KR930008888A - 적층형 입자경계절연형 반도체세라믹콘덴서 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전자기기에서 발생하는 노이즈, 펄스, 정전기증의 이상전압으로부터 반도체 및 전자기기를 보호하는 Ni을 내부전극으로 적층형 입자경계절연형 반도체세라믹조성 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni원자를 함유한 화합물에 고용시킨 내부전극페이스트를 출발원료로 하는 Ni내부전극을 이들이 교호로 대향하는 끝가장자리에 이르도록 형성하고, 또한 이 Ni내부전극의 양가장장자리에 외부전극을 형성한 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계 절연형 반도체세라믹콘덴서이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예1에 있어서의 배리스터기능을 가진 적층세라믹콘덴서의 제조공정을 표시한 도면.
제2도는 본 발며의 실시예를 설명하기 위한 배리스터기능을 가진 적층세라믹 콘덴서의 본해사시도이며, 적측하는 생시이트 및 그위에 인쇄되는 내부 전극페이스트의 형상을 설명하기 위한 도면.
제3도는 본 발명의 실시예 1~7로부터 얻어진 배리스터 기능을 가진 적층세라믹 콘덴서를 표시한 일부절결사시도.
제4도는 본 발명의 실시예 2에 있어서의 배리스터기능을 가진 적층세라믹콘덴서의 제조공정을 표시한 도면.
Claims (43)
- 입자경계 절연형 반도체세라믹내에, 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni원자를 함유한 화합물에 고용시킨 내부 전극페이스트를 출발원료로 하는 내부 전극을, 이들이 교호로 대향하는 끝가장자리에 이르도록 형성하고, 또한 이 Ni내부전극의 양끝가장자리에 전기적으로 접속되도록 외부전극을 형성한 것을 특징으로 하는 적층형 입자 경계절연형 반도체 세라믹.
- 제1항에 있어서, 외부 전극이 Pd, Ag, Cu, Zn, Ni중의 적어도 1종류이상의 금속 또는 그들의 합금 혹은 혼합물에 의해서 형성되는 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계 절연형 반도체 세라믹 콘덴서.
- 제1항에 있어서, 외부전극이 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상 또는 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상과 Pd, Pt원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni원자를 함유한 화합물에 고용시키므로써 형성되는 것을 특징으로 하는 적층형 입자 경계절연형 반도체세라믹콘덴서.
- 제1항에 있어서, 외부 전극이 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상 또는 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상의 Pd, Pt원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni원자를 함유한 화합물에 고용시킨 하층부외부전극과, Ag 또는 Ag-Pd계의 상층부외부전극에 의해서 형성되는 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계절연형 반도체세라믹콘덴서.
- 제1항에 있어서, 외부전극이 Pd, Pt원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni원자를 함유한 화합물에 고용시키므로써, 형성되는 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계 절연형 반도체세라믹콘덴서.
- 제1항에 있어서, 외부전극이 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni원자를 함유한 화합물에 고용시킨 하층부외부전극과, Ag 또는 Ag-Pd계의 상층부 외부전극에 의해서 형성되는 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계절연형 반도체 세라믹콘덴서.
- 제1항에 있어서, 입자경계 절연형 반도체세라믹으로서, Sr과 Ti의 mol비가 0.95≤Sr/Ti<1.00이 되도록 과잉의 Ti를 함유한 SrTiO3을 주성분으로 하고, 그것에 Nb2O5O, Ta2O5, V2O5, W2O5, Dy2O5, Nd2O3, Y2O3, La2O3, CeO2중의 적어도 1종류이상을 0.05~2.0mol%와, Mn원자와 Si원자를 각각 MnO2와 SiO2의 형태로 환산해서 그 합계량에서 0.2~5.0mol%함유해서 이루어진 것을 사용한 것을 특징으로 하는 적층형 입자경게 절연형 반도체 세라믹콘덴서.
- 제1항에 있어서, 입자경계 절연형 반도체세라믹으로서, Sr과 Ti의 mol비가 0.95≤Sr/Ti<1.00이 되도록 과잉의 Ti를 함유한 SrTiO3을 주성분으로 하고, 그것에 Nb2O5O, Ta2O5, V2O5, W2O5, Dy2O5, Nd2O3, Y2O3, La2O3, CeO2중의 적어도 1종류이상을 0.05~2.0mol%와, Mn원자와 Si원자를 각각 MnO2와 SiO2의 형태로 환산해서 그 합계량에서 0.2~5.0mol%과, Ne2SiO3, Li2SiO3중의 적어도 1종류이상을 0.05~2.0mol%함유해서 이루어진 것을 사용한 것을 특징으로 하는 적층형 입자경게 절연형 반도체 세라믹콘덴서.
- 제1항에 있어서, 입자경계 절연형 반도체세라믹으로서, Sr과 Ti의 mol비가 0.95≤Sr/Ti<1.00이 되도록 과잉의 Ti를 함유한 SrTiO3을 주성분으로 하고, 그것에 Nb2O5O, Ta2O5, V2O5, W2O5, Dy2O5, Nd2O3, Y2O3, La2O3, CeO2중의 적어도 1종류이상을 0.05~2.0mol%와, Mn원자와 Si원자를 각각 MnO2와 SiO2의 형태로 환산해서 그 합계량에서 0.2~5.0mol%와 Na2SiO3, Li2SiO3중의 적어도 1종류이상을 0.05~2.0mol%와, %Al2O3을 0.05~2.0mol%함유해서 이루어진 것을 사용한 것을 특징으로 하는 적층형 입자경게 절연형 반도체 세라믹콘덴서.
