KR930001816B1

KR930001816B1 - 전화기용 측음 방지회로

Info

Publication number: KR930001816B1
Application number: KR1019890017787A
Authority: KR
Inventors: 요시히로 이께후지; 쇼오조 미야가와; 미쯔히꼬 노다
Original assignee: 로옴 가부시끼가이샤; 사또오 겐이찌로오
Priority date: 1988-11-30
Filing date: 1989-11-30
Publication date: 1993-03-13
Also published as: EP0371468A2; EP0371468A3; EP0371468B1; US5029203A; KR900011218A; DE68927041T2; DE68927041D1

Abstract

내용 없음.

Description

전화기용 측음 방지회로

제1도는 본 발명에 따른 전화기용 측음 방지회로의 실시예의 구조도.

제2a도 및 제2b도는 제1도에 도시된 실시예에 있어서 임피던스 측정용 회로의 실시예의 구조도.

제3도는 회로 임피던스(Z_L)의 등가회로를 도시한 도면.

제4도는 회로 임피던스(Z_L)의 주파수특성의 특성곡선을 도시한 도면.

제5도는 회로 임피던스(Z_L)의 궤적의 설명도.

제6도는 밸런스 조정회로의 실시예의 회로도.

제7도는 밸런스 조정회로의 다른 실시예의 회로도.

제8a도 내지 제8b도는 가변저항소자의 구조의 실시예의 회로도.

제9도는 제1도에 도시된 실시예의 측음 방지특성의 특성곡선을 도시한 도면.

제10도는 종래의 전화기용 측음 방지회로의 구조도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

16 : 수화기 18 : 송화기

30 : 정류기 32 : 임피던스 측정용 회로

34 : 제어기 36 : 측음방지용 브릿지회로

38 : 스위치 40 : 발진기

42 : 검지회로

본 발명은 측음방지회로(side tone preventive circuit), 즉 통화자(speaker) 측 송화기(transmitter)의 출력이 통화자 측 수화기(receiver)에 전송(출력)되는 것을 방지하는 전화기용 측음방지 회로의 개선에 관한 것이다.

현재 사용되고 있는 대부분의 전화기들은 임피던스 브릿지로 구성되는 2선-4선 컨버터에 의해 수화기측의 회로와 송화기측의 회로로 분할되는 2-선 전화회선에 연결되어 신호가 전송된다.

임피던스 브릿지의 평형이 유지되지 않을때 통화자 측 송화기의 출력이 통화자 측 수화기에 전송되어 통화자의 음성이 수화기에서 출력됨으로써 통화상태가 불량하게 된다.

이와같은 종래의 전화기에서의 측음을 방지하기 위해서는 2선-4선 컨버터의 임피던스 평형을 제어한다. 종래의 전화기의 측음 방지회로가 제10도와 관련하여 설명된다.

제10도에서 전화국(100)은 다수의 전화회선을 연결하기 위한 교환기를 지니고 있다. 교환기는 연결된 전화회선당 하나의 트렁크(trunk) 회로(10)를 지니고 있다.

전화국(100)에서의 전화회선은 전화선(200)을 통하여 가정등에 설치되어 있는 전화기(300)에 연결된다. 전화선(200)은 제10도에 대략적으로 도시된 바와같이 선의 직경 및 거리등에 따라 변화하는 전화선 자체의 저항과 상기 저항에 기생하는(parasitic) 표유용량(stray capacity)으로 구성된다.

따라서 전화선(200)은 저항기, 커패시터등에 의해 제10도에 도시된 바와같이 등가적으로 나타내어 진다.

전화기(300)측에서 보여지는 회로 임피던스(Z_L)는 전화기(300)의 연결터미널(L₁) 및 (L₂)측에서 보여지는 트렁크 회로(10) 및 전화선(200)의 임피던스에 의해 결정된다. 전화기(300)는 연결터미널(L₁) 및 (L₂)를 연결하기 위한 내부회로(12)를 지니고 있고, 내부회로(12), 전화선(200) 및 트렁크회로(10)는 서로 병렬 연결되어 있다.

