KR930009134A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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KR930009134A
KR930009134A KR1019910018233A KR910018233A KR930009134A KR 930009134 A KR930009134 A KR 930009134A KR 1019910018233 A KR1019910018233 A KR 1019910018233A KR 910018233 A KR910018233 A KR 910018233A KR 930009134 A KR930009134 A KR 930009134A
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권기원
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로, 커패시터의 제1전극으로 사용되는 제1도저층위에 고유전물질 혹은 강유전물질로 이루어지는 유전체막을 형성하는 공정과, 상기 유전체막에 상소이온을 주입하는 공정과, 상기 산소이온 주입공정이후 소둔 처리하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 한다. 따라서 본 발명은, 고유전물질 혹은 강유전물질을 유전체막을 이용하는 종래기술에서 상기 유전체막의 누설전류를 줄이고 파괴전압을 높이기 위해 상기 유전체막 증착후 긴열처리 공정을 거치는 것 대신에, 상기 유전체막에 산소이온을 주입하고 열처리함으로써 짧은 시간내에 막내에 규일하게 산소를 공급할 수 있도록 하였다. 따라서 메모리소자의 신뢰성을 높일 수 있다.

Description

반도체장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명에 따른 커패시터의 형성방법을 나타낸 공정순서도.

Claims (5)

  1. 커패시터의 제1전극으로 사용되는 제1도전층위에 고유전물질 혹은 강유전물질로 이루어지는 유전체막을 형성하는 공정, 상기 유전체막에 산소이온 주입하는 공정, 그리고 상기 산소이온 주입공정이후, 소문처리하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고유전물질은 Ta2O5, 혹은 TiO2, 혹은 HfO2, 혹은 Y2O3, 혹은 AlO3, 혹은 ZrO2, 혹은 Ba0, 혹은 Bi202, 혹은 Cu2O중의 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 강유전물질은 PZT, 혹은 SrxBayTizO중의 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  4. 제2항 또는 제3항의 어느 한 항에 있어서, 상기 이온주입은 5~400keV의 에너지로 10~1016/㎠의 산소를 주입하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 산소이온의 주입공정은 그 입사각을 변화시키면서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910018233A 1991-10-16 1991-10-16 반도체 장치의 제조방법 KR930009134A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100351047B1 (ko) * 1999-04-07 2002-09-10 삼성전자 주식회사 산소이온 주입을 이용한 커패시터의 형성방법
KR100390849B1 (ko) * 2001-06-30 2003-07-12 주식회사 하이닉스반도체 하프늄산화막을 구비하는 캐패시터의 제조 방법

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100351047B1 (ko) * 1999-04-07 2002-09-10 삼성전자 주식회사 산소이온 주입을 이용한 커패시터의 형성방법
KR100390849B1 (ko) * 2001-06-30 2003-07-12 주식회사 하이닉스반도체 하프늄산화막을 구비하는 캐패시터의 제조 방법

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