- 제1항에 있어서, 입자경계 절연형 반도체세라믹으로서, Sr과 Ti의 mol비가 0.95≤Sr/Ti<1.00이 되도록 과잉의 Ti를 함유한 SrTiO3을 주성분으로 하고, 그것에 Nb2O5O, Ta2O5, V2O5, W2O5, Dy2O5, Nd2O3, Y2O3, La2O3, CeO2중의 적어도 1종류이상을 0.05~2.0mol%와, Mn원자와 Si원자를 각각 MnO2와 SiO2의 형태로 환산해서 그 합계량에서 0.2~5.0mol%와 NaAlO2, LiAlO2중의 적어도 1종류이상을 0.05~4.0mol%함유해서 이루어진 것을 사용한 것을 특징으로 하는 적층형 입자경게 절연형 반도체 세라믹콘덴서.
- 제1항에 있어서, 입자경계 절연형 반도체세라믹으로서, Sr(1-x)Bax와 Ti의 mol비가 0.95≤Sr(1-x)Bax/Ti<1.00이 되도록 과잉의 Ti를 함유한 Sr(1-x)BaxTiO3(단, 0<x≤0.3)을 주성분으로 하고, 그것에 Nb2O5O, Ta2O5, V2O5, W2O5, Dy2O5, Nd2O3, Y2O3, La2O3, CeO2중의 적어도 1종류이상을 0.05~2.0mol%와, Mn원자와 Si원자를 각각 MnO2와 SiO2의 형태로 환산해서 그 합계량에서 0.2~5.0mol%함유해서 이루어진 것을 사용한 것을 특징으로 하는 적층형 입자경게 절연형 반도체 세라믹콘덴서.
- 제1항에 있어서, 입자경계 절연형 반도체세라믹으로서, Sr(1-x)Bax와 Ti의 mol비가 0.95≤Sr(1-x)Bax/Ti<1.00이 되도록 과잉의 Ti를 함유한 Sr(1-x)BaxTiO3(단, 0<x≤0.3)을 주성분으로 하고, 그것에 Nb2O5O, Ta2O5, V2O5, W2O5, Dy2O5, Nd2O3, Y2O3, La2O3, CeO2중의 적어도 1종류이상을 0.05~2.0mol%와, Mn원자와 Si원자를 각각 MnO2와 SiO2의 형태로 환산해서 그 합계량에서 0.2~5.0mol%와, Na2SiO3, LiSiO3중의 적어도 1종류이상을 0.05~2.0mol%함유해서 이루어진 것을 사용한 것을 특징으로 하는 적층형 입자경게 절연형 반도체세라믹콘덴서.
- 제1항에 있어서, 입자경계 절연형 반도체세라믹으로서, Sr(1-x)Bax와 Ti의 mol비가 0.95≤Sr(1-x)Bax/Ti<1.00이 되도록 과잉의 Ti를 함유한 Sr(1-x)BaxTiO3(단, 0<x≤0.3)을 주성분으로 하고, 그것에 Nb2O5O, Ta2O5, V2O5, W2O5, Dy2O5, Nd2O3, Y2O3, La2O3, CeO2중의 적어도 1종류이상을 0.05~2.0mol%와, Mn원자와 Si원자를 각각 MnO2와 SiO2의 형태로 환산해서 그 합계량에서 0.2~5.0mol%와, Na2SiO3, LiSiO3중의 적어도 1종류이상을 0.05~2.0mol%와 Al2O3을 함유해서 이루어진 것을 사용한 것을 특징으로 하는 적층형 입자경게 절연형 반도체세라믹콘덴서.
- 제1항에 있어서, 입자경계 절연형 반도체세라믹으로서, Sr(1-x)Bax와 Ti의 mol비가 0.95≤Sr(1-x)Bax/Ti<1.00이 되도록 과잉의 Ti를 함유한 Sr(1-x)BaxTiO3(단, 0<x≤0.3)을 주성분으로 하고, 그것에 Nb2O5O, Ta2O5, V2O5, W2O5, Dy2O5, Nd2O3, Y2O3, La2O3, CeO2중의 적어도 1종류이상을 0.05~2.0mol%와, Mn원자와 Si원자를 각각 MnO2와 SiO2의 형태로 환산해서 그 합계량에서 0.2~5.0mol%와, NaAlO2, LiAlO2중의 적어도 1종류이상을 0.05~4.0mol% 함유해서 이루어진 것을 사용한 것을 특징으로 하는 적층형 입자경게 절연형 반도체 세라믹콘덴서.
- 제1항에 있어서, 입자경계 절연형 반도체세라믹으로서, Sr(1-x)Cax와 Ti의 mol비가 0.95≤Sr(1-x)Cax/Ti<1.00이 되도록 과잉의 Ti를 함유한 Sr(1-x)CaxTiO3(단, 0.01≤x≤0.2)을 주성분으로 하고, 그것에 Nb2O5O, Ta2O5, V2O5, W2O5, Dy2O5, Nd2O3, Y2O3, La2O3, CeO2중의 적어도 1종류이상을 0.05~2.0mol%와, Mn원자와 Si원자를 각각 MnO2와 SiO2의 형태로 환산해서 그 합계량에서 0.2~5.0mol%함유해서 이루어진 것을 사용한 것을 특징으로 하는 적층형 입자경게 절연형 반도체세라믹콘덴서.