연결 터미널(L₂)은 접지되어 있고, 브릿지회로를 구성하는 밸런스 임피던스 소자(R₉) 및 (R₁₀)은 연결터미널(L₂)에 직렬연결된다. 밸런스 조정회로(14)의 한쪽 단부는 연결 터미널(L₁)에 연결되고, 다른쪽 단부는 밸런스용 저항(R₁₀)의 한쪽 단부에 연결된다.

이와같은 방식으로 밸런스용 저항(R₉) 및 (R₁₀), 밸런스 조정회로(14) 및 서로 병렬 연결되어 있는 내부회로(12)와 외부회로로 구성된 회로에 의해 임피던스 브릿지가 구성된다.

수화기(16)는 연결 터미널(L₂)과, 저항기(R₁₀) 및 밸런스 조정회로(14)의 연결 포인트 사이에 설치되고, 송화기(18)는 저항기(R₉) 및 (R₁₀)의 연결 포인트와 연결 터미널(L₁) 사이에 설치된다.

따라서 임피던스가 하기의 관계를 만족하면,

(Z_L//Z_SN)·R₁₀=Z_BN·R₉

임피던스 브릿지는 평형조건을 만족하여 송화기(18)의 출력이 수화기(16)에 전송되지 않게 된다. Z_L//Z_SN은 병렬 연결된 Z_L및 Z_SN의 임피던스를 나타낸다.

이와같은 종래의 임피던스 브릿지에 있어서, 전술한 평형조건이 충족되면, 측음이 매우 양호하게 방지되게 된다.

그러나 전화기(300)측에서 본 회로 임피던스(Z_L)는 전화선(200)의 직경 및 거리에 따라 크게 변화한다.

전화선(200)으로서는 0.32, 0.4, 0.5, 0.65, 0.9㎜ 등의 직경을 지니는 선이 사용되고, 신호 레벨의 손실은 전화선(200)의 거리에 따라 약 0 내지 7㏈ 만큼 변화한다.

따라서 회로 임피던스(Z_L)는 전화기(300)가 설치되어 있는 상태에 따라 크게 변화한다.

그러나 종래의 전화기(300)에 있어서의 밸런스 조정회로(14)가 고정된 CR 회로망으로 구성되기 때문에 크게 변화되는 전화회선의 임피던스(Z_L)에 응답하는 것은 불가능하다.

임피던스 브릿지가 평형조건을 충족시키는 것은 크게 변화하는 전화회선의 임피던스(Z_L)에서의 한 포인트에서 이며, 다른 조건하에서는 임피던스 브릿지가 평형을 이루지 않는다.

따라서 회로 임피던스(Z_L)가 변화할때 뛰어난 측음방지 효과를 획득하는 것은 불가능하다.

따라서 본 발명의 목적은 관련된 기술분야에서 전술된 문제들을 제거하는 것이고 전화회선 조건이 변화하는 상황에서 뛰어난 측음방지특성을 획득하기 위하여 임피던스 브릿지를 평형시키는 전화기용 측음방지회로를 제공하는 것이다.

이러한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 전화기용 측음 방지회로는 전화회선의 임피던스를 측정하기 위하여 전화회선의 연결 터미널에 연결되는 임피던스 측정용 회로 연결 터미널을 수화기 및 송화기에 연결하고, 수화기의 연결 터미널에서 임피던스를 평형시키며, 소정의 임피던스를 가진 전화기내부 회로, 밸런스 임피던스 소자 및 밸런스 조정회로를 포함하는 브릿지 회로 및, 임피던스 측정회로의 측정 결과에 따라 밸런스 조정회로의 임피던스를 제어하는 제어기로 구성되고, 브릿지 회로의 평형조건은 측음을 방지하기 위하여 전화회선의 측정된 임피던스에 따라 밸런스 조정회로의 임피던스를 변화시킴으로써 충족되어지게 된다.

전술한 구조를 지니는 본 발명에 따른 전화기용 측음방지 회로에서는 임피던스 측정용 회로에 의해서 전화회선의 임피던스를 측정하는 것이 가능하다.

밸런스 조정회로의 임피던스는 측정결과에 따라 제어되게 된다.

따라서 전화회선이 크게 변화될지라도 브릿지회로를 항상 평형시키는 것이 가능하게 되어 뛰어난 측음 방지효과를 실현시킬 수 있게 된다.

