KR930006439Y1 - 마그네트론의 방열장치 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

마그네트론의 방열장치

제1도는 본 고안 장치가 설치된 마그네트론의 반단면도.

제2도는 본 고안 장치의요부를 나타낸 상태도.

제3도는 본 고안 장치의 다른 실시예를 나타낸 상태도.

제4도는 종래 장치의 요부를 나타낸 상태도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 에노드 1a : 애노드베인

2, 2a, 3 : 방열핀

본 고안은 마그네트론에서 고주파를 캐비티로 공급시에 발생되는 고열을 방열시키기 위한 마그네트론의 방열장치에 관한 것이다.

일반적으로 고주파를 발생시키는 마그네트론은 제1도에 도시한 바와 같이 중심에 축방향으로 직렬형 캐소드(필라멘트)(4)가 설치되고 그 주변에는 방사상의 양극 구조물인 애노드(1)가 설치된 일종의 2극 진공관이다.

여기에 캐소드(4)와 애노드(1) 사이의 작용공간(5)에 자속을 인가시켜 주기 위해 상요크(6a)와 하요크(6b)가 설치되고 각 요크의 상, 하면에는 자석(7)과 자극(8)등이 차례로 설치된 자기회로가 있으며, 애노드(1)에 전달된 고주파 에너지를 외부(캐비티)로 토출시키기 위해 안테나(9)와 안테나씨일(10) 그리고 안테나 세락믹(11)과 안테나캡(12)등이 설치된다.

또 애노베인(1a)에서 열전자의 충돌에 의하여 생성된 열을 외부로 방열시키기 위해 방열핀 (3)이 설치되고, 작용공간(5)에서 생긴 불요 고주파 성분이 전원으로 역류하는 것을 막아주기 위한 쵸코코일(13)과 고압커패시터(14)등을 필터박스(15)로 보호할 수 있도록 되어 있다.

따라서 상기한 마그네트론은 캐소드(4)에서 방출된 열전자가 애노베인 (1a)과 캣드(4) 사이에 걸린 전계와 자기회로 상의 자극 (8)에 의해서 작용공간( 5)에 인가된 자속의 힘을 받아 사이클로이드 운동을 하게되고, 이에 따라 가속도를 경험한 열전자가 고주파에너지를 발생시키게 되므로 애노베인(1a)에서 이 에너지를 받아들이게 된다.

그러나 열전자가 애노베인(1a)에 도달하게 되는 때에도 전계로부터 받은 에너지를 지니게 되므로 충돌시에 이 에너지는 열에너지로 변하게 되고, 이에 따라 열전자의 충돌로 인해 발생되는 열을 방열시켜주기 위해 애노드(1) 외부에 양질의 전도물질을 사용하여 방열핀(3)을 설치하는 것이 요구된다.

종래에는 열전자의 충돌로 인해 방열되는 열을 방열시켜 주기 위해 제4도에 도시한 바와 같이 애노드(1)의 외측으로 방열핀(3)을 동일간격으로 설치하여 발생된 열을 외부로 방열시키도록 되어 있다.

그러나 이러한 종래의 장치는 열전자의 충돌로 인해 발생되는 열은 거의 대부분이 애노베인(1a)에 충돌한 열전자에 의한 것으로 원통형애노드(1) 외측 전체의 종축방향으로 온도분포가 균일하지 않게 되므로 (통상 애노드(1)의 중심부가 그외의 부분보다 평균 10-30℃ 정도 높음) 장기간 전자레인지의 운전시에 방열핀(3)이 변형되고, 이에따라 방열핀(3)의 최초설치 상태를 유지할 수 없게 되어 방열능력이 급격히 저하됨은 불론 그 특성상태가 불량해지게 되는 결점이 있었다.

본 고안은 종래의 이와 같은 결점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 애노드,의 중심부에 설치되는 방열핀의 재질을 열전도도가 양호한 재질을 사용하거나, 또한 방열핀의 배열간격을 줄여 방열핀의 냉각능력을 균일하게 할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 고안의 형태에 따르면, 애노드의 외측에 방열핀을 설치하도록 된 것에 있어서, 애노드의 중심부에 설치되는 방열핀을 열저도도가 양호한 재질로 하여 간격을 그외의 부분에 설치되는 방열핀의 간격보다 좁게 배열하여서 된 마그네트론의 방열장치가 제공된다.

이하, 본 고안을 일실시예로 도시한 첨부된 도면 제1도 내지 제3에 의해 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.

첨부도면 제1도는 본 고안 장치가 설치된 마그네트론의 반단면도이고, 제2도는 본 고안 장치의 요부가 나타낸 상태도로서, 본 고안은 원통형 애노드(1) 외벽의 길이방향 중심에 형성된 애노드베인(1a)의 중심부에 설치된 방열핀(2) 간격이 그외에 설치되는 방열핀(3)의 간격보다 좁게 형성되어 있는데, 이때의 간격은 강제 공랭을 위해 넣어주는 바람의 유입, 유출상의 흐름을 방해하지 않는 범위해를 말한다.

또한 애노드베인(1a)의 중심부에 설치되는 방열핀(2a)을 제3도에 도시한 바와 같이 열전도도가 양호한 재질(예를 들어 구리, 이때 구리의 열전도도 : 0.94㎈/㎝.sec.℃)로 하고, 그외이 방열핀(3)은 종래와 동일하게 알루미늄(열전도도 : 0.53㎈/㎝.sec.℃)을 사용할 수도 있다.

이와 같이 구성된 본 고안은 애노드베인 (1a)에서 에너지를 받아들일 때 열전자의 충돌로 인해 발생되는 열을 애노드베인(1a)의 중심부 측으로 방열핀(2)이 좁은 간격으로 형성되어 있거나, 또는 열전도도가 양호한 방열핀(2a)이 형성되어 있어 그 외의 방열핀(3)보다 신속하게 방열을 시킬 수 있게 되므로 애노드(1)의 온도분포를 일정하게 유지할 수 있게 되고, 이에 따라 애노드의 열적특성을 장기간 균일하게 유지할 수 있게 되므로 제품의 성능을 향상시키게 되는 효과가 있다.

Claims (2)

1. 애노드(1)의 외측에 방열핀(3)을 설치하도록 된 것에 있어서, 애노드(1)의 중심부에 설치되는 방열핀(2)의 간격을 그외의 부분에 설치되는 방열핀(3)의 간격보다 좁게 배열하여서 됨을 특징으로 하는 마그네트론의 방열장치.
2. 제1항에 있어서, 방열핀(2a)은 구리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마그네트론의 방열장치.