 레벨을 검출하므로 전원전압의 레벨을 정확히 검출할 수 있고, 또한 전원 검출전압이 일정 히스테리시스 값을 갖게 함으로써 전원전압 검출회로를 사용하는 시스템을 보다 안정화시킬 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, the present invention does not use a separate voltage source, and detects the level of the power supply voltage while supplying a reference voltage varying with a predetermined slope according to a change in the supplied power supply voltage. In addition, it is possible to further stabilize the system using the power supply voltage detection circuit by making the power supply detection voltage have a constant hysteresis value.

Claims (2)

전원전압(B+)의 변동에 따라 일정 기울기로 가변되게 기준전압(VREF)을 출력하는 기준전압 공급부(1)와, 전원전압(B+)의 변동에 따라 일정 기울기로 가변되게 전원전출전압(VIN)을 출력하는 전원 검출전압공급부(2)와, 상기 기준전압(VREF) 및 전원 검출전압(VIN)을 비교 증폭하는 차동증폭부(3)와, 상기 차동증폭부(3)의 비교 출력신호를 출력하는 출력부(4)와, 상기 출력부(4)의 출력신호를 반전시켜 검출신호로 출력하는 반전부(5)로 구성함을 특징으로 하는 전원전압 출력회로.Reference voltage supply for varying at a predetermined inclination to be output with a reference voltage (V REF) in accordance with the variation of the supply voltage (B +) (1), and a power transference voltage to be variable at a predetermined gradient in accordance with the variation of the supply voltage (B +) and a power detection voltage supply part (2) for outputting (V IN), and the differential amplification part (3) comparing the amplification of the reference voltage (V REF) and the power detection voltage (V IN), said differential amplifier section (3) And an inverting portion (5) for outputting a comparison output signal of the inverting portion (4) and an inverting portion (5) for inverting the output signal of the output portion (4) and outputting the detected signal as a detection signal. 제1항에 있어서, 전원전압이 최저 동작전압 이상으로 될 때 기준전압(VREF)을 전원 검출전압(VIN)보다 크게 하고, 전원전압(B+)이 최저동작으로 될 경우에 기준전압(VREF)과 전원 검출전압(VIN)이 동일하게 하며, 전원전압이 최저 동작전압 이하로 될 때 기준전압(VREF)은 전원 검출전압(VIN)보다 작도록 한 것을 특징으로 하는 전원전압 검출회로.According to claim 1, wherein the reference voltage when the supply voltage is larger than the reference voltage (V REF) on the power detection voltage (V IN) when more than the minimum operating voltage and the supply voltage (B +) becomes a minimum operation ( V REF ) and the power supply detection voltage V IN are the same, and when the power supply voltage becomes lower than the minimum operating voltage, the reference voltage V REF is smaller than the power supply detection voltage V IN . Detection circuit.
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