본 발명의 상기의 목적 및 기타의 목적들, 특징 및 장점들이 첨부된 도면들과 관련된 바람직한 구체적 실시예에 대한 하기의 설명에 의해 명확히 된다.

전화기용 측음 방지회로의 구체적 실시예가 첨부된 도면과 관련하여 설명된다.

제1도는 본 발명에 따른 전화기용 측음 방지회로의 구체적 실시예의 대략적인 구조의 블록다이어 그램이다.

제1도에서 외부의 2선 전화회선에 연결되는 전화회선의 연결 터미널(L₁), (L₂)은 브릿지에 연결된 다이오드들로 구성된 정류기(30)에 연결된다.

정류기(30)의 마이너스 연결 터미널은 접지되고, 플러스 연결 터미널은 임피던스 측정용 회로(32)에 연결된다. 임피던스 측정용 회로(32)가 제어기(34)로부터의 지시에 응답하여 전화회선의 임피던스를 측정하는 것이 적당하다. 임피던스 측정용 회로(32)의 출력측은 측음방지용 브릿지 회로(36)에 연결된다.

평상시에는 임피던스 측정용 회로(32)가 불필요할때 스위치(50)는 신호가 임피던스 측정용 회로(32)를 바이패스하는 동안에 전송되도록 턴온된다.

측음방지용 브릿지 회로는 제10도에 도시된 종래의 기술에서와 같이 전화기 내부회로(12), 밸런스 조정회로(14) 및 밸런스 임피던스 소자(R₉), (R₁₀)로 구성된다.

수화기(16) 및 송화기(18)는 브릿지 회로(36)에 연결된다. 수화기(16)는 연산증폭기(16a) 및 스피커(SP)로 구성된다. 송화기(18)는 전류증폭기(18a), 연산증폭기(18b), 스위치(38) 및 마이크로폰(MIC)으로 구성된다.

본 발명에 있어서, 스위치(38)는 마이크로폰(MIC)과 연산증폭기(18b) 사이에 끼워진다.

스위치(38)는 발진기(40)를 연산증폭기(18b)에 연결시키게 된다. 스위치(44)는 제어기(34)를 턴온 및 턴오프 시킨다.

전술한 구조를 지니는 전화기에 있어서 통상의 통화를 수행하는 경우에 통화자가 음성을 송화기(18)의 마이크로폰(MIC)에 입력시킬때 소정의 전류가 음성에 따라서 연산증폭기(18a)에 흐르고, 연결 터미널(L₁), (L₂)을 통하여 전화회선에 출력된다.

전화회선에 입력되는 신호가 음성으로써 수화기(16)의 스피커(SP)에서 출력된다.

측음방지용 브릿지회로(36)의 임피던스가 하기의 평형조건을 충족시키면,

(Z_L//Z_SN)·R₁₀=Z_BN·R₉

송화기(18)에 입력된 신호는 수화기(16)에서 출력되지 않는다.

본 발명의 특징은 임피던스 측정용 회로(32)에 의해 전화기가 연결되는 전화회선의 임피던스, 즉 회로 임피던스(Z_L)가 측정되는 점에 있다. 임피던스 측정용 회로(32)에 의한 상기와 같은 회로 임피던스(Z_L)의 측정은 전화기가 설치될때 일반적으로 실행된다.

본 구체적 실시예에 있어서는 검지회로(detection circuit)(42)가 설치된다.

검지회로(42)는 예를들면 서로 직렬로 연결되어 있는 전원측에 배치되는 저항기와 접지측에 배치되는 커패시터로 구성되는 집적회로로 구성되고, 상기 집적회로는 저항기와 커패시터의 연결포인트의 포텐셜을 측정하여 포텐셜이 소정의 한계값(threshold value)을 초과할때 펄스를 출력시킨다.

집적회로는 전원측의 전압이 로우레벨에서 하이레벨로 변화할때에만 펄스를 출력하기 때문에, 검지회로(42)는 전화기와 전화회선 사이의 연결을 검지할 수 있게 된다.

검지회로(42)가 전화기와 전화회선 사이의 연결을 검지할때 제어기(34)가 작동되어 회로 임피던스의 측정 및 임피던스의 조정이 가능하게 된다. 회로 임피던스의 측정은 제어기(34)에 의해 제어된다.