- 제1항에 있어서, 입자경계 절연형 반도체세라믹으로서, Sr(1-x)Cax와 Ti의 mol비가 0.95≤Sr(1-x)Cax/Ti<1.00이 되도록 과잉의 Ti를 함유한 Sr(1-x)CaxTiO3(단, 0.01≤x≤0.2)을 주성분으로 하고, 그것에 Nb2O5O, Ta2O5, V2O5, W2O5, Dy2O5, Nd2O3, Y2O3, La2O3, CeO2중의 적어도 1종류이상을 0.05~2.0mol%와, Mn원자와 Si원자를 각각 MnO2와 SiO2의 형태로 환산해서 그 합계량에서 0.2~5.0mol%와, Na2SiO3, LiSiO3중의 적어도 1종류이상을 0.05~2.0mol%함유해서 이루어진 것을 사용한 것을 특징으로 하는 적층형 입자경게 절연형 반도체세라믹콘덴서.
- 제1항에 있어서, 입자경계 절연형 반도체세라믹으로서, Sr(1-x)Cax와 Ti의 mol비가 0.95≤Sr(1-x)Cax/Ti<1.00이 되도록 과잉의 Ti를 함유한 Sr(1-x)CaxTiO3(단, 0.001≤x≤0.2)을 주성분으로 하고, 그것에 Nb2O5O, Ta2O5, V2O5, W2O5, Dy2O5, Nd2O3, Y2O3, La2O3, CeO2중의 적어도 1종류이상을 0.05~2.0mol%와, Mn원자와 Si원자를 각각 MnO2와 SiO2의 형태로 환산해서 그 합계량에서 0.2~5.0mol%와, Na2SiO3, LiSiO3중의 적어도 1종류이상을 0.05~2.0mol%와 Al2O3을 0.05~2.0mol% 함유해서 이루어진 것을 사용한 것을 특징으로 하는 적층형 입자경게 절연형 반도체세라믹콘덴서.
- 제1항에 있어서, 입자경계 절연형 반도체세라믹으로서, Sr(1-x)Cax와 Ti의 mol비가 0.95≤Sr(1-x)Cax/Ti<1.00이 되도록 과잉의 Ti를 함유한 Sr(1-x)CaxTiO3(단, 0.001≤x≤0.2)을 주성분으로 하고, 그것에 Nb2O5O, Ta2O5, V2O5, W2O5, Dy2O5, Nd2O3, Y2O3, La2O3, CeO2중의 적어도 1종류이상을 0.05~2.0mol%와, Mn원자와 Si원자를 각각 MnO2와 SiO2의 형태로 환산해서 그 합계량에서 0.2~5.0mol%와, NaAlO2<LiAlO2중의 적어도 1종류이상을 0.05~4.0mol%함유해서 이루어진 것을 사용한 것을 특징으로 하는 적층형 입자경게 절연형 반도체 세라믹콘덴서.
- 입자경계 절연형 반도체세라믹저송물의 혼합분말을 출발원료로 하고, 그 혼합뷴말을 분쇄, 혼합, 건조한후, 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이하는 공정과, 임시구이후, 재차 분쇄한 분말을 유기바인더와 함께 용매중에 분사시켜 생시이트로 하고, 그후 이 생시이트의 위헤 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni원자를 함유한 화합물에 고용시킨 혼합분말을 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이, 분쇄한후, 유기바인더와 함께 용매중에 분산시킨 내부 전극 페이스트를 교호로 대향하는 끝가장자리에 이르도록 인쇄(단 최상층 및 최하층의 생시이트에는 인쇄하지 않음)하는 공정과, 이 내부전극페이스트가 인쇄된 생시이트를 적층, 가압, 압착해서 성형체를 얻고, 그후 이 성형체를 공기중에서 탈지, 임시구이하는 공정과, 입시구이후 환원분위기 중에서 소성함으로써, 적층제를 소결하고, 또한 Ni내부전극을 형성하는 공정과, 소성후 공기중에서 재산화하는 공정과, 재산화한 후 Ni내부전극을 노출시킨 양단부에 외부전극페이트를 도포하여 베이킹해서 외부전극을 형성하는 공정으로 가진 것을 특징으로 하는 적층형 입자경게 절연형 반도체세라믹 콘덴서의 제조방법.
- 입자경계 절연형 반도체세라믹 조성물의 혼합분말을 출발원료로 하고, 그 혼합뷴말을 분쇄, 혼합, 건조한후, 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이하는 공정과, 임시구이후, 재차 분쇄한 분말을 유기바인더와 함께 용매중에 분사시켜 생시이트로 하고, 그후 이 생시이트의 위헤 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni원자를 함유한 화합물에 고용시킨 혼합분말을 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이, 분쇄한후, 유기바인더와 함께 용매중에 분산시킨 내부 전극 페이스트를 교호로 대향하는 끝가장자리에 이르도록 인쇄(단 최상층 및 최하층의 생시이트에는 인쇄하지 않음)하는 공정과, 이 내부전극페이스트가 인쇄된 생시이트를 적층, 가압, 압착해서 성형체를 얻고, 그후 이 성형체를 공기중에서 탈지, 임시구이하는 공정과, 임시구이후 먼저 질소분위기중에서 1000~1200℃까지 승온하고, 그 후 환원분위기 중으로 절환해서 소성함으로써, 적층제를 소결하고, 또한 Ni내부전극을 형성하는 공정과, 소성후 공기중에서 재산화하는 공정과, 재산화한 후 Ni내부전극을 노출시킨 양단부에 외부전극페이트를 도포하여 베이킹해서 외부전극을 형성하는 공정으로 가진 것을 특징으로 하는 적층형 입자경게 절연형 반도체세라믹 콘덴서의 제조방법.
