KR930006756A - Zno계 배리스터의 제조방법 - Google Patents
Zno계 배리스터의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 ZnO의 예비 소결을 통해 ZnO 입자 성장을 한 다음, 성장된 ZnO 입자들을 크기별로 분류하고, 다른 첨가물들과 혼합하고 소성하여 배리스터내의 입계 갯수를 감소시켜서 저전압용 배리스터를 제조하는 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 ZnO계 배리스터의 블럭 모델.
Claims (3)
- (가)ZnO 분말에 BaCO3를 소량 첨가하여 성형하는 단계, (나)상기 성형품을 일정 온도 및 시간 동안 소결하여, 성장된 ZnO 입자와 입계에 존재하는 BaO의 구조를 가진 소결체를 제조하는 단계, (다)상기 소결체를 증류수에서 중탕하여 BaO를 녹이고, 그 결과 생성물을 분쇄하여 성장된 ZnO만을 제조하는 단계, (라)상기 성장된 ZnO입자들을 균일한 크기별로 분류하는 단계, 및 (마)상기 분류된 ZnO 입자를 통상 배리스터에 사용되는 첨가제들과 바인더를 사용하여 성형하고 소결시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 배리스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (가)단계에서의 BaCO3의 첨가량은 ZnO에 대해 0.5~5몰%인 것을 특징으로 하는 배리스터의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (나)단계에서의 소성 온도가 1350~1450℃인 것을 특징으로 하는 배리스터의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910017115A KR100225107B1 (ko) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Zno계 배리스터의 제조방법 |
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| KR1019910017115A KR100225107B1 (ko) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Zno계 배리스터의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR930006756A true KR930006756A (ko) | 1993-04-21 |
| KR100225107B1 KR100225107B1 (ko) | 1999-10-15 |
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ID=19320572
Family Applications (1)
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| KR1019910017115A KR100225107B1 (ko) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Zno계 배리스터의 제조방법 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR100225107B1 (ko) |
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|---|---|---|---|---|
| KR102092328B1 (ko) | 2018-10-12 | 2020-03-23 | (주)에스엠텍 | ZnO 소자의 측면 절연 성능강화를 위한 코팅방법 |
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1991
- 1991-09-30 KR KR1019910017115A patent/KR100225107B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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| KR100225107B1 (ko) | 1999-10-15 |
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