KR930008643B1 - 반도체 집적회로의 테스트 구조 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 집적회로의 테스트 구조 제조방법

제 1 도는 종래 반도체 집적회로의 테스트 구조를 나타낸 것으로 (a)도는 단면도, (b)도는 평면도.

제 2 도는 본 발명의 테스트 구조 형성 공정을 나타낸 단면도.

제 3 도는 본 발명의 평면도.

제 4 도는 본 발명과 종래의 비교그래프.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 기판 2 : n웰

3 : 산화막 4 : p⁺영역

5 : 확산층 6, 8 : 금속

7 : 절연막

본 발명은 반도체 집적회로의 테스트 구조 제조방법에 관한 것으로, 특히 전류밀집(Current Crowding)효과를 제거하여 확산층과 전극배선 사이의 접촉 저항 값을 정확하게 측정할 수 있게 한 것이다.

종래에는 제 1 도에 도시된 바와같이 반도체 집적회로의 확산층(5)과 전극배선(6) 사이의 접촉저항 측정에 있어서 접촉창(9)과 확산층(5)의 탭(Tap)이 일치하지 않고 통상 확산 탭이 접촉창(9)보다 넓으므로 탭으로부터 전류가 접촉창(9)을 통하여 흐를 때 접촉창(9) 바로 밑부분 외의 탭 영역 주위에 전류의 일부가 몰리게 되었다.

이러한 현상은 확산층(5)의 저항이 높고 접촉저항이 작거나 접촉크기가 클수록 심각해지므로 정확한 접촉 저항값을 측정하기 위해서는 복잡한 캐러브레이션(Calibration)이 선행되어야 한다.

즉, 종래의 기술에 있어서는 확산랩과 접촉크기가 일치하지 않으므로 접촉창(9) 주위의 확산탭에 전류밀집 현상이 나타나서 실제의 접촉저항 값보다 측정치가 크게 나타나므로 정확한 접촉저항값을 측정하기가 어려웠다.

본 발명은 이와같은 종래의 결점을 감안하여 안출한 것으로 이하에서 첨부된 도면을 참고로 하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

먼저, 제 2 도는 본 발명의 테스트 패턴 형성공정을 나타낸 것으로, (a)와 같이 실리콘기판(1)(본 실시예에서는 P형 기판임)의 테스트 패턴이 형성될 부분에 측정대상인 확산층과 동일형의 불순물로서 이온주입한 후 열처리하여 n웰(2)을 형성하여 기판(1)과 전기적으로 격리되게 한 후 그위에 산화막(3)을 성장시킨다.

그리고 (b)와 같이 수직전류 통로를 형성하기 위하여 n웰(2)내에 측정대상인 확산층과 반대형의 불순물인 P⁺포킷(Pocket) 이온주입을 실시하여 P⁺영역(4)을 형성한다. 다음에 (c)와 같이 접촉창(Contact Window)을 형성하고 불순물을 이온주입한 후 열처리하므로써 측정대상인 확산층(5)(여기서 n+확산층)을 형성한다.

이후 (d)와 같이 접촉창에 금속(6)을 증착하고 패터닝(Patterning)하여 1차 배선을 형성하여 이어서 절연막(7)을 증착하고 비어 창(Via Window)을 형성한 후 금속(8)을 증착한다. 여기서 웰, 포킷, 측정 대상인 확산층을 형성하는 방법은 불순물의 이온주입 혹은 확산주입과 그 후의 산화성 분위기에서의 열처리 공정을 포함한다.

이와 같은 공정을 실시하면 결국 제 3 도와 같이 링형의 1차배선( 부분)과 라인형의 2차 배선(부분)으로 구성되는 테스트 구조를 제조할 수 있다. 제 4 도는 같은 접촉비 저항을 가질 때 기울기 -1의 이상적인 경우(실선)와 측정치의 경우(점선)를 비교한 것으로 (a)는 종래, (b)는 본 발명의 그래프이다.

상기한 바와같은 본 발명에 의하면 P⁺포킷(제 3 도의 일점쇄선 부분)에 의하여 수직전류 통로를 형성하고 2층 배선을 적용하여 확산층(5)(제 3 도의 굵은 실선부분)으로부터 접촉영역에 전류가 방사형으로 흐르도록 하므로써 전류가 밀집되는 현상을 방지할 수 있어 정확한 접촉저항을 측정할 수 있는 효과가 있다.

Claims (3)

1. 테스트 패턴이 형성될 부분에 측정대상인 확산층과 동일형의 불순물을 이온주입한 후 열처리하여 웰(2)을 형성하는 공정 ; 상기 웰 내부에 측정대상인 확산층과 반대형의 불순물을 이온주입하고 열처리하여 포킷(4)을 형성하는 공정 ; 상기 결과물중에 절연막(3)을 형성하고, 이 절연막의 소정부분에 접촉창을 형성한 후 불순물을 이온주입하고 열처리하여 측정대상인 확산층(5)을 형성하는 공정 ; 상기 접촉창에 금속을 중착하고 패터닝하여 1차 배선(6)을 형성하며 절연막(7)을 증착하고 비어창을 형성한 후 금속을 증착하고 패터닝하여 2차 배선(8)을 형성하는 공정을 차례로 실시함을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 테스트 구조 제조방법.
2. 제 1 항에 있어서, 웰(2), 포킷(4), 측정대상인 확산층(5)을 형성하는 방법은 불순물의 이온주입 혹은 확산주입과 그 후의 산화성 분위기나 불활성 분위기에서의 열처리 공정을 포함함을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 테스트 구조 제조방법.
3. 제 1 항에 있어서, 1차 배선(6)과 2차 배선(8)은 각각 링형과 라인형으로 구성되어 테스트 전류가 접촉영역에 방사형으로 흘러 들어가고 나오도록 형성함을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 테스트 구조 제조방법.

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