특히 스위치(38)는 제어기(34)의 지시에 응답하여 발진기(40)측으로 변화되고, 발진기(40)는 소정의 주파수를 지니고 있는 신호를 전화회선에 출력한다.

따라서 발진기(40)에서 출력된 소정의 신호는 전회회선에 출력되어 임피던스 측정용 회로(32)가 회로 임피던스(Z_L)를 측정할 수 있게 된다.

전술한 방법에 있어서 임피던스 측정용 회로(32)에 의해 측정되는 전화회선의 회로 임피던스(Z_L)는 제어기(34)에 입력된다.

제어기(34)는 밸런스 조정회로(14)에서 전화회선의 회로 임피던스(Z_L)에 따른 소정의 산출에 의해 저항 및 정전용량이 결정된다.

밸런스 조정회로(14)의 저항 및 정전용량은 밸런스 조정회로(14)에서 스위치등의 동작에 의해 상기와 같이 결정된 값으로 조정된다.

제어기(34)가 동작되고 난후에 설치할 때에는 제어기(34)의 동작을 억제하기 위하여 스위치(44)가 턴온되고, 이후에는 이와같은 일이 필요하지 않게 되는 것이 바람직하다.

이와같은 방식으로 전화회선의 회로 임피던스(Z_L)가 측정되고 밸런스 조정회로(14)에서 저항 및 정전용량이 결정된다.

따라서 본 발명에 있어서 브릿지 회로(36)는 임피던스(Z_L)를 항상 평형시킬 수 있게 된다.

따라서 외부 전화회선의 회로 임피던스(Z_L)가 크게 변화하게 될지라도 뛰어난 측음방지효과를 성취할 수 있게 된다.

이제 회로 임피던스의 측정을 설명한다.

측정법으로는 저항 치환법, 전압 및 전류를 측정하는 방법등이 알려져 있다.

먼저 제1도를 참조하여 저항치환법을 설명한다.

본 실시예에서 절환스위치(change-over switch)(50)를 OFF 시킴으로써 저항 R에 전류가 공급되어 임피던스 회로가 작동된다.

저항 R의 발진기측 전압 V₁및 저항 R을 통과한후의 전압 V₂를 측정하기 위하여 저항 R 및 전압계(54) 및 (56)이 임피던스 측정용 회로(32)에 설치되었다.

스위치(38)는 송화기(18) 대신에 브릿지회로(36)에 발진기(40)를 연결시키는 작동을 한다.

발진기(40)로부터 소정의 주파수 f를 갖는 신호가 발생할때, 주파수 f에서의 회로 임피던스는 다음식과 같다.

｜Z_L｜_f=R/(V₁/V₂-1)

제2a도에는 임피던스 측정용 회로(32)의 다른 실시예가 도시되었다.

제2a도에 도시된 임피던스 측정용 회로(32)에서 통상의 전화기로 전화기를 작동하기 위한 전화회선(52)이 전환 스위치(50)에 의해 분리되어 있으며, 발진기(40)가 임피던스 측정용회로(32)에 직접 접속되어 있다.

제2a도에서, 전화기(300)의 연결단자 L₁및 L₂에서 전화회선의 회로 임피던스(Z_L)는 대략 Z_L로 표시된다.

이 임피던스 측정용 회로(32)는 제1도에서 도시된 임피던스 측정용회로(32)에서 처럼 저항 R 및 두개의 전압계(54) 및 (56)을 포함한다.

전압계(54) 및 (56)은 저항 R의 발진기(40)측 전압 V₁과 저항 R을 통과하는 전압 V₂를 측정한다.

전압 및 전류 측정법에 의해 회로 임피던스(Z_L)를 측정하는 경우에, 제2b도에 도시된 것처럼 전압계(60) 및 전류계(62)가 발진기(40)로부터 외부 전화회선으로의 연결 경로(route)에 설치되었다.

회로 임피던스(Z_L)는 전압계(60) 및 전류계(62)에 의해 각각 검출된 V 및 I 값에 기초한 다음공식으로 구해진다.

｜Z_L｜=V/I

회로 임피던스는 전술한 방법으로 구해진다.