- 입자경계 절연형 반도체세라믹 조성물의 혼합분말을 출발원료로 하고, 그 혼합뷴말을 분쇄, 혼합, 건조한후, 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이하는 공정과, 임시구이후, 재차 분쇄한 분말을 유기바인더와 함께 용매중에 분사시켜 생시이트로 하고, 그후 이 생시이트의 위헤 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni 원자를 함유한 화합물에 혼합분말을 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이, 분쇄한후, 유기바인더와 함께 용매중에 분산시킨 내부전극 페이스트를 교호로 대향하는 끝가장자리에 이르도록 인쇄(단 최상층 및 최하층의 생시이트에는 인쇄하지 않음)하는 공정과, 이 내부전극페이스트가 인쇄된 생시이트를 적층, 가압, 압착해서 성형체를 얻고, 그 성형체의 Ni내부전극을 토출시킨 양단부의 외부전극페이스트를 도포하고, 그 후 이 성형체를 공기중에서 탈지, 임시구이하는 공정과, 입시구이후 환원분위기 중에서 소성하는 공정과, 소성후 공기중에서 재산화하는 공정과, 재산화한 후 외부전극을 재환원하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 적층형 입자경게 절연형 반도체세라믹 콘덴서의 제조방법.
- 입자경계 절연형 반도체세라믹 조성물의 혼합분말을 출발원료로 하고, 그 혼합뷴말을 분쇄, 혼합, 건조한후, 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이하는 공정과, 임시구이후, 재차 분쇄한 분말을 유기바인더와 함께 용매중에 분사시켜 생시이트로 하고, 그후 이 생시이트의 위헤 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni 원자를 함유한 화합물에 혼합분말을 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이, 분쇄한후, 유기바인더와 함께 용매중에 분산시킨 내부 전극 페이스트를 교호로 대향하는 끝가장자리에 이르도록 인쇄(단 최상층 및 최하층의 생시이트에는 인쇄하지 않음)하는 공정과, 이 내부전극페이스트가 인쇄된 생시이트를 적층, 가압, 압착해서 성형체를 얻고, 그성형체의 Ni내부전극을 토출시킨 양단부의 외부전극페이스트를 도포하고, 그 후 이 성형체를 공기중에서 탈지, 임시구이하는 공정과, 입시구이후 먼저 질소분위기중에서 1000~1200℃까지 승온하고 그후 환원분위기 중으로 절환해서 소성하는 공정과, 소성후 공기중에서 재산화하는 공정과, 재산화한 후 회부전극을 재환원하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 적층형 입자경게 절연형 반도체세라믹 콘덴서의 제조방법.
- 입자경계 절연형 반도체세라믹 조성물의 혼합분말을 출발원료로 하고, 그 혼합뷴말을 분쇄, 혼합, 건조한후, 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이하는 공정과, 임시구이후, 재차 분쇄한 분말을 유기바인더와 함께 용매중에 분사시켜 생시이트로 하고, 그후 이 생시이트의 위헤 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni원자를 함유한 화합물에 혼합분말을 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이, 분쇄한후, 유기바인더와 함께 용매중에 분산시킨 내부 전극 페이스트를 교호로 대향하는 끝가장자리에 이르도록 인쇄(단 최상층 및 최하층의 생시이트에는 인쇄하지 않음)하는 공정과, 이 내부전극페이스트가 인쇄된 생시이트를 적층, 가압, 압착해서 성형체를 얻고, 그후 이 성형체를 공기중에서 탈지, 임시구이하는 공정과, 이 임시구이체의 Ni내부전극을 노출시킨 양단부에 외부전극페이스트를 도포하고, 환원분위기 중에서 소성하는 공정과, 소성후 공기중에서 재산화하는 공정과, 재산화한 후 외부전극을 재환원하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 적층형 입자경게 절연형 반도체세라믹 콘덴서의 제조방법.
- 입자경계 절연형 반도체세라믹 조성물의 혼합분말을 출발원료로 하고, 그 혼합뷴말을 분쇄, 혼합, 건조한후, 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이하는 공정과, 임시구이후, 재차 분쇄한 분말을 유기바인더와 함께 용매중에 분사시켜 생시이트로 하고, 그후 이 생시이트의 위헤 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni원자를 함유한 화합물 혼합분말을 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이, 분쇄한후, 유기바인더와 함께 용매중에 분산시킨 내부 전극 페이스트를 교호로 대향하는 끝가장자리에 이르도록 인쇄(단 최상층 및 최하층의 생시이트에는 인쇄하지 않음)하는 공정과, 이 내부전극페이스트가 인쇄된 생시이트를 적층, 가압, 압착해서 성형체를 얻고, 그후 이 성형체를 공기중에서 탈지, 임시구이하는 공정과, 이 임시구이체의 Ni 내부전극을 토출시킨 양단부의 외부전극페이스트를 도포하고, 먼저 질소분위기중에서 1000~1200℃가지 승온하고 그후 환원분위기중으로 절환해서 소성하는 공정과, 소성후 공기중에서 재산화하는 공정과, 재산화후 외부전극을 재환원하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 적층형 입자경게 절연형 반도체세라믹 콘덴서의 제조방법.
