Claims (4)
TTL레벨 도는 ECL레벨을 가지는 한쌍의 신호를 입력하여 증폭하고 이를 소정의 바이폴라 회로로 이루어진 출력용 풀업 트랜지스터와 씨모오스 회로로 이루어진 출력용 풀다운 트랜지스터를 통해 출력하는 출력버퍼에 있어서, 상기 입력신호를 씨모오스 레벨로 변환하지 않고 입력된 레벨의 스윙상태로 바로 상기 출력용 풀업 및 풀다운 트랜지스터로 전달시키기 위하여 상기 입력신호 중에서 제1신호를 입력하여 상기 출력용 풀업 트랜지스터를 구동하기 위한 제1구동부(100A)와, 상기 입력신호 중에서 제2신호를 입력하여 상기 출력용 풀다운 트랜지스터를 구동하기 위한 제2구동부(100B)와, 상기 제1신호를 입력하여 상기 제2구동부(100B)와 상기 출력용 풀다운 트랜지스터와 연결을 제어하기 위한 제1레벨다운부(200A)와, 상기 제2신호를 입력하여 상기 제1구동부(100A)와 상기 출력용 풀업 트랜지스터와의 연결을 제어하기 위한 제2레벨 다운부(200B)와 상기 제1구동부(100A)의 출력 신호를 상기 출력용 풀업 트랜지스터의 제어단자로 전송하기 위한 제2전송부(300B)를 구비함을 특징으로 하는 바이씨모오스 출력버퍼.An output buffer for inputting and amplifying a pair of signals having a TTL level or an ECL level and outputting the output signal through an output pull-up transistor consisting of a predetermined bipolar circuit and an output pull-down transistor consisting of a CMOS circuit, wherein the input signal is stored at a CMOS level. A first driver 100A for driving the output pull-up transistor by inputting a first signal from the input signal to directly transfer the output pull-up and pull-down transistor to a swing state of an input level without converting the signal into a swing state; A second driver 100B for driving the output pull-down transistor by inputting a second signal among the signals; and a second driver for controlling a connection between the second driver 100B and the output pull-down transistor by inputting the first signal. The first sphere by inputting the first level down unit 200A and the second signal; A second transmission for transmitting the output signal of the second level down unit 200B and the first driver 100A for controlling the connection between the unit 100A and the output pull-up transistor to the control terminal of the output pull-up transistor. Bi-CMOS output buffer comprising a portion (300B).
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2구동부(100A)(100B)와 상기 제1 및 제2레벨다운부(200A)(200B)가 각각 TTL 레벨 또는 ECL레벨의 신호를 출력함을 특징으로 하는 바이씨모오스 출력버퍼.The method of claim 1, wherein the first and second driving units 100A and 100B and the first and second level down units 200A and 200B respectively output signals of a TTL level or an ECL level. Baismos output buffer.
제1항에 있어서, 상기 제1및 제2신호가 각각 제1및 제2레벨에 있을시에 상기 제2레벨다운부 (200B)의 출력신호가 이네이블 신호로 발생되어 상기 출력용 풀업 트랜지스터가 "턴온"됨을 특징으로 하는 바이씨모오스 출력버퍼.The output pull-up transistor of claim 1, wherein the output signal of the second level-down part 200B is generated as an enable signal when the first and second signals are at the first and second levels, respectively. Bismos output buffer, characterized in that turned on.
제3항에 있어서, 상기 제1레벨이 상기 제2레벨보다 전위가 더 높음을 특징으로 하는 비이씨모오스 출력버퍼.4. The BCMS output buffer of claim 3, wherein the first level has a higher potential than the second level.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.