제3도에 도시된 것처럼 회로 임피던스(Z_L)는 저항성분 R₁및 R₂그리고 표유용량 C의 결합에 의해 구성된다.

이하에서는 이러한 회로 임피던스 값들을 산출하는 것을 설명한다.

회로 임피던스(Z_L)는 제3도에 도시된 저항 및 커패시터가 결합된 회로와 등가이다.

즉, 저항 R₁과 직렬 연결된 저항 R₂및 커패시터 C의 병렬 연결된 회로는 회로 임피던스(Z_L)와 등가이다.

이러한 종류의 회로에서 회로 임피던스(Z_L)는 그에 공급되는 신호의 주파수 f에 따라 변화된다.

제4도에는 회로 임피던스(Z_L)의 주파수 특성이 도시되었다.

커패시터는 고주파에서는 낮은 임피던스를 저주파에서는 높은 임피던스를 갖는다.

그러므로 제4도에서 주파수가 약 300㎐ 일때 커패시터 C의 값은 사실상 무한히 커지며, 주파수가 약 10㎑ 일때는 커패시터가 단락상태이므로 커패시터 값은 사실상 0Ω이다.

결과적으로 주파수 10㎑에서 회로 임피던스(Z_L)를 측정하므로써 회로의 저항값을 구할 수 있다.

R₁=｜Z_L｜_10K

300㎐의 주파수에서 회로 임피던스(Z_L)는 직렬연결된 저항 R₁및 R₂의 임피던스이다.

이에 따라 저항 R₂의 값은 회로 임피던스(Z_L)의 값으로부터 저항 R₁의 값을 감산함으로써 구해지며 그때

R₂=｜Z_L｜₃₀₀-R₁

이다.

이때 회로 임피던스(Z_L)에서의 커패시터 C의 값은 주파수 1㎑에서의 회로 임피던스(Z_L)로부터 구해진다.

제4도에 도시된 것처럼 주파수 1㎑에서의 회로 임피던스(Z_L)는 저항 R₂및 커패시터 C의 병렬 연결과 저항 R₁이 결합된 회로의 임피던스이다.

저항 R₂와 커패시터 C의 병렬 접속의 임피던스가 Z_L라고 가정하면, 회로 임피던스의 궤적은 제5도에 도시된 바와같다.

그러므로 회로 임피던스(Z_L)는 다음과 같이 표현된다.

｜Z_L｜=(R₁+Z_c·cosθ)²+(Z_c·sinθ)²

이를 바꾸면

｜Z_L｜-R₁ ²=2·R₁·Z_c·cosθ+Z_c ²

이다.

저항 R₂, 커패시터 C가 병렬적 접속되어 있으므로 그 임피던스는 다음과 같이 된다.

1/Z_c ²=1/X_c ²+1/R²

여기서

X_c=｜1/ω·C｜

저항 R₂와 커패시터 C의 병렬 접속에서 θ=tan^-1R₂/X_c이며 그러므로 다음 관계가 유도된다.

cosθ=X_c(X_c ²+R₂ ²)^1/2

X_c는 다음의 방정식에서 구해진다.

X_c={R₂ ²·(Z_L ²-R₁ ²)/(2·R₂·R₂+R₂ ²-Z_L ²+R₁ ²)}^1/2

ω=2πf이므로(f는 주파수) 커패시터 C의 값은 다음과 같이 구해진다.

주파수 1㎑에서 (f=1㎑) 회로 임피던스(Z_L)의 값을 상기의 공식에 대입하여 브릿지 회로의 커패시터 C값이 구해진다.

이러한 방법으로 회로 임피던스(Z_L)가 구해진다. 이제 전화기 내부회로의 임피던스(Z_SN)의 조정에 대해 설명한다.

만약 전화기 내부회로(12)의 임피던스 역시 소정의 범위에 있다면 밸런스 조정회로(14)의 임피던스(Z_BN)를 다른 회로와 정합시키는 것이 불가능하다.

전화기 내부회로의 임피던스(Z_SN)가 620Ω 정도에 설정되도록 하고 싶을 때는 전화기 내부회로의 소정의 장소에 저항을 삽입하여 임피던스를 조정한다.

다음으로 밸런스 조정회로의 임피던스(Z_BN)의 조정을 설명한다.