- 입자경계 절연형 반도체세라믹 조성물의 혼합분말을 출발원료로 하고, 그 혼합뷴말을 분쇄, 혼합, 건조한후, 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이하는 공정과, 임시구이후, 재차 분쇄한 분말을 유기바인더와 함께 용매중에 분사시켜 생시이트로 하고, 그후 이 생시이트의 위헤 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni 원자를 함유한 화합물 혼합분말을 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이, 분쇄한후, 유기바인더와 함께 용매중에 분산시킨 내부전극 페이스트를 교호로 대향하는 끝가장자리에 이르도록 인쇄(단 최상층 및 최하층의 생시이트에는 인쇄하지 않음)하는 공정과, 이 내부전극페이스트가 인쇄된 생시이트를 적층, 가압, 압착해서 성형체를 얻고, 그후 이 성형체를 공기중에서 탈지, 임시구하는 공정과, 탈지, 임시구이후 환원분위기중에서 소성하는 공정과, 소성후 또 하층부외부전극의 위에 Ag 또는 Ag-Pd계의 상층부 외부전극을 공기중 또는 질소분위기중에서 베이킹하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 적측형 입자경계절연형 반도체 세라믹콘덴서의 제조방법.
- 입자경계 절연형 반도체세라믹 조성물의 혼합분말을 출발원료로 하고, 그 혼합뷴말을 분쇄, 혼합, 건조한후, 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이하는 공정과, 임시구이후, 재차 분쇄한 분말을 유기바인더와 함께 용매중에 분사시켜 생시이트로 하고, 그후 이 생시이트의 위헤 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni원자를 함유한 화합물 혼합분말을 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이, 분쇄한후, 유기바인더와 함께 용매중에 분산시킨 내부 전극 페이스트를 교호로 대향하는 끝가장자리에 이르도록 인쇄(단 최상층 및 최하층의 생시이트에는 인쇄하지 않음)하는 공정과, 이 내부전극페이스트가 인쇄된 생시이트를 적층, 가압, 압착해서 성형체를 얻고, 그후 이 성형체의 Ni내부전극을 노출시킨 양단부에 외부전극페이스트를 도포하고, 이 성형체를 공기중에서 탈지, 임시구이하는 공정과, 탈지 임시구이후, 먼저 질소분위기중에 1000~1200℃까지 승온하고, 환원분위기 중으로 절환해서 소성하는 공정과, 소성후 또 하층부외부전극의 위에 Ag 또는 Ag-Pd계의 상층부 외부전극을 공기중 또는 질소분위기중에서 베이킹하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계절연형 반도체세라믹 콘덴서의 제조방법.
- 입자경계 절연형 반도체세라믹 조성물의 혼합분말을 출발원료로 하고, 그 혼합뷴말을 분쇄, 혼합, 건조한후, 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이하는 공정과, 임시구이후, 재차 분쇄한 분말을 유기바인더와 함께 용매중에 분사시켜 생시이트로 하고, 그후 이 생시이트의 위헤 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni원자를 함유한 화합물 혼합분말을 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이, 분쇄한후, 유기바인더와 함께 용매중에 분산시킨 내부 전극 페이스트를 교호로 대향하는 끝가장자리에 이르도록 인쇄(단 최상층 및 최하층의 생시이트에는 인쇄하지 않음)하는 공정과, 이 내부전극페이스트가 인쇄된 생시이트를 적층, 가압, 압착해서 성형체를 얻고, 그후 이 성형체의 Ni내부전극을 노출시킨 양단부에 하층부외부전극페이스트를 도포하고, 이 성형체를 공기중에서 탈지, 임시구이하는 공정과, 탈지 임시구이후 환원분위기 중에서 소성하는 공정과, 소성후 공기중에서 재산화하는 공정과, 재산화후 Ni 외부전극을 재환원하는 공정과 또 하층부외부전극의 위에 Ag 또는 Ag-Pd계의 상층부 외부전극을 공기중 또는 질소분위기중에서 베이킹하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계절연형 반도체 세라믹콘덴서의 제조방법.
- 입자경계 절연형 반도체세라믹 조성물의 혼합분말을 출발원료로 하고, 그 혼합뷴말을 분쇄, 혼합, 건조한후, 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이하는 공정과, 임시구이후, 재차 분쇄한 분말을 유기바인더와 함께 용매중에 분사시켜 생시이트로 하고, 그후 이 생시이트의 위헤 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni 원자를 함유한 화합물 혼합분말을 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이, 분쇄한후, 유기바인더와 함께 용매중에 분산시킨 내부 전극 페이스트를 교호로 대향하는 끝가장자리에 이르도록 인쇄(단 최상층 및 최하층의 생시이트에는 인쇄하지 않음)하는 공정과, 이 내부전극페이스트가 인쇄된 생시이트를 적층, 가압, 압착해서 성형체를 얻고, 그후 이 성형체의 Ni내부전극을 노출시킨 양단부에 하층부외부전극페이스트를 도포하고, 이 성형체를 공기중에서 탈지, 임시구이하는 공정과, 탈지, 임시구이후 먼저 질소분위기중에서 1000~1200℃까지 승온하고, 그후 환원분위기 중으로 절환해서 소성하는 공정과, 소성후 공기중에서 재산화하는 공정과, 재산화후, Ni외부전극을 재환원하는 공정과 또 하층부외부전극의 위에 Ag 또는 Ag-Pd계의 상층부 외부전극을 공기중 또는 질소분위기중에서 베이킹하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계절연형 반도체 세라믹콘덴서의 제조방법.
