KR930005145A - Ic 마킹기의 ic 반전장치 - Google Patents

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KR930005145A
KR930005145A KR1019910014046A KR910014046A KR930005145A KR 930005145 A KR930005145 A KR 930005145A KR 1019910014046 A KR1019910014046 A KR 1019910014046A KR 910014046 A KR910014046 A KR 910014046A KR 930005145 A KR930005145 A KR 930005145A
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이수필
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container

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Abstract

내용 없음.

Description

IC 마킹기의 IC 반전장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 장치의 평면도,
제2도는 제1도의 A-A선 단면도,
제3도는 제1도의 B-B선 단면도,

Claims (2)

  1. 상부레일(1)과 하부레일(8)사이에 삽입홈(5a)을 가진 회전체(5)를 설치하여 상부레일(1)로 이송된 IC(2)를 반전시키도록 된 것에 있어서, 삽입홈(5a)의 깊이를 IC(2)의 길이보다 일정길이 “C”만큼 작게 형성하고 상부레일(1)과 하부레일(8)의 커버(3)(9)는 끝단을 “C”보다 큰 개방부(3a)(9a)를 형성하여서 됨을 특징으로 하는 IC 마킹기의 IC 반전장치.
  2. 제1항에 있어서, 회전체(5)의 삽입홈(5a)후방과 통하여지도록 에어유통공(6)을 각각 형성하고 회전체(5)의 일측에는 노즐(7)을 설치하여 회전체 (5)를 반전시킨 상태에서 노즐(7)과 에어유통공(5)이 상호 일치될 수 있도록 함을 특징으로 하는 IC 마킹기의 IC 반전장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910014046A 1991-08-14 1991-08-14 Ic 마킹기의 ic 반전장치 KR940004245B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020048572A (ko) * 2000-12-18 2002-06-24 정헌태 반도체 마킹 장비의 스트립 플리퍼 장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20020048572A (ko) * 2000-12-18 2002-06-24 정헌태 반도체 마킹 장비의 스트립 플리퍼 장치

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