전화기 내부회로(12)의 임피던스(Z_SN) 및 회로 임피던스(Z_L)가 결정될 때, 밸런스 조정회로(14)의 임피던스(Z_BN)는 이러한 값들에 따라 조정된다.

밸런스 조정회로(14)의 저항 및 커패시터는 제6도에 도시된 바와같이 일군의 스위치(S₁), (S₂) 및 (S₃)를 적절히 제어하고, 저항 R₁₂₁내지 R₁₂₄, R₁₁₁내지 R₁₁₄그리고 커패시터 C₁₃₁내지 C₁₃₄사이의 접속을 제어하므로써 조정되어 진다.

예를들면, 저항 R₁₂₁내지 R₁₂₄, R₁₁₁내지 R₁₁₄및 커패시터 C₁₃₁내지 C₁₃₄의 저항 및 커패시터는 각각의 값의 1 내지 15배로 설정될 수 있다.

밸런스 조정회로(14)는 제7도에 도시된 것처럼 가변저항소자 R₁₂, R₁₁및 R_OB, 커패시터 C₁₃₁가변용량 다이오드(베리캡 다이오드) C₁₃₂로 구성될 수 있다.

이 경우에서 저항 및 정전용량값은 제어기(34)로부터의 제어신호에 의해 변경될 수 있다. 베리캡 다이오드 C₁₃₂의 정전용량은 그곳에 공급되는 역전압에 따라 변화한다. 정전용량은 가변직류전원 E_v에 의해 그곳에 인가되는 역전압의 값에 따라 변화된다.

배리캡 다이오드 C₁₃₂의 정전용량의 변화에 의해서 커패시터 C₁₃₁및 베리캡 다이오드 C₁₃₂의 직렬연결회로의 정전용량은 소정의 값으로 조정된다. 코일 L₁₃은 베리캡 다이오드 C₁₃₂에 전압을 인가하는 가변직류전원 E_v의 임피던스가 주는 영향을 제거한다.

가변저항소자 R₁₂, R₁₁및 R_OB의 저항값은 제어기(34)로부터의 제어신호에 의해 소정의 값으로 설정된다.

예를들면 제8도에 도시된 것들이 가변저항소자로 채택된다.

제8a도는 LED-Cds(Light Emission Cadmium sulfide element)를 사용한 가변 저항소자를 도시한 것이다.

LED-Cds에서는 발광 다이오드 LED의 발광양에 따라 Cds 소자의 저항이 변한다.

발광 다이오드 LED의 발광의 양은 전류의 양에 따라 변화하기 때문에, Cds 소자의 저항은 전류의 양에 따라 변화한다.

그러므로, 전류의 양이 변화하므로써 저항값을 제어할 수 있다.

제8b도는 램프-Cds(Lamp Cadmium Sulfide element)를 사용한 가변저항 소자를 도시한 것이다.

이 가변저항소자에서, 램프에 공급된 전류양에 따라 발광의 양이 변화하며, 발광의 양에 따라 Cds 소자의 저항이 변화한다.

그러므로 전류양의 변화에 따라 저항을 제어할 수 있다.

제8c도는 MOS-FET(Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistor)를 사용한 가변저항소자를 도시한 것이다.

MOS-FET에서는, 소스와 드레인 간의 저항은 게이트에 공급되는 전압에 따라 변화한다.

이 예에서는 MOS-FET에서 처럼 게이트에 공급되는 전압의 변화에 의해 저항을 제어할 수 있다.

이러한 방법으로 제8a도 내지 제8d도에 도시된 것 같은 가변저항 소자가 채택되어, 전기신호에 의해 저항을 제어할 수 있게 된다.

그러므로, 전기신호가 제어기(34)로부터의 신호에 따라 발생될 경우 가변저항소자의 저항값을 원하는 값으로 설정시킬 수 있다.

또한 제어회로(34)로부터의 신호에 따라 가변직류전원 E_v의 전압을 조정할 수 있으며, 이렇게 하여 베리캡 다이오드 C₁₃₂의 커패시터값을 제어한다.

저항 R_OB, R₁₁및 R₁₂의 값과 커패시터 C₁₃₁의 값은 전화기 내부회로(12)와 임피던스(Z_L) 사이의 관계로부터 다음의 값을 예로 들수 있다.