- 입자경계 절연형 반도체세라믹 조성물의 혼합분말을 출발원료로 하고, 그 혼합뷴말을 분쇄, 혼합, 건조한후, 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이하는 공정과, 임시구이후, 재차 분쇄한 분말을 유기바인더와 함께 용매중에 분사시켜 생시이트로 하고, 그후 이 생시이트의 위헤 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni 원자를 함유한 화합물 혼합분말을 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이, 분쇄한후, 유기바인더와 함께 용매중에 분산시킨 내부 전극 페이스트를 교호로 대향하는 끝가장자리에 이르도록 인쇄(단 최상층 및 최하층의 생시이트에는 인쇄하지 않음)하는 공정과, 이 내부전극페이스트가 인쇄된 생시이트를 적층, 가압, 압착해서 성형체를 얻고, 그후 이 성형체의 Ni내부전극을 노출시킨 양단부에 하층부외부전극페이스트를 도포하고, 이 성형체를 공기중에서 탈지, 임시구이하는 공정과, 탈지, 임시구이후 환원분위기 중에서 소성하는 공정과, 소성후 공기중에서 재산화하는 공정과, 하층부외부전극의 위에 Ag 또는 Ag-Pd 계의 외부전극페이스트를 도포하는 공정과, 그후 재환원 하는 공정과, 또 그후에 공기중에서 열처리하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계절연형 반도체 세라믹콘덴서의 제조방법.
- 입자경계 절연형 반도체세라믹 조성물의 혼합분말을 출발원료로 하고, 그 혼합뷴말을 분쇄, 혼합, 건조한후, 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이하는 공정과, 임시구이후, 재차 분쇄한 분말을 유기바인더와 함께 용매중에 분사시켜 생시이트로 하고, 그후 이 생시이트의 위헤 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni 원자를 함유한 화합물 혼합분말을 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이, 분쇄한후, 유기바인더와 함께 용매중에 분산시킨 내부 전극 페이스트를 교호로 대향하는 끝가장자리에 이르도록 인쇄(단 최상층 및 최하층의 생시이트에는 인쇄하지 않음)하는 공정과, 이 내부전극페이스트가 인쇄된 생시이트를 적층, 가압, 압착해서 성형체를 얻고, 그후 이 성형체의 Ni내부전극을 노출시킨 양단부에 하층부외부전극페이스트를 도포하고, 이 성형체를 공기중에서 탈지, 임시구이하는 공정과, 탈지, 임시구이후 먼저 질소분위기중에서 1000~1200℃까지 승온하고, 그후 환원분위기 중으로 절환해서 소성하는 공정과, 소성후 공기중에서 재산화하는 공정과, 재산화후하층부 외부전극의 위에 Ag 또는 Ag-Pd 계의 외부전극페이스트를 도포하는 공정과, 그후 재환원 하는 공정과,또 그후에 공기중에서 열처리하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계절연형 반도체 세라믹콘덴서의 제조방법.
- 입자경계 절연형 반도체세라믹 조성물의 혼합분말을 출발원료로 하고, 그 혼합뷴말을 분쇄, 혼합, 건조한후, 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이하는 공정과, 임시구이후, 재차 분쇄한 분말을 유기바인더와 함께 용매중에 분사시켜 생시이트로 하고, 그후 이 생시이트의 위헤 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni 원자를 함유한 화합물 혼합분말을 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이, 분쇄한후, 유기바인더와 함께 용매중에 분산시킨 내부 전극 페이스트를 교호로 대향하는 끝가장자리에 이르도록 인쇄(단 최상층 및 최하층의 생시이트에는 인쇄하지 않음)하는 공정과, 이 내부전극페이스트가 인쇄된 생시이트를 적층, 가압, 압착해서 성형체를 얻고, 그후 이 성형체의 Ni내부전극을 노출시킨 양단부에 하층부외부전극페이스트를 도포하고, 환원분위기 중에서 소성하는 공정과, 또 하층부외부전극의 위에 Ag 또는 Ag-Pd 계상층부 외부전극을 공기중 또는 질소분위기중에서 베이킹하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계절연형 반도체 세라믹콘덴서의 제조방법.
