KR920021731A - 직류 및 펄스직류 이온질화 방법과 장치 - Google Patents

직류 및 펄스직류 이온질화 방법과 장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

직류 및 펄스직류 이온질화 방법과 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명과 관련된 이온질화 장치의 개략도,
제2도는 이온 질화법 중에서 펄스 직류 이온 질화법과 관련이 있는 펄스 직류 전원의 파형.

Claims (5)

  1. 진공으로 만든 내부에 직류 및 펄스 직류의 음극 전원을 공급하여 시편을 이온질화 처리하는데 이때 양극은 접지시키고 압력을 진공계로 측정하며 초기 압력을 진공 펌프 용량 최대 압력까지 만든다음 글로우 방전이 발생하기 쉬운 진공도 (1 mtorr에서 70 mtorr)까지 가스 정화기로 정제된 수소, 질소, 알곤, 암모니아 가스를 투입하여 글로우 방전을 발생시킨 다음 서서히 질화 처리 압력까지 올려서 시편의 온도를 전압과 압력을 자동조절하여 질화가능 온도인 300℃-900℃까지 상승시키며 시편의 온도론 광학온도계 및 K-형 온도계로 측정, 피드백시켜 전원공급 장치내에서 자동으로 시편을 온도 조절되게 함을 특징으로 하는 직류 및 펄스직류 이온질화 방법.
  2. 진공용기 (10)에 진공펌프 (1)을 연결하고 직류 및 펄스직류 전원공급 장치 및 콘트롤러 (13)에서 접지된 양극(8)과 음극인 시편(7)의 연결단자(17)와 전기 공급단자(22)에 연결, 시편지지대(18)에 통전되게 하며 시련지지대 (3)에 알루멜-크로멜선 (19)으로 구성된 K형 온도계 (21)에 연결하여 온도를 측정하거나 광학온도계 (35)로 시편의 온도를 측정하며, 가스 공급단자(33)에 수소, 질소, 알곤, 암모니아등의 가스를 필요시 선택하여 공급하는 가스 조절장치(23) (24) (25) (26)로 구성되는 직류 및 펄스직류 이온 질화장치.
  3. 제2항에 있어서. 진공펌프(1)는 유확산펌프, 루트펌프, 터브펌프와 로타리 펌프와 연결하여 사용하는 것과 고진공펌프 없이 로타리 펌프 단독 설치함을 특징으로 하는 직류 및 펄스직류 이온 질화장치.
  4. 제2항에 있어서, 양극(8)과 음극과의 간격은 5㎝에서 80㎝까지의 영역임을 특징으로 하는 직류 및 펄스직류 이온 질화장치.
  5. 제2항에 있어서, 알루멜-크로멜선(19)은 완전 피복하고 K-형 온도계(21)는 완전 차단시키며, 온도계를 시편(7)에 바로 접촉시키거나 세라믹 박판을 접측시키고 알루멜-크로멜선의 끝점을 그 박판위에 위치시킴을 특징으로 하는 직류 및 펄스직류 이온 질화장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100417112B1 (ko) * 2001-08-21 2004-02-05 (주) 브이에스아이 펄스형 금속플라즈마 이온소스 발생장치
KR100791210B1 (ko) * 2007-02-09 2008-01-03 창원대학교 산학협력단 회주철에 대한 이온질화 처리방법
KR100846285B1 (ko) * 2006-02-01 2008-07-16 전해동 면 압연용 롤 및 그 제조 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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