만약 밸런스 저항 R₁₀값이 밸런스 저항 R₉의 값의 10배로 취해지고, 가령

R₉=47

R₁₀=470

내부회로(12)의 저항값이 620Ω으로 설정된다면, 밸런스 조정회로(14)의 저항 R_OB의 저항값은 다음과 같이 설정된다.

R_OB=10×Z_SN

=10×620Ω

=6.2kΩ

밸런스 조정회로(14)에서 저항 R₁₂, R₁₁및 커패시터 C₁₃의 값은 회로 임피던스(Z_L)에서 각각 저항 R₁, R₂및 표유용량 C에 따라 다음과 같이 설정된다.

R₁₂=10×R₁

R₁₁=10×R₂

R₁₃=C/10

이러한 방법으로, 밸런스 조정회로(14)에서의 저항값 및 정전용량은 제어기(34)로부터의 제어신호에 의해 이러한 값에서 설정된다.

그러므로 이 밸런스 조정회로(14)의 조정에 의해 항상 브릿지회로(36)를 제어하여 평형조건, 즉(Z_L//Z_SN)·R₁₀=Z_BN·R₉을 만족하도록 조정될 수 있다.

또한, 밸런스 저항 R₉및 R₁₀의 값을 적절히 선택하여, 밸런스 조정회로(14)에서의 저항값이 쉽게 조정될 수 있다.

구체적 실시예에서, 밸런스 저항 R₉및 R₁₀이 채택되나 일정 비를 갖는 어떠한 임피던스 소자일지라도 같은 효과를 내며, 이는 상기의 공식으로부터 분명하다.

제9도는 본 구체적 실시예에서의 측음 방지특성을 도시한 것이다.

가로축은 전화회선에서의 신호 레벨의 손실(전화선거리)을 나타내며, 세로축은 측음을 나타낸다.

제9도로부터, 전화회선에서의 신호 레벨의 손실(전화선거리)의 변화에 관계없이 측음방지가 항상 양호하게 수행될 수 있다.

이와 대조적으로 선행기술에서는 신호레벨의 손실(전화선거리)이 변화할때, 양호한 측음 방지는 단지 한 포인트에서만 얻어진다.

그러므로 본 구체적 실시예에서는 일정하고 양호한 측음방지가 달성될 수 있다.

상술한 것처럼 본 발명의 전화기용 측음 방지회로에 따르면, 회로 임피던스의 변화에 관계없이 양호한 측음방지가 일정하게 수행된다.

현재 본 발명의 바람직한 구체적 실시예라고 생각되어지는 것들이 예시되어 있는 반면에 상기 실시예로부터 다양한 수정이 가능하다는 것을 알 수 있으며, 첨부된 특허청구의 범위에 의해 본 발명의 진정한 정신 및 범위내에 포함되는 모든 수정예들이 포함되어져야만 한다.