- 입자경계 절연형 반도체세라믹 조성물의 혼합분말을 출발원료로 하고, 그 혼합뷴말을 분쇄, 혼합, 건조한후, 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이하는 공정과, 임시구이후, 재차 분쇄한 분말을 유기바인더와 함께 용매중에 분사시켜 생시이트로 하고, 그후 이 생시이트의 위헤 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni 원자를 함유한 화합물 혼합분말을 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이, 분쇄한후, 유기바인더와 함께 용매중에 분산시킨 내부 전극 페이스트를 교호로 대향하는 끝가장자리에 이르도록 인쇄(단 최상층 및 최하층의 생시이트에는 인쇄하지 않음)하는 공정과, 이 내부전극페이스트가 인쇄된 생시이트를 적층, 가압, 압착해서 성형체를 얻고, 이 성형체를 공기중에서 탈지 임시구이하는 공정과, 그후 이 임시구이체의 Ni 내부전극을 노출시킨 양단부에 하층부외부전극페이스트를 도포하고 먼저 질소분위기 중에서 1000~1200℃까지 승온하고, 그후 환원 분위기중으로 절환해서 소성하는 공정과, 소성후 또 하층부외부전극의 위에 Ag또는 Ag-Pd 계의 상층부외부전극을 공기중 또는 질소분위기중에서 베이킹하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 적층형 입자경게 절연형 반도체세라믹 콘덴서의 제조방법.
- 입자경계 절연형 반도체세라믹 조성물의 혼합분말을 출발원료로 하고, 그 혼합뷴말을 분쇄, 혼합, 건조한후, 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이하는 공정과, 임시구이후, 재차 분쇄한 분말을 유기바인더와 함께 용매중에 분사시켜 생시이트로 하고, 그후 이 생시이트의 위헤 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni 원자를 함유한 화합물 혼합분말을 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이, 분쇄한후, 유기바인더와 함께 용매중에 분산시킨 내부전극 페이스트를 인쇄하지 않음)하는 공정과, 이 내부전극페이스트가 인쇄된 생시이트를 적층, 가압, 압착해서 성형체를 얻고, 이 성형체를 공기중에서 탈지 임시구이하는 공정과,그후 이 임시구이체의 Ni내부전극을 노출시킨 양단부에 하층부외부전극페이스트를 도포하고, 환원분위기중에서 소성하는 공정과, 소성후 공기중에서 재산화하는 공정과, 재산화후 재환원하는 공정과, 또 그후에 하층부 외부전극의 위에 Ag 또는 Ag-Pd 계의 상층부외부전극을 공기중 또는 질소분위기중에서 베이킹하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계절연형 반도체 세라믹콘덴서의 제조방법.
- 입자경계 절연형 반도체세라믹 조성물의 혼합분말을 출발원료로 하고, 그 혼합뷴말을 분쇄, 혼합, 건조한후, 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이하는 공정과, 임시구이후, 재차 분쇄한 분말을 유기바인더와 함께 용매중에 분사시켜 생시이트로 하고, 그후 이 생시이트의 위해 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni 원자를 함유한 화합물 혼합분말을 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이, 분쇄한후, 유기바인더와 함께 용매중에 분산시킨 내부전극 페이스트를 인쇄하지 않음)하는 공정과, 이 내부전극페이스트가 인쇄된 생시이트를 적층, 가압, 압착해서 성형체를 얻고, 이 성형체를 공기중에서 탈지 임시구이하는 공정과, 그후 이 임시구이체의 Ni 내부전극을 노출시킨 양단부에 하층부외부전극페이스트를 도포하고, 먼저 질소분위기중에서 1000~1200℃까지 승온하고, 그후 환원 분위기중으로 절환해서 소성하는 공정과, 소성후, 공기중에서 재산화하는 공정과, 재산화후 재환원하는 공정과, 또 그후에 하층부 외부전극의 위에 Ag 또는 Ag-Pd 계의 상층부외부전극을 공기중 또는 질소분위기중에서 베이킹하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계절연형 반도체 세라믹 콘덴서의 제조방법.
- 입자경계 절연형 반도체세라믹 조성물의 혼합분말을 출발원료로 하고, 그 혼합뷴말을 분쇄, 혼합, 건조한후, 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이하는 공정과, 임시구이후, 재차 분쇄한 분말을 유기바인더와 함께 용매중에 분사시켜 생시이트로 하고, 그후 이 생시이트의 위헤 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni 원자를 함유한 화합물 혼합분말을 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이, 분쇄한후, 유기바인더와 함께 용매중에 분산시킨 내부 전극 페이스트를 인쇄하지 않음)하는 공정과, 이 내부전극페이스트가 인쇄된 생시이트를 적층, 가압, 압착해서 성형체를 얻고, 이 성형체를 공기중에서 탈지 임시구이하는 공정과, 그후 이 임시구이체의 Ni내부전극을 노출시킨 양단부에 하층부외부전극페이스트를 도포하고, 환원분위기 중에서 소성하는 공정과, 소성후 공기중에서 재산화하는 공정과, 재산화후 하층부 외부전극의 위에 Ag 또는 Ag-Pd계의 상층부외부전극페이스트를 도포하는 공정과, 그후 재환원하는 공정과 또 그후에 공기중에서 열처리하는 공정으로 가진 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계절연형 반도체 세라믹콘덴서의 제조방법.
