KR920015720A - 가변 지연 회로 - Google Patents

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KR920015720A
KR920015720A KR1019910000634A KR910000634A KR920015720A KR 920015720 A KR920015720 A KR 920015720A KR 1019910000634 A KR1019910000634 A KR 1019910000634A KR 910000634 A KR910000634 A KR 910000634A KR 920015720 A KR920015720 A KR 920015720A
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delay
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김은수
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김광호
삼성전자 주식회사
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/13—Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
    • H03K5/133—Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals using a chain of active delay devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Pulse Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

가변 지연 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예를 나타낸 블럭도, 제2도는 제1도의 제1지연부의 상세회로도, 제3도는 제1도의 제2, 제3지연부의 상세회로도.

Claims (2)

  1. 제어신호를 가지지 않는 제1지연부(10)와, 제어신호(A)에 의해 제어되는 전송 게이트(TG1)및 제2지연부(20)와, 제어신호부(B)에 의해 제어되는 전송 게이트(TG2)및 제3지연부(30)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가변 지연 회로.
  2. 제1항에 있어서, 제1∼제3지연부(10∼30)를 1개 이상의 지연 인버터(DI)와 1개 이상의 정상 인버터(NI)로 연결하여 구성되는 것을 특징으로 하는 가변 지연 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910000634A 1991-01-16 1991-01-16 가변 지연 회로 KR930008420B1 (ko)

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JP2007017158A (ja) 2005-07-05 2007-01-25 Sharp Corp テスト回路、遅延回路、クロック発生回路、及び、イメージセンサ

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