Claims

전화회선의 임피던스를 측정하기 위하여 전화회선의 연결터미널에 연결되는 임피던스 측정용회로, 상기 연결터미널을 수화기 및 송화기에 연결하고, 상기 수화기의 연결터미널에서 임피던스를 평형시키며, 소정의 임피던스, 밸런스 임피던스소자 및 밸런스 조정회로로 구성되는 브릿지회로 및 상기 임피던스 측정용 회로의 측정결과에 따라 상기 밸런스 조정회로의 임피던스를 제어하는 제어기로 구성되고, 상기 브릿지회로의 평형조건이 측음을 방지하기 위하여 상기 전화회선의 측정된 임피던스에 따라서 상기 밸런스 조정회로의 임피던스를 변화시킴으로써 충족되게 되는 것을 특징으로 하는 전화기용 측음방지회로.
제1항에 있어서, 밸런스 조정회로는 직렬연결되어 있는 두개의 가변저항기와 상기의 가변저항기의 각각에 병렬연결되는 가변용량 커패시터로 구성되고, 상기 밸런스 조정회로의 가변저항기들의 각각은 직렬연결되어 있는 다수의 저항기와 각각의 저항기의 양단부에서 단락되도록 각각의 저항기에 병렬연결되어 있는 스위치들로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전화기용 측음방지회로.
제2항에 있어서, 밸런스 조정회로에서 가변용량커패시터가 병렬연결되어 있는 다수의 커패시터와 각각의 커패시터에 직렬연결되어 있는 스위치들로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전화기용 측음방지회로.
제2항에 있어서, 밸런스 조정회로에서 가변저항기가 LED-Cds로 구성되는 것을 특징으로 하는 전화기용 측음방지회로.
제2항에 있어서, 밸런스 조정회로에서 가변저항기가 Lamp-Cds로 구성되는 것을 특징으로 하는 전화기용 측음방지회로.
제2항에 있어서, 밸런스 조정회로에서 가변저항기가 MOS-FET로 구성되는 것을 특징으로 하는 전화기용 측음방지회로.
제2항에 있어서, 밸런스 조정회로에서 가변저항기가 J-FET로 구성되는 것을 특징으로 하는 전화기용 측음방지회로.
제1항에 있어서, 임피던스 측정용회로가 전화회선의 연결터미널과 브릿지회로 사이에 끼워지는 측정용저항기, 상기 저항기의 양단부의 전압을 측정하는 두개의 전압계, 상기 저항기의 양단부를 단락시키는 스위치 및 송화기를 대신하여 발진기를 브릿지회로에 연결시키기 위하여 발진기에 연결되어 브릿지회로와 송화기사이에서 연결회로에 설치되어 있는 절환스위치로 구성되는 것을 특징으로 하는 전화기용 측음방지회로.
제2항에 있어서, 임피던스 측정용회로가 전화회선의 연결터미널과 브릿지회로와의 사이에 끼워져 있는 측정용저항기, 상기 저항기의 양단부의 전압을 측정하는 두개의 전압계, 상기 저항기의 양단부를 단락시키는 스위치 및 송화기를 대신하여 발진기와 브릿지회로를 연결하기 위하여 발진기에 연결되어 브릿지회로와 송화기사이에서 연결회로에 설치되어 있는 절환스위치로 구성되는 것을 특징으로 하는 전화기용 측음방지회로.
제1항에 있어서, 임피던스 측정용회로가 브릿지회로를 대신하여 측정용저항기를 임피던스 회로에 연결시키기 위하여 전화회선의 연결터미널과 상기의 브릿지회로사이에 설치되는 절환스위치, 상기 절환스위치에 연결되는 상기 저항기의 양단부의 전압을 측정하는 두개의 전압계 및 한쪽 단부는 상기의 저항기에 직렬 연결되고 다른쪽 단부는 접지되어 있는 발진기로 구성되는 것을 특징으로 하는 전화기용 측음방지회로.
제2항에 있어서, 임피던스 측정용회로가 브릿지회로를 대신하여 측정용저항기를 상기의 임피던스 회로에 연결시키기 위하여 전화회선의 연결터미널과 상기의 브릿지회로사이에 설치되어 있는 절환스위치, 상기 절환스위치에 연결되는 상기 저항기의 양단부의 전압을 측정하는 두개의 전압계 및 한쪽단부는 상기의 저항기에 직렬연결되고 다른쪽 단부는 접지되어 있는 발진기로 구성되는 것을 특징으로 하는 전화기용 측음방지회로.
제1항에 있어서, 임피던스 측정용회로가 전화회선의 연결터미널과 브릿지회로의 사이에 설치되는 절환스위치, 상기의 절환스위치에 연결되는 전류계, 한쪽 단부는 상기 전류계에 직렬연결되고 다른쪽 단부는 접지되어 있는 발진기 및 상기 절환스위치와 전류계의 연결포인트에 연결되는 전압계로 구성되는 것을 특징으로 하는 전화기용 측음방지회로.
제2항에 있어서, 임피던스 측정용회로가 전화회선의 연결단자와 브릿지회로 사이에 설치되는 절환스위치, 상기의 절환스위치에 연결되는 전류계, 한쪽단부는 상기의 전류계에 직렬연결되고 다른쪽 단부는 접지되어 있는 발진기 및 상기 절환스위치와 상기 전류계의 연결포인트에 연결되는 전압계로 구성되는 것을 특징으로 하는 전화기용 측음방지회로.