- 입자경계 절연형 반도체세라믹 조성물의 혼합분말을 출발원료로 하고, 그 혼합뷴말을 분쇄, 혼합, 건조한후, 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이하는 공정과, 임시구이후, 재차 분쇄한 분말을 유기바인더와 함께 용매중에 분사시켜 생시이트로 하고, 그후 이 생시이트의 위헤 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni 원자를 함유한 화합물 혼합분말을 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이, 분쇄한후, 유기바인더와 함께 용매중에 분산시킨 내부전극 페이스트를 인쇄하지 않음)하는 공정과, 이 내부전극페이스트가 인쇄된 생시이트를 적층, 가압, 압착해서 성형체를 얻고, 탈지 임시구이하는 공정과, 그후 이 임시구이체의 Ni내부전극을 노출시킨 양단부에 하층부외부전극페이스트를 도포하고, 먼저 질소분위기 중에서 1000~1200℃까지 승온하고, 그 후 환원분위기 중으로 절환해서 소성하는 공정과, 소성후 공기중에서 재산화하는 공정과, 재산화후 재환원하는 공정과, 또 그후에 하층부 외부전극의 위에 Ag 또는 Ag-Pd계의 상층부외부전극페이스트를 도포하는 공정과, 그후 재환원하는 공정과, 또 그후에 공기중에서 열처리하는 공정으로 가진 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계 절연형 반도체 세라믹콘덴서의 제조방법.
- 입자경계 절연형 반도체세라믹 조성물의 혼합분말을 출발원료로 하고, 그 혼합뷴말을 분쇄, 혼합, 건조한후, 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이하는 공정과, 임시구이후, 재차 분쇄한 분말을 유기바인더와 함께 용매중에 분사시켜 생시이트로 하고, 그후 이 생시이트의 위헤 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni 원자를 함유한 화합물 혼합분말을 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이, 분쇄한후, 유기바인더와 함께 용매중에 분산시킨 내부전극 페이스트를 인쇄하지 않음)하는 공정과, 이 내부전극페이스트가 인쇄된 생시이트를 적층, 가압, 압착해서 성형체를 얻고, 이 성형체를 공기중에서 탈지 임시구이하는 공정과, 환원분위기중에서 소성하는 공정과, 소성후, 공기중에서 재산화하는 공정과, 재산화후, Ni내부전극을 노출시킨 양단부에 하층부 외부전극페이스트를 환원 또는 질소분위기중에서 베이킹하고, 또 하층부외부전극의 위에 Ag 또는 Ag-Pd계의 상층부 외부전극을 공기중 또는 질소분위기중에서 베이킹하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계 절연형 반도체세라믹 콘덴서의 제조방법.
- 입자경계 절연형 반도체세라믹 조성물의 혼합분말을 출발원료로 하고, 그 혼합뷴말을 분쇄, 혼합, 건조한후, 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이하는 공정과, 임시구이후, 재차 분쇄한 분말을 유기바인더와 함께 용매중에 분사시켜 생시이트로 하고, 그후 이 생시이트의 위헤 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni 원자를 함유한 화합물 혼합분말을 공기중 또는 질소분위기 중에서 임시구이, 분쇄한후, 유기바인더와 함께 용매중에 분산시킨 내부전극 페이스트를 인쇄하지 않음)하는 공정과, 이 내부전극페이스트가 인쇄된 생시이트를 적층, 가압, 압착해서 성형체를 얻고, 이 성형체를 공기중에서 탈지, 임시구이하는 공정과, 그후 먼저 질소분위기중에서 1000~1200℃까지 승온하고, 그후 환원분위기중으로 절환해서 소성하는 공정과, 소성후, 공기중에서 재산화하는 공정과, 재산화후, Ni내부전극을 노출시킨 양단부에 하층 외부전극페이스트를 환원 또는 질소분위기중에서 베이킹하고, 또 하층부외부전극의 위에 Ag 또는 Ag-Pd계의 상층부외부전극을 공기중 또는 질소분위기중에서 베이킹하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계 절연형 반도체세라믹 콘덴서의 제조방법.
- 제19항 또는 제20항에 있어서, 외부 전극이 Pd, Ag, Cu, Zn, Ni중의 적어도 1종류이상의 금속 또는 그들의 합금 혹은 혼합물에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계절연형 반도체세라믹 콘덴서의 제조방법.
- 제19항~24항에 어느 한 항에 있어서, 외부 전극이 저원자가의 Li, Na, K원자중의 적어도 1종류이상의 또는 저원자가의 Pd, Pt 원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni 원자를 함유한 화합물에 고용시키므로써 형성되는 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계 절연형 반도체세라믹 콘덴서의 제조방법.
- 제19항~24항의 어느 한항에 있어서, 외부 전극이 Pd, Pt 원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni 원자를 함유한 화합물에 고용시키므로써 형성되는 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계절연형 반도체세라믹 콘덴서의 제조방법.
- 제25~38항의 어느 한 항에 있어서, 하층부 외부전극이 저원자가의 Li, Na, K 원자중의 적어도 1종류이상또는 저원자가의 Li, Na, K 원자중의 적어도 1종류 이상과 Pt,Pt 원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni원자를 함유한 화합물에 고용시키므로써 형성되는 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계절연형 반도체세라믹 콘덴서의 제조방법.
- 제25~38항의 어느 한 항에 있어서, 하층부 외부 전극이 Pd, Pt 원자중의 적어도 1종류이상을 Ni 또는 Ni원자를 함유한 화합물에 고용시키므로써 형성되는 것을 특징으로 하는 적층형 입자경계 절연형 반도체세라믹 콘덴서의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR100468674B1 (ko) * | 1997-07-24 | 2005-03-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의소자분리방법 |
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| KR100468674B1 (ko) * | 1997-07-24 | 2005-03-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의소자분리방법 |
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